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愛(ài)普科斯MEMS技術(shù)解析

越來(lái)越多的移動(dòng)設(shè)備，如手機(jī)、耳機(jī)、相機(jī)和MP3，采用了先進(jìn)的降噪技術(shù)，以消除背景音，提高聲音質(zhì)量。要使這種先進(jìn)...
關(guān)鍵字：愛(ài)普科斯 MEMS

MEMS傳感器包括測(cè)量線(xiàn)性加速度和地球重力矢量的加速度計(jì)、測(cè)量角速率的陀螺儀、測(cè)量地球磁場(chǎng)強(qiáng)度以確定方位的地磁計(jì)和測(cè)量氣壓以確定高度的壓力傳感器。把這些傳感器整合在一起將會(huì)大幅擴(kuò)大這些傳感器的應(yīng)用范圍。本文以互補(bǔ)濾波器、卡爾曼濾波器和擴(kuò)展型卡爾曼濾波器(EKF)為例，論述在一個(gè)傳感器整合解決方案內(nèi)如何讓這些傳感器協(xié)調(diào)工作，幫助讀者了解如何把傳感器整合從概念變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MEMS 傳感器 201111

MEMS封裝系統(tǒng)應(yīng)有MEMS執(zhí)行感應(yīng)功能，而且還要避免受到外界環(huán)境的影響，同時(shí)持續(xù)地改進(jìn)質(zhì)量，達(dá)到較高的ppm性能。本文采用SOIC封裝，必須維持一個(gè)特定的共振頻率，從而防止傳感器被粘住或卡住。同時(shí)，封裝必須確保傳感器是可靠和完整的，沒(méi)有出現(xiàn)斷裂或輸出偏差。本文采用一種綜合學(xué)科研究方法，以確定合適的固晶材料來(lái)徹底解決器件斷裂的問(wèn)題。這種方法涉及振動(dòng)分析、電氣響應(yīng)測(cè)定、壓力分析和斷裂力學(xué)。
關(guān)鍵字：飛思卡爾 MEMS 加速儀 201111

近年來(lái)，傳感器市場(chǎng)持續(xù)保持增長(zhǎng)，其增速超過(guò)15%。特別是MEMS傳感器依靠獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，逐漸成為改變電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)理念的幕后推手。
關(guān)鍵字： MEMS 傳感器 201111

對(duì)設(shè)備在三維空間中的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行測(cè)量及智能處理的運(yùn)動(dòng)處理技術(shù)，將是下一個(gè)重大的革命性技術(shù)，會(huì)對(duì)未來(lái)的手持消費(fèi)電子設(shè)備、人機(jī)接口、及導(dǎo)航和控制產(chǎn)生重大影響。
這場(chǎng)變革的推動(dòng)力量是基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的消費(fèi)級(jí)
關(guān)鍵字：消費(fèi) 電子影響對(duì)消方案運(yùn)動(dòng) 處理 MEMS

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
關(guān)鍵字：傳感器圖像 CCD CMOS

1 引言單片集成是MEMS傳感器發(fā)展的一個(gè)趨勢(shì)，將傳感器結(jié)構(gòu)和接口電路集成在一塊芯片上，使它具備標(biāo)準(zhǔn)IC工藝批量制造、適合大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)勢(shì)，在降低了生產(chǎn)成本的同時(shí)還減少了互連線(xiàn)尺寸，抑制了寄生效應(yīng)，提高了電路
關(guān)鍵字：傳感器接口電路設(shè)計(jì) 壓力電容集成 MEMS 單片

摘要：針對(duì)CMOS集成電路的故障檢測(cè)，提出了一種簡(jiǎn)單的IDDQ靜態(tài)電流測(cè)試方法，并對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的IDDQ電流測(cè)試電路對(duì)CMOS被測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，通過(guò)觀(guān)察測(cè)試電路輸出的高低電平可知被測(cè)電路是否存在物理缺
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 測(cè)試 IDDQ 電路 CMOS

ADISl6355 MEMS的慣性測(cè)量組件系統(tǒng)設(shè)計(jì)　　首先簡(jiǎn)介ADISl6355AMLZ型MEMS的原理、構(gòu)成及應(yīng)用。在此基礎(chǔ)上，搭 ...
關(guān)鍵字： ADISl6355 MEMS 慣性測(cè)量

基于A(yíng)T89S52的MEMS陀螺信號(hào)采集與處理系統(tǒng)設(shè)計(jì), 針對(duì)MEMS陀螺儀在實(shí)際應(yīng)用中達(dá)不到需要的精度，為改善陀螺儀的工作性能，降低陀螺信號(hào)噪聲，通過(guò)AT89S52單片機(jī)與ADIS16355慣性陀螺儀搭建一個(gè)硬件平臺(tái)，經(jīng)過(guò)SPI接口通信、AT89S52單片機(jī)控制，將采集的數(shù)據(jù)通過(guò)LCD顯示，并對(duì)平臺(tái)系統(tǒng)進(jìn)行靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試，最后對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了誤差分析，該系統(tǒng)具有較高精度、成本低、操作方便簡(jiǎn)單，在陀螺儀實(shí)際應(yīng)用中具有良好的推廣價(jià)值。
關(guān)鍵字：處理理系設(shè)計(jì) 采集信號(hào) AT89S52 MEMS 陀螺基于

　　據(jù)IHS iSuppli公司的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)與傳感器專(zhuān)題報(bào)告，MEMS領(lǐng)域中出現(xiàn)的傳感器融合趨勢(shì)，不但正在幫助改善移動(dòng)與游戲設(shè)備中基于運(yùn)動(dòng)的精度，而且將為集中處理領(lǐng)域帶來(lái)新的重大發(fā)展，并有望大幅提高其營(yíng)業(yè)收入。　　目前集中處理領(lǐng)域正在進(jìn)行的開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)將采用當(dāng)今的9軸傳感器融合，該技術(shù)同時(shí)使用3軸加速計(jì)、3軸陀螺儀和3軸電子羅盤(pán)，以提供更加精確和靈敏的動(dòng)作探測(cè)。明年9軸組合中使用的運(yùn)動(dòng)傳感器的銷(xiāo)售額將達(dá)到8.5097億美元，比2011年底預(yù)計(jì)達(dá)到的5.5001億美元大增55%，而到2015年
關(guān)鍵字： IHS iSuppli MCU傳感器 MEMS

電子技術(shù)的電控電路常采用CMOS邏輯控制系統(tǒng)，通過(guò)多年的維修實(shí)踐，我們自行設(shè)計(jì)和安裝了簡(jiǎn)易集成邏輯門(mén)電...
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路測(cè)試儀

摘要：為了滿(mǎn)足深亞微米級(jí)集成電路對(duì)低溫漂、低功耗電源電壓的需求，提出了一種在0．25mu;m N阱CMOS工藝下，采用一階溫度補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了VBE和VT的線(xiàn)性
關(guān)鍵字：研究電壓基準(zhǔn) CMOS 低溫