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cmos-mems 文章 最新資訊

MEMS組合傳感器銷售額未來五年將強(qiáng)勁增長(zhǎng)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，基于MEMS的多傳感器封裝，即所謂的“組合”傳感器，將在消費(fèi)應(yīng)用與汽車應(yīng)用領(lǐng)域具有非常光明的前景，未來五年在這兩個(gè)領(lǐng)域的合計(jì)銷售額將增長(zhǎng)到現(xiàn)在的50倍。 　　MEMS組合傳感器在單一的傳感器封裝中含有加速計(jì)、陀螺儀或電子羅盤的不同組合。這類傳感器的銷售額到2015年將接近12億美元，而2010年略低于2400萬美元，2010-2015年的復(fù)合年度增長(zhǎng)率高達(dá)120%。預(yù)計(jì)今年增長(zhǎng)率將達(dá)到三位數(shù)，而且這種趨勢(shì)將保持到2013年，凸顯
  • 關(guān)鍵字： IHS iSuppli  MEMS  傳感器  

以碳納米管取代銅　TSV芯片效能更好

  • 　　來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會(huì)比銅來得更好。 　　TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個(gè)系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會(huì)導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因?yàn)殂~遇熱會(huì)比周圍的硅材料膨脹更多。 　　「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
  • 關(guān)鍵字： TSV芯片  CMOS   

Crocus與中芯國(guó)際簽署技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議

  • Crocus科技，領(lǐng)先的強(qiáng)化磁性半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)商，和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”)，中國(guó)內(nèi)地最大最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，今天宣布，正式簽署合作技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，兩家公司將共同開發(fā)針對(duì)汽車應(yīng)用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國(guó)際將制造和供應(yīng)基于CMOS先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進(jìn)磁性生產(chǎn)設(shè)備上做進(jìn)一步加工。
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Aptina推出原裝1080p片上系統(tǒng)解決方案

  • 面向全球最受歡迎的消費(fèi)電子制造商提供CMOS成像解決方案的領(lǐng)先提供商Aptina今天宣布推出AS0260 SOC(片上系統(tǒng))成像解決方案。這一200萬像素的原裝1080p SOC可提供出色的性能并能滿足以視頻為中心的消費(fèi)電子市場(chǎng)中超薄全高清視頻應(yīng)用嚴(yán)格的尺寸要求(z-高度不超過3.5mm)。
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淺析愛普科斯抗電磁干擾MEMS麥克風(fēng)解決方案

  • MEMS麥克風(fēng)改善音質(zhì)尺寸小，性能優(yōu)越來越多的移動(dòng)設(shè)備，如手機(jī)、耳機(jī)、相機(jī)和MP3，采用了先進(jìn)的降噪技術(shù)，以消除背景音，提高聲音質(zhì)量。要使這種先進(jìn)技術(shù)付諸實(shí)施，所采用的多個(gè)麥克風(fēng)不僅需具有抗射頻和電磁干擾的能
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場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧

  • 焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  場(chǎng)效應(yīng)管  集成電路  焊接    

降低MEMS設(shè)計(jì)方法

  • 鑒于MEMS工藝源自光刻微電子工藝，所以人們很自然會(huì)考慮用IC設(shè)計(jì)工具來創(chuàng)建MEMS器件的掩膜。然而，IC設(shè)計(jì)與MEMS設(shè)計(jì)之間存在著根本的區(qū)別，從版圖特性、驗(yàn)證或仿真類型，到最重要的構(gòu)造問題。 盡管針對(duì)MEMS設(shè)計(jì)的
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主CMOS為鎂光合作產(chǎn)品 尼康V1全面拆解

  • 半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)站Chipworks于近日對(duì)尼康新出品的微單相機(jī)V1做了非常詳細(xì)而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發(fā)現(xiàn)了不少秘密，首當(dāng)其沖的就是主CMOS上發(fā)現(xiàn)了Aptina的痕跡。Aptina是美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)鎂光旗下的感光元件生產(chǎn)廠商，也推出過APS-C規(guī)格的16M像素CMOS。這也是首次明確發(fā)現(xiàn)尼康與Aptina合作，還是讓我們先來看看圖片吧！
  • 關(guān)鍵字： 尼康  V1  CMOS  

意法半導(dǎo)體推出新品運(yùn)動(dòng)傳感器技術(shù)

  • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及全球第一大消費(fèi)電子和便攜式設(shè)備MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出兩款采用2x2mm微型封裝，擁有超低功耗及高性能的三軸加速度計(jì)芯片。新產(chǎn)品較上一代產(chǎn)品尺寸縮減50%，因此尤為適用于手機(jī)、平板電腦及游戲機(jī)等對(duì)功耗和尺寸限制嚴(yán)格的消費(fèi)電子產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： ST  MEMS  LIS2DH  LIS2DM  

SuVolta發(fā)布Deeply Depleted Channel技術(shù)

  • 致力于開發(fā)可微縮低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta今日在2011年IEDM會(huì)議上發(fā)布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術(shù)細(xì)節(jié)。SuVolta的DDC技術(shù)是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺(tái)的組成部分。該低功耗技術(shù)已向業(yè)界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進(jìn)的電壓降低手段，DDC技術(shù)甚至可以降低功耗達(dá)百分之八十或更多。
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS   

MEMS/NEMS表面3-D輪廓測(cè)量中基于模板的相位解包裹算法

  • 相位解包裹是使用相移顯微干涉法測(cè)量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時(shí)的重要步驟.本文針對(duì)普通的相位解包裹方
    法在復(fù)雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測(cè)量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開方法.通過模板
    的使用,先將非相容區(qū)域標(biāo)記出來,在相位解包裹的過程中繞過這些區(qū)域,即可得到準(zhǔn)確可靠的相位展開結(jié)果.通過具體的應(yīng)
    用實(shí)例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應(yīng)用的需要靈活而準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)表面3-D輪廓測(cè)量中的相位展開.
    關(guān)鍵詞:MEMS/NEMS;表面
  • 關(guān)鍵字： 模板  相位  包裹  算法  基于  測(cè)量  表面  3-D  輪廓  MEMS/NEMS  

一種基于動(dòng)態(tài)閾值NMOS的1．2V CMOS模擬乘法器

  • 摘要 分析了以動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號(hào)的輸入晶體管，利用4個(gè)動(dòng)態(tài)閾值NMOS和2個(gè)有源電阻設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標(biāo)
  • 關(guān)鍵字： 模擬  法器  CMOS  2V  動(dòng)態(tài)  NMOS  基于  

共源共柵CMOS功率放大器效率的提高方案

  • 利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
  • 關(guān)鍵字： 共源  共柵  CMOS  功率放大器  

基于MEMS的LED芯片封裝光學(xué)特性分析

  • 本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術(shù)，利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對(duì)LED的發(fā)光強(qiáng)度和光束性能的影響，分析結(jié)果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能；討論了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關(guān)系。最后設(shè)計(jì)r封裝的工藝流程。利用該封裝結(jié)構(gòu)可以降低芯片的封裝尺，提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。
  • 關(guān)鍵字： MEMS  LED  芯片封裝  光學(xué)特性    
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