瑞薩電子加大對(duì)氮化鎵的投入，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈

Renesas Electronics 表示，隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，公司正在加大對(duì)其氮化鎵（GaN）功率器件的承諾，并轉(zhuǎn)向使用 200 毫米晶圓和 650V d 模式器件。

Navitas Semiconductor 也通過(guò)與大功率芯片和英飛凌技術(shù)的合作，轉(zhuǎn)向使用 200 毫米晶圓，而英飛凌技術(shù)正在準(zhǔn)備在更大的 300 毫米晶圓上進(jìn)行生產(chǎn)。

Renesas 的舉措是基于與美國(guó) Polar Semiconductor 的最近合作協(xié)議，以及在 2027 年開(kāi)始在日本第二個(gè) 200 毫米晶圓廠的生產(chǎn)。該公司宣布已暫停碳化硅（SiC）和 IGBT 硅功率器件的開(kāi)發(fā)，以專注于 GaN。

“Renesas 正加大 GaN 和 MOSFET 的投入，因?yàn)槭袌?chǎng)需求持續(xù)旺盛，”GaN 業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理 Primit Parikh 表示。這已經(jīng)將 GaN 芯片開(kāi)發(fā)商 Transphorm（Parikh 曾是聯(lián)合創(chuàng)始人）與 Dialog Semiconductor 的控制器和驅(qū)動(dòng)芯片合并了。

他說(shuō)，雙向耗盡模式（d-mode）器件結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單，每單位面積的導(dǎo)通電阻更低，從而降低了器件成本。重點(diǎn)是數(shù)據(jù)中心用的 650V 器件，而雙向能力可以支持 ±400V，用于 Nvidia 推廣的 800V 電力傳輸網(wǎng)絡(luò) 聯(lián)盟 。

然而，對(duì)于電壓更高的 1200V 器件沒(méi)有計(jì)劃，這些器件此前在 Transphorm 公司正在開(kāi)發(fā)中?！?200V 已暫停，因?yàn)槲覀冋诒O(jiān)測(cè)市場(chǎng)并與客戶溝通，”Parikh 表示。

市場(chǎng)分析人士預(yù)計(jì)，氮化鎵在電力應(yīng)用領(lǐng)域的收入將以每年36%的速度增長(zhǎng)，到2030年將達(dá)到約25億美元，盡管這可能是一個(gè)低估，因?yàn)樵摷夹g(shù)正驅(qū)動(dòng)人工智能數(shù)據(jù)中心以提高效率。

Navitas 氮化鎵交易

Navitas 半導(dǎo)體今日宣布與富鼎半導(dǎo)體制造股份有限公司（PSMC 或富鼎）建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，以開(kāi)始生產(chǎn)并繼續(xù)開(kāi)發(fā) 200 毫米氮化鎵-on-silicon 技術(shù)。

Navitas 計(jì)劃使用富鼎的 200 毫米 Fab 8B 工廠，位于臺(tái)灣竹園科學(xué)園區(qū)，該工廠提供 180 納米工藝，以改善性能、電源效率、集成度和成本。

“在 180 納米工藝節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行 200 毫米氮化鎵-on-silicon 生產(chǎn)使我們能夠繼續(xù)創(chuàng)新更高功率密度、更快、更高效的設(shè)備，同時(shí)同時(shí)提高成本、規(guī)模和制造良率”，Navitas WBG 技術(shù)平臺(tái)高級(jí)副總裁 Sid Sundaresan 博士表示。

預(yù)計(jì) Powerchip 將生產(chǎn)電壓范圍為 100V 至 650V 的 Navitas 產(chǎn)品組合，以滿足 48V 基礎(chǔ)設(shè)施日益增長(zhǎng)的氮化鎵需求，包括超大規(guī)模人工智能數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車。首批器件的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2025 年第四季度完成。

100V 系列預(yù)計(jì)將在 2026 年上半年率先在 Powerchip 開(kāi)始生產(chǎn)，而公司預(yù)計(jì) 650V 器件將在未來(lái) 12 至 24 個(gè)月內(nèi)從 Navitas 現(xiàn)有的供應(yīng)商臺(tái)積電 (TSMC) 轉(zhuǎn)移到 Powerchip。

“我們很榮幸能與 Powerchip 合作，推進(jìn) 200 毫米氮化鎵硅基生產(chǎn)，并期待在接下來(lái)的幾年里共同推動(dòng)持續(xù)創(chuàng)新，” Navitas 的 CEO 和聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 表示?！巴ㄟ^(guò)我們與 Powerchip 的合作，我們有望在產(chǎn)品性能、技術(shù)進(jìn)步和成本效率方面取得持續(xù)進(jìn)展?！?/p>

“Powerchip 多年來(lái)一直與 Navitas 合作氮化鎵硅基技術(shù)，我們很高興宣布產(chǎn)品認(rèn)證即將完成——這使我們接近大規(guī)模生產(chǎn)，” Powerchip 總裁 Martin Chu 表示。

300毫米晶圓

英飛凌也預(yù)計(jì)，今年年底前將提供基于 300 毫米晶圓的 GaN 器件樣品給客戶。

“我們的全面擴(kuò)展的 300 毫米 GaN 制造將使我們能夠更快地為客戶創(chuàng)造最大價(jià)值，同時(shí)朝著與硅和 GaN 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)成本平價(jià)的目標(biāo)邁進(jìn)，”英飛凌 GaN 業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人約翰內(nèi)斯·肖斯沃說(shuō)?！霸谟w凌 300 毫米 GaN 晶圓技術(shù)突破性進(jìn)展宣布近一年后，我們很高興看到我們的轉(zhuǎn)型過(guò)程進(jìn)展順利，并且行業(yè)已經(jīng)認(rèn)識(shí)到英飛凌 GaN 技術(shù)的重要性，這得益于我們 IDM 戰(zhàn)略的強(qiáng)大實(shí)力。”

更大的晶圓直徑允許每塊晶圓生產(chǎn)2.3倍的芯片，但也需要單臺(tái)晶圓外延反應(yīng)器，而不是處理多個(gè)200毫米晶圓，雷恩斯拉斯的帕里克說(shuō)。

“從多晶圓反應(yīng)器轉(zhuǎn)向單晶圓反應(yīng)器，300mm 晶圓的外延晶圓擴(kuò)展非常不同，但真正的 影響 需要研究，”他說(shuō)。“我們看到 8 英寸可以滿足好幾年，四到五年，因?yàn)榈蛪浩骷透〉耐庋訉訉⑹紫绒D(zhuǎn)向 12 英寸。”