三大內存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產能

　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內存供貨將短缺，沖擊產品上市或出貨時程。

　　集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴重。

　　業(yè)界表示，三大內存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM和NAND Flash低，但沒它不行。

　　三大內存今年創(chuàng)下歷年最缺且漲勢最久紀錄，同時缺貨更是以前沒有的情況。 隨蘋果新手機即將上市，三大內存優(yōu)先供貨給蘋果，非蘋陣營也積極備貨，業(yè)界預期，三大內存下半年缺貨比上半年更嚴重。

　　市場原擔心內存價格漲勢已到高峰，但近期多家外資機構同聲出具報告喊多，強調內存供應不求，到明年都還不會紓解，預料產業(yè)景氣可旺到明年，而韓國內存也傳出缺工，都使內存缺貨短期難解。

　　外電近期引用摩根士丹利分析師出具的報告，強調拜會運算端客戶后發(fā)現(xiàn)，內存短缺情況好轉，但市場仍然暢旺，尤期云端客戶仍持續(xù)缺貨，供給會一路吃緊到明年，第四季移動DRAM價格將續(xù)漲。

　　此外，目前的DRAM和NAND Flash現(xiàn)貨價走勢持平，也是高于合約價，都讓合約價還有調漲空間。 大摩看好美光具有優(yōu)勢。 主因美光的NAND Flash成本結構大幅改善，未來還會繼續(xù)降低。

　　多位分析師參加在美國加州舉行的閃存峰會，也注意到NAND持續(xù)短缺。 他們發(fā)現(xiàn)，盡管多家廠商提高資本支出，但因技術難度升高，NAND flash供給仍吃緊。 業(yè)界增加的資本支出主要用于增加晶圓層數，而非擴充晶圓產能，預估NAND flash供不應求情況會延續(xù)到2018年。

　　根據韓媒報導，三星電子、SK海力士礙于南韓新頒布的學生不得加班法令，滿手訂單卻陷入缺工困境，正急著大舉招募新人幫手。