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3nm finfet 文章 最新資訊

三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm

  • 　　5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！　?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！　∪潜硎荆?7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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從7nm到3nm GAA，三星為何激進地采用EUV？

  • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當(dāng)龐大的研發(fā)費用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準(zhǔn)備就緒，但是三星已經(jīng)邁出了實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
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GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節(jié)點基礎(chǔ)上，向外擴展應(yīng)用領(lǐng)域

  • 　　自從28納米制程節(jié)點向下轉(zhuǎn)進以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續(xù)鞏固先進制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉(zhuǎn)進16/14納米先進制程過程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權(quán)，更成功將該節(jié)點制程落實在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達到良率開出順利，并且改善制程足以提供更明
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格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā)，接下來要發(fā)大招？

  • 和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。
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FinFET對動態(tài)功耗的影響

  • 現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng)紀(jì)錄的速度實現(xiàn)了從設(shè)計到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定，因為與平面器件相
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臺積電計劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

  • 　　臺積電在8月14日宣布，公司董事會已批準(zhǔn)了一項約45億美元的資本預(yù)算。未來將會使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國臺灣媒體報道稱，臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)。　　根據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》的報道，臺灣相關(guān)部門通過了「臺南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案」，這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造?！　?jù)悉，臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時最快可以在2022年實現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
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中芯國際14納米FinFET制程開始客戶導(dǎo)入，Q2營收同比增長18.6%

  • 　　9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營業(yè)績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開始進入到客戶導(dǎo)入階段，可以預(yù)見量產(chǎn)目標(biāo)已不遙遠。14納米FinFET制程如果正式量產(chǎn)，對于中芯國際來說將是一個歷史性的時刻。不僅可以確保其遙遙領(lǐng)先于國內(nèi)的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠之間的距離?！　「鶕?jù)中芯國際財報，第二季度不含技術(shù)授權(quán)收入(授權(quán)收入)確認的銷售額為8.379億
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利用FinFET優(yōu)勢的六種方式

  • 為了能夠充分發(fā)揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優(yōu)勢， 必須要求我們的設(shè)計人員將有相關(guān)工藝知識的設(shè)計戰(zhàn)略和優(yōu)化的IP相結(jié)合，其中包括了標(biāo)準(zhǔn)
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FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗

  • 隨著高級工藝的演進，電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分
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三星侵犯大學(xué)專利，賠償金或高達4億美元

  • 　　近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項專利技術(shù)，需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_4億美元?！　?jù)了解，韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項技術(shù)，并否認侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對這項專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴(yán)重性?！　?jù)悉
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掌控芯片制造的“火候”，看懂小處用心的美好

  • 小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應(yīng)用原理，了解每一顆芯片生產(chǎn)背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
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胡正明：技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍

  • 　　“半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷由技術(shù)推動到需求推動的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新，可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間?！苯?，美國加州大學(xué)伯克利分校教授、國際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時表示?！　∽?965年摩爾定律提出以來，歷經(jīng)半個多世紀(jì)的發(fā)展，如今越來越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀(jì)以來，每隔十年，摩爾定律以及半導(dǎo)體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機?！　『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導(dǎo)體帶來新契機。 2011年5月
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7nm或?qū)⒁?018年手機市場，國產(chǎn)手機岌岌可危

  • 在2018年，如果蘋果新一代產(chǎn)品應(yīng)用7nm制程工藝的消息被確認，那么對于其競爭對手，或?qū)⒊蔀橐粓鲂蕊L(fēng)血雨;而對于整個產(chǎn)業(yè)來說，或?qū)⒊蔀檗D(zhuǎn)折點;對于我們消費者來說，當(dāng)然是件好事情。
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aveni S.A. 運用創(chuàng)新電鍍化學(xué)，將銅互連擴展至5nm及以下節(jié)點以實現(xiàn)BEOL集成

  • 　　為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進互連的后段制程中，在5nm及以下技術(shù)節(jié)點可繼續(xù)使用銅?！　　钢荡算~集成20周年之際，我們的研究結(jié)果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見：『銅集成可持續(xù)使用』?！筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出。　　由于器件要滿足(和創(chuàng)
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暗流涌動 晶圓市場強者生存

  • 目前晶圓代工市場三強分立，Intel、三星、臺積電都在積極備戰(zhàn)之中。而中國市場也是這些大佬的兵家必爭之地，擁有了中國市場便擁有了全世界。晶圓市場暗流涌動，鹿死誰手猶未可知。
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