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如何成為硬件高手
- 摘要:駕駛著進取號電子飛船,從發(fā)射區(qū)進入充滿黑洞的基區(qū),一些同伴被黑洞束縛,一些擄去另一世界,你幸運地躲過一劫飛到集電結(jié),受到強大的吸力快速渡越出集電區(qū),漫游在低阻導線上,松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風順,阻力重重的負載中到處碰壁…… 古人學問無遺力,少壯工夫老始成。若問硬件速成法,猶似浮沙立大廈。千萬別認為看后就能成為高手,當然筆者亦非高手,水滴石穿又豈是朝夕之功!謹以過往經(jīng)歷和拙見與在校學生朋友和剛工作的工程師分享共勉?! ±碚搶W習 沒有滿腹經(jīng)綸,何能出口成章。但覺得書海茫茫,不知從何
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結(jié)型場效應管(JFET)的基礎知識

- 結(jié)構(gòu)與符號: ? ? 在N區(qū)兩側(cè)擴散兩個P+區(qū),形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)相連,引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。 導電原理: ? ? (1)VGS=0時,N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后,溝道中的電流最大?! ?2)VGS<0時,耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬),并向溝道中間延伸,溝道變窄?! ‘擵GS
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場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂

- 一、場效應管的工作原理- -概念 場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱,由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電,也稱為單極性場效應管,是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件,場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點,而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω,噪聲低,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強,且比后者耗電省,這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字: 場效應管 MOS JFET 場效應管工作原理
Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
- 關(guān)鍵字: Power Integrations SiC二極管 JFET
jfet介紹
最早具有實際結(jié)構(gòu)的場效應晶體管是在N型或者P型半導體基片上制作一對PN結(jié)及相應的金屬電極,兩個PN結(jié)之間有導電溝道,通過改變外加PN界的反向偏置電壓,以改變PN結(jié)耗盡層的厚度,從而達到改變溝道區(qū)載流子密度以控制溝道輸出電流的目的,因此,這種場效應管也被稱為PN結(jié)型場效應晶體管,即PN JFET(PN Junction FET),通常也稱JFET。
什么是 JFET
一種單極的三層晶 [ 查看詳細 ]
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