Nexperia擴展GaN FET產品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
—— 新增產品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內廣泛的GaN FET產品類型
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Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。
本文引用地址：http://www.2s4d.com/article/202503/468359.htm
Nexperia此次發(fā)布的E-mode GaN FET新產品包括新型低壓40 V雙向器件(RDSon140 m?)（用于支持LED驅動器和功率因素校正(PFC)應用），以及650 V器件(RDSon>350 m?)（適用于AC/DC轉換器）。
Nexperia E-mode GaN FET技術憑借其超低的QG和QOSS值，提供了出色的開關性能。這些新器件提供了業(yè)界領先的品質因數(FOM)，因此非常適合用于高效電源解決方案。
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