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rf-ic 文章 最新資訊

IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào) 9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)

  •   目前模擬、存儲(chǔ)器、PC芯片及其它,雖不能言己下降,但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢(shì)。   VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開始熱了一陣之后,目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說(shuō)工業(yè)開始減緩,停頓或者是可怕的再次下降,也可能都不對(duì)。   換言之,IC市場(chǎng)已經(jīng)開始變?nèi)酰氐秸5睦硇栽鲩L(zhǎng)循環(huán)周期。   之所以如此,因?yàn)?月的銷售額可能預(yù)示IC產(chǎn)業(yè)在今年的最后一個(gè)季度,包括明年的態(tài)勢(shì)有眾多的不確定性。   Hutcheson說(shuō),人們常說(shuō)從9月可看全年。而今年的9月已真的轉(zhuǎn)弱,而
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富士通戰(zhàn)略投資Tensilica折射出什么信號(hào)?

  •   本周二,Tensilica宣布富士通公司成為其戰(zhàn)略投資者,但是沒有透露富士通具體的投資數(shù)目。兩家公司在聲明中只是輕描淡寫地評(píng)論了Tensilica DPU的優(yōu)勢(shì)并沒有就合作的具體內(nèi)容和未來(lái)發(fā)展進(jìn)行闡述,這里結(jié)合個(gè)人的研究分析這個(gè)舉動(dòng)的背后意圖。   信號(hào)1: 日系半導(dǎo)體廠商高舉高打,看重LTE基帶市場(chǎng)   目前,在手機(jī)基帶領(lǐng)域,目前主要的玩家是歐美廠商和中國(guó)廠商,大家言必提高通、MTK、博通、ST-Ericsson等等,日系廠商很少進(jìn)入大家的眼界,不過未來(lái),在LTE時(shí)代,日系廠商已經(jīng)完成布局,估計(jì)
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大悲大喜 最牛反彈之后走向何方?

  •   2008年至2009年,IC芯片市場(chǎng)在自身周期與宏觀經(jīng)濟(jì)的雙重壓力下陷入深淵,產(chǎn)業(yè)所經(jīng)歷的痛苦與磨難至今仍讓人記憶猶新。如今2010年已經(jīng)過半,在全球經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇前景仍未明朗之際,芯片市場(chǎng)卻獲得了超預(yù)期的反彈。   08-09這輪市場(chǎng)震蕩可謂是空前的。從全球晶圓出貨面積指數(shù)(圖1)中可以看到,晶圓出貨量在08年第四季度自由落體式地下跌,產(chǎn)業(yè)充斥著裁員、關(guān)廠、破產(chǎn)的消息。直到09年第一季度,市場(chǎng)跌到了谷底,開始有企穩(wěn)跡象,但業(yè)界對(duì)反彈的前景非常謹(jǐn)慎。筆者清楚地記得在SEMICON China 2009的
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如何擴(kuò)展低功耗RF設(shè)備通信距離

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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鋰電池充電保護(hù)IC原理

  • 鋰離子電池因能量密度高,使得難以確保電池的安全性。具體而言,在過度充電狀態(tài)下,電池溫度上升后能量將過剩,于是電解液分解而產(chǎn)生氣體,因內(nèi)壓上升而導(dǎo)致有發(fā)火或破裂的危機(jī)。反之,在過度放電狀態(tài)下,電解液因分
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RF芯片IA4420在無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸中的應(yīng)用

  • IA4420/21是射頻收發(fā)一體芯片,IA4420工作在315/433/868/915MHz頻段,IA4421工作在 433/868/915MHz頻段。芯片的工作電壓為2.2~5.4V,采用低功耗模式,待機(jī)電流為0.3mu;A,采用FSK調(diào)制模式,發(fā)射功率為 5~8dbm,接
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LSI推出業(yè)界最高服務(wù)器 RAID 性能的6Gb/s SAS RoC

  •   日前,LSI 公司 宣布將向 OEM 客戶推出最新款 6Gb/s SAS 片上 RAID (ROC) IC,與其前代產(chǎn)品相比,該解決方案實(shí)現(xiàn)了 RAID 5 隨機(jī)每秒輸入/輸出 (IOPS) 超過兩倍的性能提升。LSISAS2208 雙核 SAS ROC 設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化當(dāng)今服務(wù)器平臺(tái)中固態(tài)驅(qū)動(dòng)器 (SSD) 的使用,同時(shí)無(wú)需在性能與可靠性之間做出權(quán)衡取舍。此外,隨著今后 PCI Express® 3.0 規(guī)范的推出,該產(chǎn)品還可輕松升級(jí)到未來(lái)的服務(wù)器平臺(tái)上。   LSI 存儲(chǔ)組件事業(yè)部高級(jí)營(yíng)銷總
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面向新式 uP 的高性能、高集成度電源 IC :打入工

  • 面向新式 uP 的高性能、高集成度電源 IC :打入工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng),背景飛思卡爾、邁威爾、ARM 和其它半導(dǎo)體廠商設(shè)計(jì)的高電源效率微處理器 (uP/CPU) 系列在日益擴(kuò)充,目的是為多種無(wú)線、嵌入式和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供低功耗和高性能的處理能力。這些微處理器產(chǎn)品開始時(shí)的設(shè)計(jì)意圖是幫助消費(fèi)電
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IC卡設(shè)備驅(qū)動(dòng)模塊的代碼

  •   面以我們采用的公用電話機(jī)通用的IC卡為例,通過已實(shí)現(xiàn)代碼來(lái)說(shuō)明整個(gè)IC卡設(shè)備驅(qū)動(dòng)模塊?! ?1)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的確定  編輯頭文件ICDATA.H,確定在驅(qū)動(dòng)模塊程序中應(yīng)用的公用數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。驅(qū)動(dòng)模塊的最終目的是讀取和寫入
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Gartner:今年半導(dǎo)體設(shè)備支出將達(dá)369億美元

  •   市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估,今年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出可望達(dá)到369億美元,較去年166億美元大幅增長(zhǎng)122.1%,全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出在2012年以前仍將維持成長(zhǎng)走勢(shì),2011年、2012年預(yù)估將達(dá)386.97億美元、432.66億美元。   Gartner副總裁Klaus Rinnen表示,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2010年呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng),帶動(dòng)半導(dǎo)體資本支出的空前成長(zhǎng)佳績(jī)。由于晶圓代工和邏輯IC的大幅支出,加以記憶體制造商追求技術(shù)升級(jí),資本支出年增長(zhǎng)率超過95%。而2011年,資本支出增長(zhǎng)率預(yù)期將減緩至
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RF中穩(wěn)定閉環(huán)自動(dòng)功率控制設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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電流反饋運(yùn)算放大器在RF中作用

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: 電流反饋  運(yùn)算放大器  RF  緩沖器  

韋爾半導(dǎo)體:突破IC細(xì)分領(lǐng)域

  •   半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)知識(shí)和資本密集型的行業(yè),全球領(lǐng)先的企業(yè)都是英特爾、三星電子、德州儀器這樣的巨頭,這個(gè)行業(yè)的初創(chuàng)公司幾乎都是在風(fēng)險(xiǎn)資本的支持下發(fā)展起來(lái)的,并且早期就投入一千萬(wàn)美元以上的公司屢見不鮮,而創(chuàng)建于2006年的韋爾半導(dǎo)體卻完全靠創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)的投入和公司滾動(dòng)發(fā)展起來(lái)的。   和多數(shù)集成電路(IC)設(shè)計(jì)公司不同,韋爾半導(dǎo)體的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)幾乎都是以分銷行業(yè)出身,而不是做技術(shù)的。“我們很清楚市場(chǎng)需要什么樣的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)又比較缺,因此就確定要做哪些產(chǎn)品,然后按照需求去找的人。”副總裁馬劍秋
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IC芯片的晶圓級(jí)射頻(RF)測(cè)試

  •   對(duì)于超薄介質(zhì),由于存在大的漏電和非線性,通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而,使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn),對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路,RF電
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臺(tái)灣MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況分析

  •   針對(duì)2010年微機(jī)電(MEMS)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展概況,臺(tái)系MEMS晶圓廠探微科技副董事長(zhǎng)兼執(zhí)行長(zhǎng)胡慶建認(rèn)為,相較于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)1年產(chǎn)值約有2,000億美元,MEMS則僅有70億美元左右,相較之下MEMS的規(guī)模仍小。   但即便如此,臺(tái)積電、聯(lián)電等半導(dǎo)體大廠也積極布局中。然因MEMS技術(shù)難以標(biāo)準(zhǔn)化,故除了晶圓端仍有技術(shù)的挑戰(zhàn)外,封測(cè)也是一大議題。   胡慶建表示,從目前MEMS產(chǎn)業(yè)來(lái)看,不難發(fā)現(xiàn),仍僅有MEMS產(chǎn)業(yè)的龍頭業(yè)者在主導(dǎo)整個(gè)市場(chǎng),其中多于整合組件廠(IDM),主要即是因技術(shù)的問題。MEMS大廠
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