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3nm finfet 文章 最新資訊

外媒：臺(tái)積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產(chǎn)設(shè)備

  • 據(jù)國外媒體報(bào)道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺(tái)積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報(bào)道顯示，臺(tái)積電今年4月份就將開始為相關(guān)客戶大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，臺(tái)積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報(bào)道中，外媒就提到了臺(tái)積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺(tái)積電就將開始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設(shè)備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。在2019年第四季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)
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面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機(jī)曝光

  • 很快,臺(tái)積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺(tái)積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對(duì)于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實(shí)現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。很快,臺(tái)積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺(tái)積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對(duì)于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實(shí)現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機(jī)主要是NXE:340
  • 關(guān)鍵字： 3nm  EUV  

燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺(tái)的“邃思”芯片的人工智能訓(xùn)練解決方案云燧T10

  • 在燧原科技（燧原）發(fā)布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對(duì)數(shù)據(jù)中心培訓(xùn)的高性能深度學(xué)習(xí)加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺(tái)及2.5D 封裝技術(shù)，為云端人工智能訓(xùn)練平臺(tái)提供高算力、高能效比的數(shù)據(jù)處理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP ?FinFET平臺(tái)擁有141億個(gè)晶體管，采用先進(jìn)的2.5D封裝技術(shù)，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯(lián)。支持CNN/RNN等各種網(wǎng)絡(luò)模型和豐富的數(shù)據(jù)類型
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Intel最新制程路線圖曝光：10nm+++得到證實(shí)、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設(shè)備會(huì)議上），有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖，14nm之后的節(jié)點(diǎn)一覽無余，甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時(shí)間順序來看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標(biāo)定義階段，3nm處于探索、先導(dǎo)階
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  10nm  7nm  5nm  3nm  

新思科技和臺(tái)積合作在其5納米 FinFET 強(qiáng)化版N5P制程技術(shù)上開發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

  • 臺(tái)積公司5奈米 FinFET 強(qiáng)化版（N5P）制程技術(shù)上開發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺(tái)積公司N5P工藝上開發(fā)的DesignWare基礎(chǔ)IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲(chǔ)器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器。STAR Memory System?采用針對(duì)5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復(fù)和診斷嵌入式存儲(chǔ)器新思科技（Synopsys, In
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格芯針對(duì)人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案

  • 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計(jì)廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲(chǔ)器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計(jì)服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時(shí)間。
  • 關(guān)鍵字： 格芯  人工智慧應(yīng)用  12LP+ FinFET  

三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì)比臺(tái)積電要晚一些，導(dǎo)致臺(tái)積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺(tái)積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶參與

  • 如今在半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠(yuǎn)了。臺(tái)積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì)議上透露，臺(tái)積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來，與臺(tái)積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來進(jìn)一步深化臺(tái)積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺(tái)積電也沒有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié)，以及性能、功耗指標(biāo)，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個(gè)全新的工藝節(jié)點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。臺(tái)積電只是說，已經(jīng)評(píng)估了3n
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國產(chǎn)3nm半導(dǎo)體來了？只是學(xué)術(shù)進(jìn)展

  • 今天有多家媒體報(bào)道了中國科研人員實(shí)現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展，香港《南華早報(bào)》稱中科院微電子所團(tuán)隊(duì)的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當(dāng)于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
  • 關(guān)鍵字： 3nm  半導(dǎo)體  

臺(tái)積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場的一哥，臺(tái)積電一家就占了全球50-60%的份額，幾乎吃下所有7nm先進(jìn)訂單。不過今年遇到了半導(dǎo)體市場熊市，臺(tái)積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑，凈利潤暴跌了32%。不過臺(tái)積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝，預(yù)計(jì)會(huì)在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  Q1  7/5/3nm  

三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機(jī)、存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價(jià)的困境之時(shí)，三星也將業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會(huì)上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。
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三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導(dǎo)體極限

  • 在半導(dǎo)體晶圓代工市場上，臺(tái)積電TSMC是全球一哥，一家就占據(jù)了全球50%以上的份額，而且率先量產(chǎn)7nm等先進(jìn)工藝，官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時(shí)間，明年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝。在臺(tái)積電之外，三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕，目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn)，下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線圖，緊逼臺(tái)積電，而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
  • 關(guān)鍵字： 三星  臺(tái)積電  3nm  

3nm爭奪戰(zhàn)已打響

  • 科技的發(fā)展有時(shí)超出了我等普通人的想象，今年臺(tái)積電才開始量產(chǎn)7nm，計(jì)劃明年量產(chǎn)5nm，這不3nm又計(jì)劃在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這樣的大踏步前進(jìn)可以說是競爭爭奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
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Mentor 擴(kuò)展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)

  • 　　Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認(rèn)證。此外，Mentor 還繼續(xù)擴(kuò)展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產(chǎn)品的功能，以支持 TSMC 的高級(jí)封裝產(chǎn)品?！　SMC 設(shè)
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格芯擴(kuò)展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實(shí)現(xiàn)未來智能系統(tǒng)

  • 　　格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨(dú)一無二的設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上，繼在300mm平臺(tái)上面向下一代移動(dòng)應(yīng)用推出8SW RF SOI客戶端芯片后，格芯宣布計(jì)劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強(qiáng)差異化投資的全新側(cè)重點(diǎn)之一，功能豐富的半導(dǎo)體平臺(tái)為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競爭力的性能和可擴(kuò)展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長市場(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛汽車)應(yīng)用提供更好的可擴(kuò)展性和性
  • 關(guān)鍵字： 格芯  FinFET  
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