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為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
關鍵字：碳化硅 Cascode JFET 碳化硅安森美

速看！SiC JFET并聯(lián)設計白皮書完整版

隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://www.2s4d.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://www.2s4d.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結(jié)果。演
關鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設計

SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！

隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設計。簡介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實際上也是通過并聯(lián)芯片實現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
關鍵字： JFET Cascode 功率半導體

從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù)，基于雙極結(jié)型晶體管（B
關鍵字： SiC Cascode JFET AC-DC

安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動器。綜合這
關鍵字：安森美碳化硅JFET SiC JFET 數(shù)據(jù)中心電源

安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)

據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
關鍵字：安森美收購 Qorvo SiC JFET

很基礎的MOS管知識

半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發(fā)現(xiàn)，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結(jié)型場效應管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場效應管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFE
關鍵字：三極管 MOSFET JFET

還分不清結(jié)型場效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)

JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
關鍵字：結(jié)型場效應管 jfet MOSFET 電路設計

結(jié)型場效應管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷

今天給大家講講結(jié)型場效應管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單，因為只有一個PN結(jié)要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結(jié)型場效應管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應晶體管的基極，源極對應晶體管的發(fā)射極，漏極對應晶體管的集電極。在這之前講過關于三極管測好壞的方法，極性的判斷。可以點擊標題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測量方法和管腳辨別方法，一文總結(jié)，幾分鐘教你學會將萬用表設置為“R×1k”，用兩根表筆測量每兩個引腳之間的正反向電阻。當兩個引腳的正反向電阻均為幾千歐
關鍵字：結(jié)型場效應管 jfet 電路設計

晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
關鍵字：晶體管 NPN PNP MOSFET JFET

如何成為硬件高手

　　摘要：駕駛著進取號電子飛船，從發(fā)射區(qū)進入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風順，阻力重重的負載中到處碰壁……　　古人學問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認為看后就能成為高手，當然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹以過往經(jīng)歷和拙見與在校學生朋友和剛工作的工程師分享共勉?！　±碚搶W習　　沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
關鍵字：仿真 JFET

結(jié)型場效應管(JFET)的基礎知識

　　結(jié)構(gòu)與符號：　　? ?　　在N區(qū)兩側(cè)擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s?！　щ娫恚骸　? ?　　(1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大?！　?2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄?！　‘擵GS
關鍵字： JFET

CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

　　由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到，這個事實還與很多其它的原因相關?！　MOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時候，漏電流匹配的相當好，僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
關鍵字： CMOS JFET

場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂

一、場效應管的工作原理- -概念　　場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。二、
關鍵字：場效應管 MOS JFET 場效應管工作原理

挑戰(zhàn)毫微安小電流測量技術(shù)

幾千種應用都需要測試小電流的電路，最常見的是測量二極管受光照射所產(chǎn)生的光電電流。一些科學應用（如CT...
關鍵字：毫微安電流電流測量 JFET CMOS

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jfet介紹

　　最早具有實際結(jié)構(gòu)的場效應晶體管是在N型或者P型半導體基片上制作一對PN結(jié)及相應的金屬電極，兩個PN結(jié)之間有導電溝道，通過改變外加PN界的反向偏置電壓，以改變PN結(jié)耗盡層的厚度，從而達到改變溝道區(qū)載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場效應管也被稱為PN結(jié)型場效應晶體管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也稱JFET。　　什么是 JFET 　　一種單極的三層晶 [ 查看詳細 ]