英飛凌加速氮化鎵推廣，而臺積電退出，預(yù)計2025年第四季度提供300毫米晶圓樣品

雖然臺積電計劃在 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大力度。憑借其強大的 IDM 模式，英飛凌根據(jù)其新聞稿 ，正在推進其在 300 毫米晶圓上的可擴展氮化鎵生產(chǎn)，首批客戶樣品定于 2025 年第四季度發(fā)布。

根據(jù) 商業(yè)時報 的報道，臺積電計劃于 2027 年 7 月 31 日終止其氮化鎵晶圓代工服務(wù)，稱中國競爭對手帶來的價格壓力是主要驅(qū)動因素。 自由時報 補充說，由于對氮化鎵的低利潤前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步淘汰其氮化鎵業(yè)務(wù)，并停止 200 毫米晶圓的研發(fā)。據(jù)報道稱，這一決定由董事長兼首席執(zhí)行官魏哲倫在中旬最終確定，這是基于業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁張建平的建議。

然而，英飛凌——作為硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者——認為氮化鎵市場仍然強勁。憑借更高的功率密度、更快的開關(guān)速度和更低的能量損耗，氮化鎵能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊、節(jié)能的設(shè)計，適用于從智能手機充電器到工業(yè)機器人和太陽能逆變器等各個方面，該公司在新聞稿中稱。

根據(jù)英飛凌的說法，在300毫米晶圓上生產(chǎn)芯片在技術(shù)上比在200毫米晶圓上更優(yōu)越，效率也更高，因為更大的尺寸每片晶圓可以產(chǎn)出2.3倍的芯片。

值得一提的是，英飛凌也在積極拓展 200 毫米 SiC 市場。2024 年 8 月，該公司正式開放了其在馬來西亞的新工廠的第一階段——據(jù)其 新聞稿 ，該工廠將成為全球最大、最先進的 200 毫米碳化硅 SiC 功率半導(dǎo)體設(shè)施。

中國的崛起……以及關(guān)鍵挑戰(zhàn)

值得注意的是，中國企業(yè)在 200 毫米氮化鎵晶圓市場正取得顯著進展。Innoscience 聲稱是全球最大的 8 英寸氮化鎵 IDM，擁有全球最大的專用氮化鎵-on-Si 制造能力。

然而，利潤率仍然是中國氮化鎵玩家的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。Innoscience 報告 2024 年收入為 8.285 億元人民幣，同比增長 39.8%。盡管有所改善，但其毛利率仍為負數(shù)，但虧損已從 2023 年的 -61.6% 收窄至 2024 年的 -19.5%。