首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan

gan 文章 最新資訊

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項

  • 鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個基本模塊互聯(lián)起來?；旌洗侥孀兤靼韵伦訅K：●? ?用于執(zhí)行最大功率點跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器?！? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN FET  單相串式逆變器  微型逆變器  儲能系統(tǒng)  

英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進展

  • 隨著對 GaN 半導體的需求持續(xù)增長，Infineon Technologies AG 已準備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴展 GaN 制造正在按計劃進行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準備來擴大其客戶群并鞏固其作為領先 GaN 巨頭的地位。作為電力系統(tǒng)的領導者，該公司掌握了所有三種相關材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率
  • 關鍵字： 英飛凌  300毫米  GaN  制造路線圖  

GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出

  • 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導體器件結(jié)構(gòu)相對簡單，不會對代工服務產(chǎn)生強勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通?？吹降?/li>
  • 關鍵字： GaN  代工模型  Innoscience  臺積電  

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOL
  • 關鍵字： 瑞薩電子  AI數(shù)據(jù)中心  工業(yè)  電源系統(tǒng)  GaN FET  

臺積電退出后英飛凌加快GaN推進 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

  • 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強大的 IDM 模型，正在推進其 300 毫米晶圓的可擴展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據(jù)《商業(yè)時報》報道，臺積電計劃在 2027 年 7 月 31 日之前結(jié)束其 GaN 晶圓代工服務，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價格壓力是關鍵驅(qū)動因素。Liberty Times 補充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步退出其
  • 關鍵字： 臺積電  英飛凌  GaN  300毫米  晶圓樣品  

650V GaN器件在高功率應用中對SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

  • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
  • 關鍵字： 650V  GaN  器件  高功率應用  SiC  

臺積電無預警退出GaN市場 納微有望接手美國訂單

  • 國際功率半導體廠納微半導體于提交美國證券交易委員會（SEC）消息指出，臺積電將于2027年7月31日結(jié)束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務，擬向力積電尋求產(chǎn)能支持。 對此，臺積電回應表示，經(jīng)過完整評估后，決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務。臺積電透露，該決定是基于市場與臺積電公司的長期業(yè)務策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時，臺積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場持續(xù)創(chuàng)造價值; 而該項決定將不會影響之前公布的財務目標。業(yè)界認為，臺積電此舉凸顯中國
  • 關鍵字： 臺積電  納微半導體  GaN  

瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉(zhuǎn)換能力

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和T
  • 關鍵字： 瑞薩  GaN FET  SuperGaN  

GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

  • EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進系統(tǒng)而設計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
  • 關鍵字： GaN FET  衛(wèi)星電源  

Wise計劃將GaN和數(shù)字控制器封裝在一起

  • 法國電力初創(chuàng)公司 Wise Integration 正計劃推出一種帶有氮化鎵 （GaN） 晶體管的聯(lián)合封裝數(shù)字控制器，以簡化工業(yè)和數(shù)據(jù)中心 AI 電源系統(tǒng)的設計。與此同時，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC） 的數(shù)字控制器。零電壓開關 （ZVS） 開關算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中實現(xiàn)，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高達 2MHz 的開關，適用于更小的設計，效率高達 98%。“對于公司來說，將這款數(shù)字控制器推向市場是一個重要
  • 關鍵字： Wise  GaN  數(shù)字控制器  

采用3D芯片設計的更快、更節(jié)能的電子設備

  • 麻省理工學院和其他地方的研究人員開發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網(wǎng)站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構(gòu)建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數(shù)量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產(chǎn)生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術能夠降低整個系統(tǒng)的溫度。研究人員使用這種
  • 關鍵字： 3D芯片  電子設備  GaN  

探索TI GaN FET在類人機器人中的應用

  • 類人機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約40個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源要求取決
  • 關鍵字： TI  GaN  FET  類人機器人  

如何在開關模式電源中運用氮化鎵技術

  • 本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。
  • 關鍵字： 開關電源  SMPS  氮化鎵  GaN  ADI  

納芯微高壓半橋驅(qū)動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

  • 納芯微發(fā)布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅(qū)動能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動電路設計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。應用背景近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源、微型逆變器、車載充電機(OBC)等高壓大功率領域得到日益廣泛的應用。然而，GaN器件在實際應用中仍面臨諸多
  • 關鍵字： 納芯微  高壓半橋驅(qū)動  E-mode GaN  

GaN，助力6G

  • 新的基于 GaN 的架構(gòu)將使海量數(shù)據(jù)的通信和傳輸變得更加容易。
  • 關鍵字： GaN  
共355條 1/24 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

gan介紹

　GaN 　　即氮化鎵，屬第三代半導體材料。 [ 查看詳細 ]

熱門主題

GaN    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473