性能 文章 最新資訊
Intel 18A制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光：性能與密度全面提升
- 據(jù)報(bào)道，在2025年英特爾代工大會(huì)及VLSI研討會(huì)上，英特爾進(jìn)一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。Intel 18A采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術(shù)，相比FinFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了重大突破。這一技術(shù)不僅提升了柵極靜電性能，還顯著降低了寄生電容，提高了設(shè)計(jì)靈活性。同時(shí)，Intel 18A率先引入了PowerVia背面供電技術(shù)，該技術(shù)將單元密度和利用率提升了5%-10%，并顯著降低了供電電阻，使ISO功率性能提升4%。與Intel 3工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能
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提高傳感器性能的簡單方法有哪些？
- 雖然通常不可能提高傳感器的實(shí)際性能，但通過適當(dāng)?shù)倪x擇、系統(tǒng)設(shè)計(jì)和集成，在系統(tǒng)級別提高傳感器性能是非?？赡艿??？捎糜趥鞲衅餍阅軆?yōu)化的工具包括選擇、放置、作和信號調(diào)節(jié)/處理。首先選擇具有適當(dāng)范圍、分辨率、靈敏度、精度、響應(yīng)時(shí)間和其他性能規(guī)格的傳感器。在設(shè)計(jì)過程中，盡量減少/管理噪聲和干擾源。到達(dá)現(xiàn)場后，定期校準(zhǔn)可能很重要。傳感器性能支柱與優(yōu)化傳感器系統(tǒng)作相關(guān)的挑戰(zhàn)可能很復(fù)雜，但可以分為四個(gè)主要考慮因素：選擇、放置、作和數(shù)據(jù)處理（圖 1）。優(yōu)化每個(gè)性能支柱可以通過回答一系列五個(gè)問題來設(shè)想：目標(biāo)是什么？為什么測量
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混合動(dòng)力汽車也是超級跑車：強(qiáng)調(diào)性能，而不是里程
- 除了有四個(gè)輪子之外，很難看出 30,000 美元的豐田凱美瑞與 300 萬美元的法拉利 F80 有什么共同之處。但這些市場擋是一場不為人知的技術(shù)革命的例子。從經(jīng)濟(jì)型交通工具到超級跑車，每類內(nèi)燃機(jī)汽車現(xiàn)在都在利用混合動(dòng)力技術(shù)。在“隨著電動(dòng)汽車銷售停滯不前，插電式混合動(dòng)力車重新啟動(dòng)”中，我描述了這一新混合動(dòng)力熱潮的先鋒：增程式電動(dòng)汽車，如 2025 Ram 1500 Ramcharger，其續(xù)航里程超過 1,000 公里。世界領(lǐng)先的高性能品牌也在采用混合動(dòng)力電動(dòng)汽車技術(shù)，這不僅是為了減少排放或提高效率，還因?yàn)?/li>
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英偉達(dá)H20現(xiàn)身基準(zhǔn)測試：內(nèi)核數(shù)量相比H100減少41%，性能降低28%
- 去年英偉達(dá)為了適應(yīng)美國政府對尖端人工智能（AI）芯片新的出口管制，推出中國特供版的H20計(jì)算卡，基于Hopper架構(gòu)打造，取代了以往銷售的A800和H800。雖然性能有不小的下降，但是可以滿足部分客戶的使用需求，而英偉達(dá)也獲得了更多的收益。至于H20和全球范圍內(nèi)熱賣的H100之間規(guī)格有多大差異，具體性能差多少，英偉達(dá)并沒有透露。據(jù)Wccftech報(bào)道，H20現(xiàn)身Geekbench 6數(shù)據(jù)庫，顯示其配備了78組SM。搭載GH100芯片完整的配置為144組SM，不過實(shí)際的H100產(chǎn)品中沒有全部打開，其
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世界最慢的PC誕生 單核跑分不到13900K的百分之一
- 電腦裝機(jī)，大部分人的訴求是預(yù)算一定的情況下，性能越快越好，然而現(xiàn)在有人反其道行之，裝出來一套世界最慢的PC電腦，R15單核跑分只有17分，這個(gè)性能連酷睿i9-13900K的百分之一都沒有。這臺(tái)最慢PC是PCWorld 執(zhí)行編輯 Gordon Mah Ung搞出來的，雖然是追求最差性能，但他使用的配件并非很古老的，而是一些很奇特甚至口碑不好的，比如電源是Gigabyte P750GM，以容易爆炸著稱。主板是少見的BTX規(guī)格，來自戴爾臺(tái)式機(jī)，處理器是賽揚(yáng)D，由于散熱器太過巨大，以致于顯卡都沒法安裝，F(xiàn)ury
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代工價(jià)格高達(dá)14萬元 臺(tái)積電3nm真實(shí)性能大縮水：僅比5nm好了5%
- 臺(tái)積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm，3nm工藝因?yàn)榉N種原因一直推遲，9月份就說量產(chǎn)了，又說年底量產(chǎn)，不過這個(gè)月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了。根據(jù)臺(tái)積電之前的消息，3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的，但是這版工藝遭到客戶棄用，很大可能就放棄了，明年直接上N3E工藝。對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍，對比N5同等性
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討論差分信號鏈在3G和4G無線應(yīng)用中的性能和優(yōu)點(diǎn)
- 通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)的主要挑戰(zhàn)之一是如何成功捕獲高保真度信號。為了避免強(qiáng)干擾效應(yīng)、信號失真和靈敏度降低，蜂窩通信系統(tǒng)必須滿足蜂窩標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格要求，比如
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妙用\"虛擬遠(yuǎn)端采樣\"改善負(fù)載調(diào)節(jié)性能（二）
- 改良工業(yè)應(yīng)用VRS 還可以用來簡化工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)改良。例如，一對電源線可用于新設(shè)備，但是負(fù)載端調(diào)節(jié)不符合設(shè)備規(guī)范要求。這時(shí)VRS可以非常容易地用來控
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妙用\"虛擬遠(yuǎn)端采樣\"改善負(fù)載調(diào)節(jié)性能（一）
- 當(dāng)電源和負(fù)載之間存在較大壓降時(shí)，準(zhǔn)確調(diào)節(jié)負(fù)載電壓可能很難。即使穩(wěn)壓器在自己的輸出端產(chǎn)生非常穩(wěn)定的電壓，負(fù)載電流的變化也會(huì)影響沿導(dǎo)線產(chǎn)生的IR壓
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LED驅(qū)動(dòng)電源綜合性能比較
- 作為一名LED驅(qū)動(dòng)電源研發(fā)工程師，在平時(shí)的工作中，你更喜歡線性電源還是阻容降壓電源呢?這兩種LED電源的綜合性能究竟誰更勝一籌呢?在今天的文章中，我
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性能介紹
性能-介紹 作為中藥學(xué)術(shù)語應(yīng)用時(shí)，泛指藥物的四氣、五味、歸經(jīng)、升降沉浮、補(bǔ)瀉等特性和功能。
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