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清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時(shí)間較長(zhǎng)，那么這種情況就會(huì)更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)
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SiC為數(shù)據(jù)中心的冷卻風(fēng)扇提供高密度電源

碳化硅（SiC）正在接管電動(dòng)汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉(zhuǎn)換為用于控制電機(jī)的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開(kāi)關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動(dòng)機(jī)中的三相逆變器。其中包括數(shù)據(jù)中心的電子換向（EC）冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來(lái)運(yùn)行 AI 訓(xùn)練和推理，并在此過(guò)程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊（IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來(lái)了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

如今所有東西都存儲(chǔ)在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對(duì)圖片、視頻和其他內(nèi)容的無(wú)盡需求，正推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國(guó)際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。這不僅增加了運(yùn)營(yíng)成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級(jí)。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長(zhǎng)一方面是為了降低運(yùn)營(yíng)成本
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是什么讓SiC開(kāi)始流行？

碳化硅是一種眾所周知的堅(jiān)硬和復(fù)雜的材料。用于制造 SiC 功率半導(dǎo)體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規(guī)格和設(shè)備的密集工程來(lái)實(shí)現(xiàn)商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導(dǎo)體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規(guī)則，使系統(tǒng)級(jí)效率超越硅器件的實(shí)際限制，并帶來(lái)額外的技術(shù)特定優(yōu)勢(shì)。在碳化硅（SiC）的情況下，導(dǎo)熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并確保了更高的可靠性。由于它們的簡(jiǎn)單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進(jìn)入市場(chǎng)?，F(xiàn)在，隨著技術(shù)進(jìn)步收緊工藝控制、提高良率并
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德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

新聞亮點(diǎn)：新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，助力設(shè)計(jì)人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管外形無(wú)引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。中國(guó)上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工智能 (AI) 的采用率越來(lái)越高，數(shù)據(jù)中心需要更
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢(shì)以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長(zhǎng)的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性
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Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來(lái)，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計(jì)人員在應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)過(guò)程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒(méi)有內(nèi)建電勢(shì)，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時(shí)，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對(duì)于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
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芯向未來(lái)，2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)成功舉辦

3月14日，?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會(huì)匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開(kāi)了精彩探討，首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并解讀最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入新動(dòng)能，助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機(jī)。2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
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GaN HEMT為開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)低噪聲功率

氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時(shí)結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過(guò)，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)結(jié)或 MOSFET。這些獨(dú)特的器件在微波射頻（RF）應(yīng)用中表現(xiàn)出色。來(lái)自 n 型區(qū)域的電子穿過(guò)晶格，許多電子保持在異質(zhì)結(jié)附近（異質(zhì)結(jié)是指通過(guò)兩個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開(kāi)關(guān)能量（Esw）是在硬開(kāi)關(guān)條
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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)

無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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基于GaN的汽車應(yīng)用的最新進(jìn)展是什么？

電動(dòng)汽車（EV）越來(lái)越受歡迎，因?yàn)榫鞯南M(fèi)者，尤其是在加利福尼亞州，認(rèn)識(shí)到出色的加速性能的優(yōu)勢(shì)，例如，當(dāng)紅綠燈變綠時(shí)，汽油動(dòng)力汽車可能會(huì)被塵土甩砸。這是因?yàn)殡妱?dòng)機(jī)在駕駛員踩下油門的那一刻就會(huì)產(chǎn)生峰值扭矩。然而，與內(nèi)燃機(jī) （ICE）汽車相比，電動(dòng)汽車的主要?jiǎng)訖C(jī)是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器（OBC）完全能夠?yàn)閬?lái)自交流電網(wǎng)的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級(jí)和 2 級(jí)交流充電站之一，這些充電站出現(xiàn)在停車場(chǎng)、家庭、公司、購(gòu)
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氮化鎵（GaN）賦能D類音頻放大器的未來(lái)

了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術(shù)應(yīng)用于D類音頻放大器，可以提高信號(hào)保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強(qiáng)大、沉浸式聲音的核心設(shè)備。這些設(shè)備將低功率音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為豐富、高功率的輸出，從而驅(qū)動(dòng)從便攜式揚(yáng)聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設(shè)備。在過(guò)去十年中出現(xiàn)的各種放大器設(shè)計(jì)中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術(shù)主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當(dāng)前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
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