英飛凌重返SiC JFET，實現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。

JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。

G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路和雪崩故障條件下提供高穩(wěn)健性。

在熱應(yīng)力、過載和故障條件下可預(yù)測的開關(guān)行為可在連續(xù)運(yùn)行中提供最大的長期可靠性。

CoolSiC JFET 最大限度地減少了導(dǎo)通損耗，提高了固體關(guān)斷能力，并提供了高穩(wěn)健性。強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性和精確的過壓控制可實現(xiàn)可靠和高效的系統(tǒng)性能。

這可用于廣泛的工業(yè)和汽車應(yīng)用，包括固態(tài)斷路器 （SSCB）、AI 數(shù)據(jù)中心熱插拔、電子保險絲、電機(jī)軟啟動器、工業(yè)安全繼電器和汽車電池斷路開關(guān)。

“憑借 CoolSiC JFET，我們滿足了對更智能、更快速、更強(qiáng)大的配電系統(tǒng)日益增長的需求，”英飛凌科技綠色工業(yè)電源部門總裁 Peter Waver 博士說?！斑@種應(yīng)用驅(qū)動的功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過專門設(shè)計，旨在為我們的客戶提供解決這個快速發(fā)展的領(lǐng)域中復(fù)雜挑戰(zhàn)所需的工具。我們很自豪地推出實現(xiàn)一流 R DS（ON） 的器件，為 SiC 性能樹立了新標(biāo)準(zhǔn)，并再次肯定了英飛凌在寬帶隙技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

這些器件使用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝，可輕松并聯(lián)和擴(kuò)展電流處理，從而實現(xiàn)具有靈活布局和集成選項的緊湊型高功率系統(tǒng)。英飛凌 .XT 互連技術(shù)采用擴(kuò)散焊接技術(shù)，可應(yīng)對惡劣應(yīng)用環(huán)境的熱和機(jī)械挑戰(zhàn)。這顯著提高了工業(yè)電力系統(tǒng)典型的脈沖和循環(huán)負(fù)載下的瞬態(tài)熱阻和穩(wěn)健性。

CoolSiC JFET 系列的工程樣品將于 2025 年晚些時候提供，并于 2026 年開始量產(chǎn)。產(chǎn)品組合將進(jìn)一步擴(kuò)展，提供各種封裝和模塊。