首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> cmos-mems

cmos-mems 文章 最新資訊

MEMS加速度傳感器的自動(dòng)校準(zhǔn)平臺(tái)

  • 摘要：介紹了一種基于MEMS加速度傳感器的自動(dòng)校準(zhǔn)平臺(tái)的設(shè)計(jì)方案。從數(shù)學(xué)模型入手，推導(dǎo)了傾角測(cè)量算法并設(shè)計(jì)了調(diào)平控制方案。在電機(jī)控制環(huán)節(jié)加入改進(jìn)后的PID算法，解決了輸出突變導(dǎo)致系統(tǒng)性能下降的問(wèn)題?？炻龣n的設(shè)
  • 關(guān)鍵字： 校準(zhǔn)  平臺(tái)  自動(dòng)  傳感器  加速度  MEMS  

MEMS壓力傳感器應(yīng)用

  • MEMS壓力傳感器可以用類(lèi)似集成電路（IC）設(shè)計(jì)技術(shù)和制造工藝，進(jìn)行高精度、低成本的大批量生產(chǎn)，從而為消費(fèi)電子和工業(yè)過(guò)程控制產(chǎn)品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開(kāi)方便之門(mén)，使壓力控制變得簡(jiǎn)單易用和智能化。M
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用  傳感器  壓力  MEMS  

CMOS振蕩器設(shè)計(jì)

  • 1 引言　　　集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線(xiàn)或遂道布線(xiàn)的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  振蕩器  CMOS  

基于ARM-Linux的微慣性單元數(shù)據(jù)采集與處理

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MEMS  數(shù)據(jù)采集  Linux  

標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來(lái)了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險(xiǎn)。正如在淘金熱時(shí)代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對(duì)納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開(kāi)發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財(cái) 富的機(jī)遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來(lái)災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對(duì)那些不了解
  • 關(guān)鍵字： 納米  CMOS  

高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對(duì)俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來(lái)，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無(wú)俘獲）性能進(jìn)行特征分析。 先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展        近年來(lái)，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
  • 關(guān)鍵字： 脈沖  CMOS  

SuVolta全新CMOS平臺(tái)有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺(tái)。該平臺(tái)可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時(shí)保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  

傳感器接口標(biāo)準(zhǔn)最新進(jìn)展

汽車(chē)輪胎壓力傳感器芯片與應(yīng)用

  • 前言汽車(chē)在高速行駛過(guò)程中，輪胎故障是駕駛者最為擔(dān)心和最難預(yù)防的，也是突發(fā)性交通事故發(fā)生的重要原因。根據(jù)美...
  • 關(guān)鍵字： 輪胎壓力傳感器  單島膜結(jié)構(gòu)  MEMS  

空心軸不帶內(nèi)置軸承的角度編碼器

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

  • ?????? 6月9日，應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線(xiàn)性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。 　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  CMOS  NCP4682  

PowerShrink平面CMOS平臺(tái)有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺(tái)支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  PowerShrink  

0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

  • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  0.18  

石家莊謀劃建設(shè)半導(dǎo)體光谷

  • 　　近日，在石家莊·中國(guó)半導(dǎo)體光谷專(zhuān)家論證會(huì)上，來(lái)自中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)工程院19位專(zhuān)家，充分論證了石家莊半導(dǎo)體光谷建設(shè)的必要性、可行性及發(fā)展定位。專(zhuān)家組認(rèn)為，石家莊信息產(chǎn)業(yè)基地在LED、聚光太陽(yáng)能電池、激光器、探測(cè)器、光MEMS等五大核心芯片具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和持續(xù)創(chuàng)新能力，生產(chǎn)線(xiàn)條件、技術(shù)支撐等方面具有深厚的基礎(chǔ)，具備了建立半導(dǎo)體光谷的條件?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： LED  MEMS  

發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒過(guò)程監(jiān)測(cè)和氣缸蓋墊壓力傳感器

共2411條 102/161 |‹ « 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 » ›|

cmos-mems介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條cmos-mems!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)cmos-mems的理解，并與今后在此搜索cmos-mems的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473