臺積電退出后英飛凌加快GaN推進(jìn) 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強(qiáng)大的 IDM 模型，正在推進(jìn)其 300 毫米晶圓的可擴(kuò)展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計劃于 2025 年第四季度發(fā)布。

據(jù)《商業(yè)時報》報道，臺積電計劃在 2027 年 7 月 31 日之前結(jié)束其 GaN 晶圓代工服務(wù)，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價格壓力是關(guān)鍵驅(qū)動因素。Liberty Times 補(bǔ)充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步退出其 GaN 業(yè)務(wù)并停止 200 毫米晶圓生產(chǎn)的研發(fā)。報告顯示，根據(jù)業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁 Kevin Zhang 的建議，董事長兼首席執(zhí)行官 C.C. Wei 于 6 月中旬最終確定了這一決定。

然而，作為硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌認(rèn)為 GaN 市場仍然強(qiáng)勁。該公司在新聞稿中表示，GaN 具有更高的功率密度、更快的開關(guān)速度和更低的能量損耗，可實現(xiàn)緊湊、節(jié)能的設(shè)計，非常適合從智能手機(jī)充電器到工業(yè)機(jī)器人和太陽能逆變器的所有應(yīng)用。

據(jù)英飛凌稱，在 300 毫米晶圓上生產(chǎn)芯片在技術(shù)上優(yōu)于 200 毫米晶圓，效率也高得多，因為更大的尺寸使每個晶圓產(chǎn)生的芯片多 2.3 倍。

還值得注意的是，英飛凌也在積極拓展 200 毫米 SiC 市場。根據(jù)其新聞稿，該公司已于 2024 年 8 月正式開放其位于馬來西亞的新晶圓廠的第一階段，將成為世界上最大、最先進(jìn)的 200 毫米碳化硅 SiC 功率半導(dǎo)體工廠。

中國的崛起和主要挑戰(zhàn)

值得注意的是，中國企業(yè)在 200 毫米 GaN 晶圓市場取得了強(qiáng)勁的增長。英諾賽科聲稱是世界上最大的 8 英寸以 GaN 為重點的 IDM，運(yùn)營著全球最大的專用硅基氮化鎵制造能力。

盡管如此，利潤率仍然是中國 GaN 參與者面臨的主要挑戰(zhàn)。英諾賽科報告稱，2024 年收入為 8.285 億元人民幣，同比增長 39.8%。盡管有所改善，但其毛利率仍然為負(fù)，盡管虧損從 2023 年的 -61.6% 收窄至 2024 年的 -19.5%。