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cmos-mems 文章 最新資訊

MEMS傳感器市場(chǎng)分析

中國(guó)壓力傳感器行業(yè)發(fā)展問題分析

中國(guó)MEMS產(chǎn)業(yè)存在的問題

SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及其制造技術(shù)

全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

  • 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
    關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

    0 引言
    模擬電路廣泛
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  

ST推出新一代6軸傳感器模塊

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球第一大消費(fèi)電子和便攜設(shè)備MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體進(jìn)一步擴(kuò)大MEMS產(chǎn)品組合，推出整合三軸線性運(yùn)動(dòng)和角速率傳感器的新一代傳感器模塊，這款擁有6個(gè)自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進(jìn)運(yùn)動(dòng)感測(cè)應(yīng)用，包括遙控器、黑匣子數(shù)據(jù)記錄儀以及增強(qiáng)型全球定位系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： ST  MEMS  

ST推出可提供6個(gè)自由度的全新MEMS模塊

  • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球第一大消費(fèi)電子和便攜設(shè)備MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）進(jìn)一步擴(kuò)大MEMS產(chǎn)品組合，推出整合三軸線性運(yùn)動(dòng)和角速率傳感器的新一代傳感器模塊，這款擁有6個(gè)自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進(jìn)運(yùn)動(dòng)感測(cè)應(yīng)用，包括遙控器、黑匣子數(shù)據(jù)記錄儀以及增強(qiáng)型全球定位系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： ST  MEMS  

艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

  • 　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國(guó)亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國(guó)際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
  • 關(guān)鍵字： 艾克賽利  CMOS  

勇闖移動(dòng)互聯(lián)路

  • 介紹了部分歐美電子企業(yè)圍繞移動(dòng)互聯(lián)推出的技術(shù)和產(chǎn)品戰(zhàn)略，涉及處理器、IP核、邏輯芯片、模擬器件、傳感器、EDA工具和軟件平臺(tái)等方面。
  • 關(guān)鍵字： 移動(dòng)互聯(lián)，MEMS，傳感器  201107  

2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對(duì)比各類功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
  • 關(guān)鍵字： 4GHz  CMOS  35  集成    

鎖存繼電器的CMOS電路研究

  • 圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈。　　瞬動(dòng)開關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
  • 關(guān)鍵字： 研究  電路  CMOS  繼電器  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

用NI LabVIEW和DAQ創(chuàng)建微網(wǎng)能量管理系統(tǒng)

  • 　　"在處理矩陣計(jì)算時(shí)，LabVIEW提供了編程工具更方便地編寫功率系統(tǒng)應(yīng)用程序，從而節(jié)省編程時(shí)間。"– Gooi Hoay Beng, Nanyang Technological University 　
  • 關(guān)鍵字： NI  LabVIEW  MEMS  

使用NILabVIEW和DAQ創(chuàng)建微網(wǎng)能量管理系統(tǒng)(MEMS)

  • 在處理矩陣計(jì)算時(shí)，LabVIEW提供了編程工具更方便地編寫功率系統(tǒng)應(yīng)用程序，從而節(jié)省編程時(shí)間。ndash; Gooi Hoay Beng, Nanyang Technological University
    The Challenge:
    隨著化石燃料的耗盡和全球能源需求的不斷
  • 關(guān)鍵字： NILabVIEW  MEMS  DAQ  能量管理    

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓器  設(shè)計(jì)  線性  LDO  成型  CMOS  全集  
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