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gan+sic 文章 最新資訊

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

  • 鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時(shí)，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個(gè)基本模塊互聯(lián)起來?；旌洗侥孀兤靼韵伦訅K：●? ?用于執(zhí)行最大功率點(diǎn)跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器?！? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電
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英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進(jìn)展

  • 隨著對 GaN 半導(dǎo)體的需求持續(xù)增長，Infineon Technologies AG 已準(zhǔn)備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領(lǐng)先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴(kuò)展 GaN 制造正在按計(jì)劃進(jìn)行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準(zhǔn)備來擴(kuò)大其客戶群并鞏固其作為領(lǐng)先 GaN 巨頭的地位。作為電力系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，該公司掌握了所有三種相關(guān)材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導(dǎo)體具有更高的功率密度、更快的開關(guān)速度和更低的功率
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GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出

  • 雖然臺積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標(biāo)志著 GaN 領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日報(bào)》的報(bào)道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報(bào)告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)相對簡單，不會對代工服務(wù)產(chǎn)生強(qiáng)勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報(bào) （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通?？吹降?/li>
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基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板

  • NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們設(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說明和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOL
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臺積電退出后英飛凌加快GaN推進(jìn) 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

  • 雖然臺積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強(qiáng)大的 IDM 模型，正在推進(jìn)其 300 毫米晶圓的可擴(kuò)展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計(jì)劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺積電計(jì)劃在 2027 年 7 月 31 日之前結(jié)束其 GaN 晶圓代工服務(wù)，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價(jià)格壓力是關(guān)鍵驅(qū)動因素。Liberty Times 補(bǔ)充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步退出其
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650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

  • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術(shù)的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關(guān)品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應(yīng)用中的損耗比領(lǐng)先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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臺積電無預(yù)警退出GaN市場 納微有望接手美國訂單

  • 國際功率半導(dǎo)體廠納微半導(dǎo)體于提交美國證券交易委員會（SEC）消息指出，臺積電將于2027年7月31日結(jié)束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，擬向力積電尋求產(chǎn)能支持。 對此，臺積電回應(yīng)表示，經(jīng)過完整評估后，決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)。臺積電透露，該決定是基于市場與臺積電公司的長期業(yè)務(wù)策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時(shí)，臺積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場持續(xù)創(chuàng)造價(jià)值; 而該項(xiàng)決定將不會影響之前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。業(yè)界認(rèn)為，臺積電此舉凸顯中國
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瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和T
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GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

  • EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運(yùn)行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進(jìn)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
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香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準(zhǔn)

  • 6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計(jì)劃」申請已獲得評審委員會批準(zhǔn)。獲批項(xiàng)目涉及在香港興建寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設(shè)施。項(xiàng)目總預(yù)算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計(jì)劃」資助。這筆資金預(yù)計(jì)將大大提升香港的先進(jìn)半導(dǎo)體制造能力，并加速其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運(yùn)營，同時(shí)
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基于SiC的熔絲保護(hù)高壓電氣系統(tǒng)

  • 在減少排放和實(shí)現(xiàn)凈零目標(biāo)的前進(jìn)道路上，碳化硅技術(shù)將在可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些應(yīng)用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機(jī)驅(qū)動器）或增強(qiáng)現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達(dá)到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應(yīng)用集成電氣系統(tǒng)，對電路保護(hù)的需求至關(guān)重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設(shè)計(jì)人員正在實(shí)施更強(qiáng)大的電路保護(hù)方法。僅限于保護(hù)線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負(fù)載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護(hù)線路并限制傳輸?shù)焦收县?fù)載的短路允通電流和能量，從而可以防止負(fù)載自身損壞。傳統(tǒng)電路
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Wise計(jì)劃將GaN和數(shù)字控制器封裝在一起

  • 法國電力初創(chuàng)公司 Wise Integration 正計(jì)劃推出一種帶有氮化鎵 （GaN） 晶體管的聯(lián)合封裝數(shù)字控制器，以簡化工業(yè)和數(shù)據(jù)中心 AI 電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。與此同時(shí)，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC） 的數(shù)字控制器。零電壓開關(guān) （ZVS） 開關(guān)算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中實(shí)現(xiàn)，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高達(dá) 2MHz 的開關(guān)，適用于更小的設(shè)計(jì)，效率高達(dá) 98%?！皩τ诠緛碚f，將這款數(shù)字控制器推向市場是一個(gè)重要
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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

  • 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理
  • 關(guān)鍵字： 安森美  SiC  Combo  JFET  

SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

  • 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高
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