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全局快門CMOS傳感器選型指南:從分辨率到HDR的終極考量
- 在高速視覺(jué)應(yīng)用的競(jìng)技場(chǎng)中,全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的方案時(shí),僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無(wú)失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢(shì),并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)(SNR)、像素架構(gòu),乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性,是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能,一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來(lái)捕捉靜止物體,而另一些應(yīng)用
- 關(guān)鍵字: 安森美 CMOS 傳感器 HDR
臺(tái)積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵
- 市場(chǎng)近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米,預(yù)計(jì)最快明年于美國(guó)德州廠率先導(dǎo)入2納米制程,企圖彎道超車臺(tái)積電。 半導(dǎo)體業(yè)界透露,三星目前以GAAFET打造之3納米,約為目前競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手4納米FinFET水平,分析2納米效能恐怕不如臺(tái)積電最后也是最強(qiáng)一代之3納米FinFET。 尤其臺(tái)積電再針對(duì)3納米發(fā)展更多家族成員,包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用,未來(lái)仍會(huì)是主流客戶之首選。盤點(diǎn)目前智能手機(jī)旗艦芯片,皆使用臺(tái)積電第二代3納米(N3E),僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計(jì)迭代進(jìn)入第
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3納米 FinFET 三星 2納米
這一領(lǐng)域芯片,重度依賴臺(tái)積電
- 英特爾和三星正在研發(fā)先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)的封裝技術(shù),但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺(tái)積電。大型語(yǔ)言模型(例如 ChatGPT 等 LLM)正在推動(dòng)數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴(kuò)展。更強(qiáng)大的 LLM 模型推動(dòng)了需求,并需要更多的計(jì)算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機(jī)、CPU、存儲(chǔ)和 DRAM。目前,大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年,這一比例將會(huì)更高。臺(tái)積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場(chǎng)份額。臺(tái)積電生產(chǎn):Nv
- 關(guān)鍵字: CMOS
2D CMOS,下一個(gè)飛躍
- 二維材料憑借其原子級(jí)厚度和高載流子遷移率,提供了一種極具前景的替代方案。
- 關(guān)鍵字: CMOS
激光雷達(dá)掃壞CMOS,難道汽車都要變成“光棱坦克”了?
- 激光雷達(dá),對(duì)于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻,它是自動(dòng)駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力,激光雷達(dá)能夠?qū)崟r(shí)生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖,精準(zhǔn)檢測(cè)并追蹤其他車輛、行人、障礙物等,為自動(dòng)駕駛決策系統(tǒng)提供精準(zhǔn)且可靠的數(shù)據(jù)支持,是保障自動(dòng)駕駛汽車安全行駛、實(shí)現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石,正推動(dòng)著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時(shí),各位讀者有沒(méi)有想過(guò),這些越來(lái)越多激光雷達(dá),會(huì)逐漸開(kāi)始危害我們的財(cái)產(chǎn)安全,而首當(dāng)其沖的就是手機(jī)
- 關(guān)鍵字: 激光雷達(dá) CMOS 攝影 ADAS
Finwave籌集820萬(wàn)美元短期投資以推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展
- 美國(guó)馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資,由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投,技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認(rèn)為,新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對(duì)其獨(dú)特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場(chǎng)潛力充滿信心,因?yàn)樗趶囊约夹g(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動(dòng)型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院 (MIT) 的研究人員于 2012
- 關(guān)鍵字: Finwave 短期投資 GaN FinFET
“最后也是最好的FINFET節(jié)點(diǎn)”
- 在該公司的北美技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運(yùn)營(yíng)辦公室高級(jí)副總裁兼聯(lián)合首席運(yùn)營(yíng)官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點(diǎn)”。臺(tái)積電的策略是開(kāi)發(fā) N3 工藝的多種變體,創(chuàng)建一個(gè)全面的、可定制的硅資源。“我們的目標(biāo)是讓集成芯片性能成為一個(gè)平臺(tái),”Zhang 說(shuō)。 截至目前,可用或計(jì)劃中 N3 變體是:N3B:基準(zhǔn) 3nm 工藝。N3E:成本優(yōu)化的版本,具有更少的 EUV 層數(shù),并且沒(méi)有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3,但具有更好的良率。N3P:N3E 的增強(qiáng)版本,在相
- 關(guān)鍵字: FINFET TSMC
CMOS可靠性測(cè)試:脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC?
- 在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著技術(shù)的不斷演進(jìn),對(duì)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能(AI)、5G通信和高性能計(jì)算(HPC)等前沿技術(shù)的推動(dòng)下,傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用,以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言,交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測(cè)試的有力補(bǔ)充。在NBTI(負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性)和TDDB(隨時(shí)間變化的介電擊穿)試驗(yàn)中,應(yīng)力/測(cè)量循環(huán)通常采用直流信號(hào),因其易于映射到器件模型中。然而,結(jié)
- 關(guān)鍵字: CMOS 可靠性測(cè)試 脈沖技術(shù) AI 5G HPC 泰克科技
CMOS_Sensor國(guó)產(chǎn)替代到什么程度了?
- 攝像頭CMOS傳感器(CMOS Image Sensor, CIS)是成像設(shè)備的核心部件,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測(cè)等領(lǐng)域。以下是國(guó)內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點(diǎn)和代表性型號(hào):從智能手機(jī)到自動(dòng)駕駛,從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測(cè),CIS的身影無(wú)處不在。隨著技術(shù)不斷演進(jìn),CIS市場(chǎng)格局也在悄然變化。今天,我們就來(lái)一次全景掃描,盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商,以及那些正在崛起的新興勢(shì)力。當(dāng)年最缺芯片的時(shí)候,我別的不擔(dān)心,最擔(dān)心買不到索尼的Sensor,結(jié)果一開(kāi)始我們用中國(guó)臺(tái)灣的可以替代
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器 ISP
臺(tái)積電2nm馬上量產(chǎn):工廠火力全開(kāi) 蘋果首發(fā)
- 3月31日消息,據(jù)媒體報(bào)道,位于新竹和高雄的兩大臺(tái)積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中,臺(tái)積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn),待兩大工廠同步投產(chǎn)之后,月產(chǎn)能將攀升至5萬(wàn)片晶圓,最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬(wàn)片。與此同時(shí),市場(chǎng)對(duì)2nm芯片的需求持續(xù)高漲,最新報(bào)告顯示,僅2025年第三、四季度,臺(tái)積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營(yíng)收,這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺(tái)積電的核心客戶,蘋果將是臺(tái)積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者,預(yù)計(jì)iP
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm 量產(chǎn) 蘋果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構(gòu) 3nm FinFET
圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多?成像性能必須排第一
- 當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時(shí),圖像傳感器的選擇是設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)各種設(shè)備過(guò)程中一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié),這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機(jī)器人、條形碼掃描儀、工廠自動(dòng)化、設(shè)備檢測(cè)、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對(duì)眾多標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行復(fù)雜的評(píng)估,每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動(dòng)態(tài)范圍到色彩濾波陣列(CFA)、像素類型、功耗和特性集成,這些標(biāo)準(zhǔn)的考慮因素多種多樣,錯(cuò)綜復(fù)雜。在各類半導(dǎo)體器件中,圖像傳感器可以說(shuō)是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號(hào),通過(guò)一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)產(chǎn)生數(shù)字輸出
- 關(guān)鍵字: 圖像傳感器 CMOS 成像性能
SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域
- 3月7日消息,近日,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報(bào)道,SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS(CMOS圖像傳感器)部門,該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域。SK海力士稱其CIS團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)無(wú)法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲(chǔ)和邏輯半導(dǎo)體高度融合的趨勢(shì)下,將CIS團(tuán)隊(duì)和存儲(chǔ)部門聚合為一個(gè)整體,才能進(jìn)一步提升企業(yè)的AI存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)力。
- 關(guān)鍵字: SK海力士 CIS CMOS AI存儲(chǔ)器
復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索
- 異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一,正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注,但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,仍有賴于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而,以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類比芯片技術(shù),在非尺寸依賴追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求,正在推動(dòng)不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究,并在近期國(guó)內(nèi)重要會(huì)議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
- 關(guān)鍵字: 復(fù)旦大學(xué) Si CMOS GaN 單片異質(zhì)集成
安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數(shù)位影像感測(cè)器,擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進(jìn)的汽車用感測(cè)器能以高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 并結(jié)合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時(shí)捕捉低光與極高亮度的場(chǎng)景,其 2.1 μm 超級(jí)曝光像素能實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150 dB 的動(dòng)態(tài)范圍,而無(wú)需進(jìn)行自動(dòng)曝光調(diào)整。這顯著降低了場(chǎng)景依賴的汽車關(guān)鍵系統(tǒng)的延遲,實(shí)現(xiàn)更快速且更安全的數(shù)據(jù)收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
- 關(guān)鍵字: 安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
國(guó)產(chǎn)無(wú)反相機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)
- 根據(jù)相機(jī)及影像產(chǎn)品協(xié)會(huì)(CIPA)公布的數(shù)據(jù),2024 年 1 月至 5 月,中國(guó)市場(chǎng)相機(jī)出貨量全球占比達(dá)到 23.4%,躍居繼美洲之后的全球第二大市場(chǎng)。在智能手機(jī)沖擊下曾一度遇冷的相機(jī)市場(chǎng),如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機(jī)。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟(jì)的交織,正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開(kāi)一條全新的消費(fèi)路徑。日本佳能副社長(zhǎng)、執(zhí)行董事小澤秀樹(shù)也表示,2023 年中國(guó)數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了 25% 的增長(zhǎng),其中無(wú)反相機(jī)更是增長(zhǎng)了 31%,預(yù)計(jì) 2024 年這一增長(zhǎng)勢(shì)頭將持續(xù),無(wú)反相機(jī)的增長(zhǎng)有望達(dá)到 35%。隨著近
- 關(guān)鍵字: 無(wú)反相機(jī) CMOS 傳感器
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