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hyper-na euv 文章 最新資訊

美國、日本領導政府支持的光刻機(EUV)推廣，韓國據(jù)報道落后

  • 根據(jù)韓國媒體 outlet ETNews 的報道，美國和日本正積極通過政府主導的舉措將極紫外(EUV)光刻機引入公共研究機構。相比之下，韓國政府在這一領域的推動工作落后于美國和日本，報道暗示。美國 – 國家半導體技術中心加速 EUV 技術采用報告援引行業(yè)消息人士稱，美國國家半導體技術中心（NSTC）已在紐約的阿爾巴尼納米技術園區(qū)完成了 EUV 光刻設備的安裝，并計劃從 2025 年 7 月開始為企業(yè)提供服務。報告還指出，據(jù)稱 NSTC 計劃在 2026 年推出高 NA EUV 設備——
  • 關鍵字： EUV  光刻機  

半導體巨頭對high-NA EUV態(tài)度分化

  • 據(jù)外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出了挑戰(zhàn)。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV光刻機在先進制程中扮演關鍵角色，通過曝光步驟將電路設計轉印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結構。然而，該英特爾高層認為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結構的發(fā)展，芯片制造將更依賴蝕刻技術，而非單純
  • 關鍵字： 半導體  high-NA EUV  

ASML研發(fā)5納米分辨率Hyper NA光刻機

  • 據(jù)外媒報道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動研發(fā)分辨率可達5納米的Hyper NA光刻機設備。ASML技術執(zhí)行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機將滿足2035年及之后的芯片制造需求。目前，ASML剛剛開始出貨最先進的光刻機，其單次曝光分辨率可達8納米，相比舊款設備需要多次曝光才能實現(xiàn)類似效果。Benschop還提到，ASML正與蔡司進行設計研究，目標是開發(fā)數(shù)值孔徑（NA）達到0.7或更高的系統(tǒng)。數(shù)值孔徑是衡量光學系統(tǒng)聚焦能力的重要指標，直接影響光刻分辨率。NA越高，光波長
  • 關鍵字： ASML  5納米  Hyper NA  光刻機  

臺積電重申1.4nm級工藝技術不需要高數(shù)值孔徑EUV

  • 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術。為此，TSMC 不會為這些節(jié)點采用 High-NA EUV 工具。“當臺積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯(lián)席首席運營官兼業(yè)務發(fā)展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
  • 關鍵字： 臺積電  1.4nm  高數(shù)值孔徑  EUV  

臺積電保持觀望 ASML最新EUV機臺只賣了5臺

  • 荷蘭阿斯麥（ASML）全新機臺卻讓臺積電望之卻步！ 英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設備性能強大，但因這款機臺單價高達4億美元，臺積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暫時沒有計畫在A14及其后續(xù)制程中導入。路透27日報導，這款先進機臺價格逼近4億美元，幾乎是晶圓廠現(xiàn)有最昂貴設備的兩倍。 目前，各家芯片制造商正在仔細評估，這款設備在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的價格。臺積電技術開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強表示，即便不使用High-N
  • 關鍵字： 臺積電  ASML  EUV  機臺  

臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來會使用

  • 全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在評估何時將 ASML 的尖端高數(shù)值孔徑 （NA） 機器用于其未來的工藝節(jié)點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和精度優(yōu)勢何時會超過芯片制造廠中最昂貴的設備幾乎翻倍的價格標簽。當被問及臺積電是否計劃將這臺機器用于其即將推出的 A14 和未來節(jié)點的增強版本時，Kevin Zhang 表示，該公司尚未找到令人信服的理由。“A14，我所說的增強，在不使用 High-NA 的情況下非?？捎^。因此，我們的技術團
  • 關鍵字： 臺積電  ASML  “High-NA”  

三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上

  • 據(jù) The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產。到目前為止，該公司一直在內部生產所有光掩模，以防止技術泄漏。Elec 表示，據(jù)報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應商，例如 i-line 和 KrF。與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進，將成為增強三星技術競爭力的關鍵。據(jù) Business Korea 援引消
  • 關鍵字： 三星  低端光掩模  ArF  EUV  

三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a，聚焦ArF和EUV等先進技術

  • 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內存芯片制造所需的光掩模生產業(yè)務進行外包。據(jù)稱，目前三星已啟動供應商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結果預計第三季度公布。TheElec 報道稱，三星準備將低端產品（i-
  • 關鍵字： 三星  外包芯片  光掩模  ArF  EUV  半導體  

ASML計劃在荷蘭大規(guī)模擴張，助力EUV設備交付

  • 據(jù)荷蘭媒體報道，ASML計劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產業(yè)園區(qū)。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發(fā)展計劃初步草案時透露的。這一擴張計劃引發(fā)了全球晶圓制造行業(yè)的廣泛關注。據(jù)Tom's Hardware報道，臺積電、英特爾和三星電子等半導體巨頭或將從中受益。ASML的擴張如果能按計劃推進，將有助于滿足全球對極紫外光（EUV）光刻設備的迫切需求，從而加速先進制程的開發(fā)與應用。Brainport產業(yè)園區(qū)的擴張計劃大約在一年前首次公開。據(jù)荷蘭消
  • 關鍵字： EUV  光刻機  ASML  

ASM宣布將啟動美國本土生產以應對關稅壓力

  • 據(jù)媒體報道，荷蘭半導體設備制造商ASM International（簡稱“ASM”）在2025年第一季度財報電話會議上宣布，將立即啟動在美國本土的生產計劃，以應對美國近期實施的關稅政策。今年4月初，美國總統(tǒng)特朗普簽署了一項“對等關稅”行政令，宣布對包括荷蘭在內的歐盟成員國加征25%的鋼鐵、鋁和汽車進口關稅，其他商品則面臨20%的關稅。這一政策覆蓋了歐盟對美出口的約70%，總價值高達5320億歐元。此外，特朗普還計劃對暫時豁免的藥品、半導體等產品單獨加征關稅。為避免關稅影響，ASM首席財務官Paul Ver
  • 關鍵字： ASML  EUV  芯片工具  

臺積電避免使用高NA EUV光刻技術

  • 根據(jù)臺積電北美技術研討會的報告，代工臺積電不需要使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會上介紹了 A14 工藝，稱預計將于 2028 年投產。之前已經(jīng)說過，A16 工藝將于 2026 年底出現(xiàn)，也不需要高 NA EUVL 工具?！皬?2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續(xù)保持類似的復雜性，”據(jù)報道，業(yè)務發(fā)展高級副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會上說。這與英特爾形成鮮明對比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實施一項計
  • 關鍵字： 臺積電  高NA  EUV  光刻技術  

地都賣了，三星電子與ASML半導體研發(fā)合作還能繼續(xù)嗎？

  • 三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區(qū)建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導體制造設備以保持三星在先進工藝制程技術的領先性。針對這次合作，ASML特別與韓國土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購買6個地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設研發(fā)中心。不過最近這項計劃可能出現(xiàn)了一些變動， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊，但ASML似乎沒有計劃在剩余的空間里與三星建立研發(fā)中心。 ASML 是
  • 關鍵字： 三星電子  ASML  EUV  

前英特爾CEO加入光刻技術初創(chuàng)公司

  • 近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔任董事會執(zhí)行董事長，xLight官網(wǎng)上個月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機開發(fā)基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統(tǒng)的初創(chuàng)公司。xLight雖然規(guī)模很小，但其團隊在光刻和加速器技術領域擁有多年的經(jīng)驗，不僅擁有來自斯坦福直線加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學學會粒子加速器科學
  • 關鍵字： 英特爾  EUV  ASML  xLight  LPP  FEL  光刻  

三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團隊 量產目標定于2029年

  • 2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術限制。一份新報告指出，該公司已經(jīng)成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據(jù)報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術的試產過程中
  • 關鍵字： 三星  1nm  芯片  臺積電  NA EUV  

ASML計劃在日本擴增五倍EUV芯片工具員工

  • 近日，荷蘭半導體設備制造商ASML宣布，計劃在日本將其先進的極紫外光（EUV）芯片工具的員工人數(shù)擴增五倍，這一舉措旨在加強其在全球半導體市場的競爭力。隨著全球對高性能芯片需求的激增，ASML的這一決策不僅能提升其在日本的業(yè)務運營，也將進一步推動當?shù)匕雽w產業(yè)的發(fā)展。ASML在全球的影響力不斷增強，特別是在EUV技術方面，該技術被認為是制造下一代高性能芯片的關鍵。隨著日本在半導體制造領域的持續(xù)投入，ASML的擴張計劃將有助于促進當?shù)厝瞬诺呐囵B(yǎng)及技術的進步。此外，ASML的擴展計劃正值日本其他半導體公司如Ra
  • 關鍵字： ASML  EUV  芯片工具  
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