存儲(chǔ)芯片，正式漲價(jià)

今日，存儲(chǔ)芯片正式開(kāi)始漲價(jià)浪潮。

自此，存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)達(dá)多半年的低迷態(tài)勢(shì)，終于迎來(lái)轉(zhuǎn)折。

存儲(chǔ)芯片的兩大主力產(chǎn)品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場(chǎng)表現(xiàn)也各不相同。

NAND，開(kāi)始漲價(jià)

打響漲價(jià)第一槍的是 NAND 存儲(chǔ)大廠閃迪，其表示將于4月1日開(kāi)始實(shí)施漲價(jià)，漲幅將超10%，該舉措適用于所有面向渠道和消費(fèi)類產(chǎn)品。

緊接著美光也告知將針對(duì)新訂單提高價(jià)格，平均漲幅約 11%。3 月 25 日，美光直接發(fā)布漲價(jià)函，預(yù)計(jì)此次漲價(jià)幅度將在10%~15%。

之后，SK 海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調(diào)NAND閃存價(jià)格。

根據(jù)渠道反饋，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)公司的零售品牌致態(tài)宣布，將于4月起上調(diào)提貨價(jià)格，漲幅可能超過(guò)10%。

一系列消息接踵而至，在業(yè)內(nèi)引起軒然大波。

新一季度，NAND 芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈，這主要?dú)w功于各大 NAND 龍頭果斷且迅速地調(diào)整減產(chǎn)措施。

隨著 2024 年 NAND 產(chǎn)品價(jià)格走勢(shì)疲軟，為提早應(yīng)對(duì)市場(chǎng)供過(guò)于求問(wèn)題，美光、三星、SK 海力士、鎧俠等原廠陸續(xù)從 2024 年第 4 季重啟減產(chǎn)措施，借此阻止 NAND 價(jià)格的下跌趨勢(shì)。

今年 1 月，美光新加坡 NAND 廠突發(fā)斷電，導(dǎo)致 NAND 供貨吃緊。群聯(lián)科技執(zhí)行長(zhǎng)潘健成亦透露，雖從 2024 年 12 月已向美光下單采購(gòu)，但近期卻意外發(fā)生交貨不足的問(wèn)題。三星電子和 SK 海力士?jī)纱箜n廠的減產(chǎn)措施也在持續(xù)發(fā)酵，其中三星在 3 月的交貨量?jī)H有原先訂單的 20-25%。

其實(shí)，早在上個(gè)月，現(xiàn)貨市場(chǎng)的動(dòng)向就透出了一些不尋常的信號(hào)。

CFM 的報(bào)價(jià)顯示，小容量的 eMMC 以及一些 SSD 產(chǎn)品的價(jià)格已悄然上升，個(gè)別渠道也開(kāi)始了漲價(jià)的試探性動(dòng)作。

TrendForce 近日發(fā)布報(bào)告稱，預(yù)計(jì)2025年第二季NAND Flash價(jià)格將止跌回穩(wěn)，環(huán)比增加0-5%。其中 ClientSSD 合約價(jià)將季增 3%-8%；Enterprise SSD 合約價(jià)將持平第一季；eMMC 合約價(jià)將與上季持平。NAND Flash Wafer 合約價(jià)將季增 10%-15%。

疊加上述存儲(chǔ)龍頭的最新漲價(jià)動(dòng)作，市場(chǎng)上已經(jīng)有人嗅到這一商機(jī)，開(kāi)始囤積 SSD 了，盼著在 NAND 價(jià)格飆升之際大賺一筆。

DRAM，跌幅收斂

再看 DRAM 市場(chǎng)在今年第二季度的價(jià)格走向。

先說(shuō)結(jié)論，盡管 DRAM 市場(chǎng)還沒(méi)有明確的漲價(jià)聲音傳出，但可以確定的是，第二季度DRAM市場(chǎng)價(jià)格跌幅將同步收斂。一般型 DRAM 價(jià)格跌幅將收斂至季減 0%-5%，若納入 HBM 計(jì)算，受惠于 HBM3e 12hi 逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增 3%-8%。

具體數(shù)據(jù)方面：

在PC DRAM領(lǐng)域，DDR4 價(jià)格走勢(shì)偏弱，環(huán)比下降 3%-8%；DDR5 價(jià)格環(huán)比基本持平。

在Server DRAM領(lǐng)域，DDR4 跌幅低于市場(chǎng)預(yù)期，環(huán)比下降 3%-8%；DDR5 價(jià)格也環(huán)比基本持平。

在Mobile DRAM領(lǐng)域，LPDDR4X 跌幅將收斂至季減 0%-5%；LPDDR5X 價(jià)格將季增 0%-5%。

在Graphics DRAM領(lǐng)域，GDDR6 跌勢(shì)將收斂至 3%-8%；GDDR7 價(jià)格將持平上季或緩跌，約下降 0%-5%。

在Consumer DRAM領(lǐng)域，DDR3 合約價(jià)環(huán)比持平，DDR4 合約價(jià)季增 0%-5%。

綜合來(lái)看，DRAM 的價(jià)格還未來(lái)到正向增長(zhǎng)區(qū)間。DRR5 的合約價(jià)格大約是從今年 2 月起持續(xù)上漲，LPDDR5X 的價(jià)格也相對(duì)穩(wěn)健，但 DDR4、DDR3、GDDR6 等產(chǎn)品還在給存儲(chǔ)市場(chǎng)「拖后腿」。

近日有研究機(jī)構(gòu)對(duì) 8 家相關(guān)企業(yè)進(jìn)行采訪后發(fā)現(xiàn)，很多觀點(diǎn)認(rèn)為「對(duì)賣家來(lái)說(shuō)，沒(méi)有能夠替代中國(guó)的市場(chǎng)，再加上受到低價(jià)的中國(guó)產(chǎn)品影響，價(jià)格正在下降」。關(guān)于接下來(lái)的DRAM價(jià)格，企業(yè)認(rèn)為可能要到下半年才會(huì)上漲的觀點(diǎn)居多。

HBM, 市場(chǎng)暴漲 880%

近日，SK 海力士表示未來(lái) AI 內(nèi)存的需求前景光明。

預(yù)計(jì)今年 HBM 在 SK 海力士 DRAM 總銷售額中的占比將超過(guò) 50%。SK 海力士 CEO 兼總裁

郭魯正表示：「大型科技公司正在擴(kuò)大投資，以確保在人工智能市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。由于圖形處理單元 (GPU) 和定制芯片 (ASIC) 的增加，我們預(yù)計(jì) HBM 的需求將出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)?！顾a(bǔ)充道，「今年的 HBM 市場(chǎng)預(yù)計(jì)將比 2023 年增長(zhǎng) 8.8 倍以上，另一種 AI 存儲(chǔ)器企業(yè)固態(tài)硬盤 (SSD) 市場(chǎng)預(yù)計(jì)也將增長(zhǎng) 3.5 倍」。此外，對(duì)于『DeepSeek 沖擊』，他持樂(lè)觀態(tài)度，并表示，如果各種 AI 生態(tài)系統(tǒng)被激活，將有助于在中長(zhǎng)期內(nèi)增加（對(duì) HBM 的）需求」。

為了繼續(xù)引領(lǐng) AI 市場(chǎng)，SK 海力士還將繼續(xù)準(zhǔn)備 CXL 等下一代技術(shù)和產(chǎn)品。郭魯正表示：「除了 HBM 以外，我們還準(zhǔn)備了 CXL、LPCAMM2、SOCAMM 等多種解決方案，從而不僅僅作為 AI 內(nèi)存供應(yīng)商，還能提供綜合解決方案?！?/p>

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商，蓄勢(shì)待發(fā)

如果說(shuō)，以前的存儲(chǔ)市場(chǎng)主要被國(guó)際廠商所包攬，如今國(guó)產(chǎn)廠商的強(qiáng)勢(shì)出擊，硬生生把這一格局，撕開(kāi)一道大口子。

在三星和 SK 海力士對(duì)華出口的存儲(chǔ)產(chǎn)品組合中，三星主要向中國(guó)供應(yīng) LPDDR、NAND Flash、圖像傳感器和顯示驅(qū)動(dòng)器 IC 等。SK 海力士則專注于 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷售。

從去年開(kāi)始，隨著國(guó)產(chǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)加劇，DDR3 和 DDR4 內(nèi)存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中國(guó)大陸的這一市場(chǎng)中逐漸淡出。

預(yù)計(jì)從今年夏季開(kāi)始，由于這些主要廠商的退出，市場(chǎng)上 DDR3 和 DDR4 的供應(yīng)將顯著減少。而這些需求的承接方，正是大批國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片公司。

因此，在存儲(chǔ)市場(chǎng)復(fù)蘇之際，國(guó)產(chǎn)廠商有望迎來(lái)新的機(jī)遇。

從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來(lái)看，國(guó)產(chǎn) NAND 產(chǎn)品近期漲價(jià)基本已成事實(shí)。

近日，一家國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組廠商負(fù)責(zé)人表示，今年所有存儲(chǔ)芯片原廠的價(jià)格都在漲。幾家存儲(chǔ)芯片原廠的報(bào)價(jià)，在同一時(shí)期內(nèi)都會(huì)比較接近，差異不會(huì)很大。其中，「小容量NAND是這一輪漲價(jià)里最先有反應(yīng)的品類，也是最早反彈的品種」。

目前存儲(chǔ)芯片制造商轉(zhuǎn)向大容量 NAND 生產(chǎn)，小容量 eMMC 等產(chǎn)品制造轉(zhuǎn)由模組廠商承擔(dān)，受原廠晶圓定價(jià)影響。比如佰維存儲(chǔ)、江波龍等模組廠商均基于原廠 NAND 推出 eMMC 產(chǎn)品。

因此，在小容量市場(chǎng)復(fù)蘇之際，這兩家公司將同步受益。

佰維存儲(chǔ)在接受 23 家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，公司 BGASSD 已通過(guò) Google 準(zhǔn)入供應(yīng)商名單認(rèn)證；在 PC 存儲(chǔ)領(lǐng)域，公司 SSD 產(chǎn)品目前已經(jīng)進(jìn)入聯(lián)想、宏碁、惠普、同方等國(guó)內(nèi)外知名 PC 廠商，此前佰維存儲(chǔ)就表示，其旗下 SP406/416 系列企業(yè)級(jí) PCIe4.0SSD、SS621 系列企業(yè)級(jí) SATASSD，與聯(lián)想服務(wù)器完成兼容性測(cè)試并獲認(rèn)證，強(qiáng)化企業(yè)級(jí)市場(chǎng)布局。

技術(shù)研發(fā)層面，3 月初，佰維存儲(chǔ)宣布，其自研的 eMMC 主控芯片 SP1800 已完成批量驗(yàn)證支持 QLC 顆粒并針對(duì)智能穿戴設(shè)備優(yōu)化功耗，同時(shí)具備端到端數(shù)據(jù)保護(hù)能力，適用于車規(guī)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景。

據(jù)悉，2024 年，佰維存儲(chǔ)智能穿戴存儲(chǔ)業(yè)務(wù)收入同比大幅增長(zhǎng)，2025 年將深化與 Meta 等客戶在 AI 眼鏡領(lǐng)域的合作。

江波龍近日正式向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H 股），并在香港聯(lián)交所主板掛牌上市的申請(qǐng)。目前，江波龍?jiān)诋a(chǎn)品布局上持續(xù)發(fā)力，其首顆 32Gbit 2D MLC NAND 完成流片驗(yàn)證，覆蓋 SLC/MLC 多容量產(chǎn)品，適用于網(wǎng)絡(luò)通信、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該公司目前擁有嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)和內(nèi)存條四大產(chǎn)品線，經(jīng)營(yíng)三個(gè)主要品牌，分別是 FORESEE、Zilia、雷克沙。

其次，目前國(guó)內(nèi)多家芯片廠商布局 NAND 存儲(chǔ)芯片。包括兆易創(chuàng)新、東芯股份、江波龍等。不過(guò)，兆易創(chuàng)新、東芯股份 NAND 產(chǎn)品均為 2D SLC NAND。而本輪 NAND 漲價(jià)主要以 3D NAND 產(chǎn)品為主，而 2D NAND 今年價(jià)格始終平穩(wěn)，未見(jiàn)明顯價(jià)格拐點(diǎn)。

DRAM 方面，北京君正于投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司正在積極推進(jìn) DRAM 產(chǎn)品的更新迭代，采用 20nm 工藝的新產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在 2025 年推出樣品，后續(xù)還將陸續(xù)推出更新工藝的 DRAM 產(chǎn)品。此外，北京君正還計(jì)劃在 20nm 工藝產(chǎn)品之后，繼續(xù)推進(jìn)更先進(jìn)工藝的 DRAM 產(chǎn)品研發(fā)。

存儲(chǔ)龍頭，期待回春

在剛剛過(guò)去的第一季度，存儲(chǔ)巨頭們過(guò)的可并不算如意。

美光：存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收狂跌20%

近日，美光發(fā)布了截至 2025 年 2 月 27 日的 2025 財(cái)年第二財(cái)季財(cái)報(bào)，盡管在這一季度中美光實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 80.5 億美元，同比增長(zhǎng) 38%。但單拎出來(lái)其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門（SBU）看，可以發(fā)現(xiàn)美光也面臨著存儲(chǔ)市場(chǎng)逆風(fēng)的壓力。

財(cái)報(bào)顯示，美光 SBU 營(yíng)收 14 億美元，環(huán)比下降 20%。

三星、SK海力士：對(duì)華出口暴跌

2024 年，韓國(guó)芯片出口總額高達(dá) 1330 億美元，其中近四成來(lái)自中國(guó)訂單。

去年，三星和 SK 海力士這兩家公司依托中國(guó)《推動(dòng)大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品以舊換新行動(dòng)方案》相關(guān)舉措，在華銷售額實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。

三星電子 3 月 12 日公布的業(yè)務(wù)報(bào)告顯示，公司去年對(duì)華出口額同比增加 53.9%，為 64.9275 萬(wàn)億韓元，超過(guò)對(duì)美出口額 61.3533 萬(wàn)億韓元。在公司對(duì)華出口額中，芯片銷售占絕大部分。另?yè)?jù)三星電子審計(jì)報(bào)告數(shù)據(jù)，公司在中國(guó)西安的 NAND 工廠（銷售額 11.1802 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 1.1954 萬(wàn)億韓元）和上海的半導(dǎo)體銷售分公司（銷售額 30.0684 萬(wàn)億韓元）去年銷售額也大幅提升。

SK 海力士同樣在中國(guó)市場(chǎng)取得了穩(wěn)健增長(zhǎng)。其無(wú)錫 DRAM 工廠去年不僅成功扭虧為盈，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到 5985 億韓元，銷售額也同比增長(zhǎng) 64.3%，凈利潤(rùn)同比大增 65.4%。SK 海力士在中國(guó)的銷售額為 5.6 萬(wàn)億韓元，較前年有所增加。

暴漲之后，在 2025 年開(kāi)年，形勢(shì)急轉(zhuǎn)直下。

最新數(shù)據(jù)顯示，今年一月，韓國(guó)對(duì)華芯片出口暴跌 22.5%，2 月跌幅擴(kuò)大至驚人的 31.8%。行業(yè)預(yù)測(cè)，3 月跌幅可能突破 30%，芯片出口量或?qū)?chuàng)十年新低。

"以前是訂單接到手軟，現(xiàn)在倉(cāng)庫(kù)堆滿芯片賣不出去。"韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)人士近日感嘆，這個(gè)曾憑借存儲(chǔ)芯片傲視全球的產(chǎn)業(yè)，正經(jīng)歷著前所未有的寒冬。

三星、美光、SK 海力士等廠商此前已經(jīng)退出 SLC NAND Flash 市場(chǎng)。出于成本效率因素考慮，市場(chǎng)預(yù)計(jì)后續(xù)海外存儲(chǔ)原廠可能逐漸退出 MLC NAND Flash 市場(chǎng)。隨著國(guó)際巨頭的逐漸淡出，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)公司的發(fā)揮空間便更大了。

隨著三大存儲(chǔ)龍頭逐步轉(zhuǎn)向附加值更高的 HBM、DDR5 等領(lǐng)域。上個(gè)月，SK 海力士宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 12 層（12Hi）HBM4 內(nèi)存，并在全球率先向主要客戶出樣了 12Hi HBM4。

AI 大模型訓(xùn)練催生海量算力需求，HBM 在 DRAM 市場(chǎng)的占比已近 30%，預(yù)計(jì)到 2026 年 HBM4 將推動(dòng)定制化需求爆發(fā)。英偉達(dá)、AMD 的新品發(fā)布周期，與三星、SK 海力士的技術(shù)迭代形成共振，在此背景下，國(guó)際存儲(chǔ)龍頭便可在存儲(chǔ)市場(chǎng)的復(fù)蘇浪潮中享受更為豐厚的紅利。