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用2600系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試

  • CMOS集成電路(CMOS IC)和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測(cè)量靜態(tài)(或“待機(jī)”)電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測(cè)試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測(cè)量過(guò)程被稱為IDDQ測(cè)試。此測(cè)試要求在IC處于靜態(tài)條件下測(cè)
  • 關(guān)鍵字： 2600    數(shù)字源表    IDDQ  

基于CMOS電路的IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

  • 引言　　測(cè)試CMOS電路的方法有很多種，測(cè)試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測(cè)試，即通常所說(shuō)的功能測(cè)試。功能測(cè)試可診斷出邏輯錯(cuò)誤，但不能檢查出晶體管常開(kāi)故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路
  • 關(guān)鍵字： CMOS  IDDQ  電路  測(cè)試    

CMOS電路IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：針對(duì)CMOS集成電路的故障檢測(cè)，提出了一種簡(jiǎn)單的IDDQ靜態(tài)電流測(cè)試方法，并對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的IDDQ電流測(cè)試電路對(duì)CMOS被測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，通過(guò)觀察測(cè)試電路輸出的高低電平可知被測(cè)電路是否存在物理缺
  • 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì)  測(cè)試  IDDQ  電路  CMOS  
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