3nm finfet 文章 最新資訊
Cadence數(shù)字與定制/模擬工具通過臺積電16FF+制程的認證,并與臺積電合作開發(fā)10納米FinFET工藝
- 全球知名電子設計創(chuàng)新領先公司Cadence設計系統(tǒng)公司今日宣布,其數(shù)字和定制/模擬分析工具已通過臺積電公司16FF+制程的V0.9設計參考手冊(Design Rule Manual,DRM) 與SPICE認證,相比于原16納米FinFET制程,可以使系統(tǒng)和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。目前16FF+ V1.0認證正在進行中,計劃于2014年11月實現(xiàn)。Cadence也和臺積電合作實施了16FF+ 制程定制設計參考流程的多處改進。此外,Cadence也
- 關鍵字: Cadence 臺積電 FinFET
FinFET/3D IC引爆半導體業(yè)投資熱潮
- 鰭式場效電晶體(FinFET)及三維積體電路(3DIC)引爆半導體業(yè)投資熱潮。行動裝置與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場快速成長,不僅加速半導體制程技術創(chuàng)新,晶圓廠、設備廠等業(yè)者亦加足馬力轉往3D架構及FinFET制程邁進,掀動半導體產(chǎn)業(yè)龐大的設備與材料投資風潮。 應用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸表示,3DIC及FinFET制程將持續(xù)引爆半導體業(yè)的投資熱潮,亦促使創(chuàng)新的設備材料陸續(xù)問世。 應用材料(AppliedMaterials)集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸表示,隨著行動裝置的功能推陳出新,及聯(lián)
- 關鍵字: FinFET 半導體
應用材料公司推出面向3D芯片結構的先進離子注入系統(tǒng)

- 應用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領先的中電流離子注入設備,該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點的FinFET和3D NAND制程而開發(fā),具有超凡的控制能力,可以幫助高性能、高密度的復雜3D器件實現(xiàn)器件性能優(yōu)化,降低可變性,提高良率,是應用材料公司在精密材料工程領域的又一重大突破。 VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準確度,并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性,從而幫助客戶實現(xiàn)制程的可重復性,優(yōu)化器件性
- 關鍵字: VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
應用材料公司突破導線技術傳統(tǒng)瓶頸
- 應用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學氣相沈積(CVD)系統(tǒng)加入獨特的鈷金屬后,一舉突破導線技術傳統(tǒng)瓶頸,讓“摩爾定律”持續(xù)向下進展到20納米。此外,應材的EnduraVentura實體氣相沈積(PVD)系統(tǒng)不但成功協(xié)助客戶降低成本,更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。 在強大技術創(chuàng)新突破的支持下,應用材料公司在營運方面也頗有斬獲。應用材料公司臺灣區(qū)總裁余定陸表示,拜半導體事業(yè)的蓬勃發(fā)展與應用材料公司不
- 關鍵字: 應用材料 FinFET
FinFET并非半導體演進最佳選項

- 在歷史上,半導體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降,這將會是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。 具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate,HKMG) CMOS制程,與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體,不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點,難以維持高參數(shù)良率(parametric yields)以及低
- 關鍵字: FinFET 半導體
FinFET并非半導體演進最佳選項

- 在歷史上,半導體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降,這將會是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。 具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate,HKMG) CMOS制程,與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體,不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點,難以維持高參數(shù)良率(parametric yields)以
- 關鍵字: FinFET 半導體
下一代晶體管技術何去何從
- 大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝,它會持續(xù)多久和為什么要替代他們? 在近期內(nèi),從先進的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術或者另一種FD SOI工藝的平面技術,有望可縮小到10nm節(jié)點。但是到7nm及以下時,目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。 半導體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術的候選者。例如在7nm時,采用高遷移率的FinFET,及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后,到5nm時,可能會有兩種技術,其中一種是環(huán)柵F
- 關鍵字: 晶體管 FinFET
Synopsys力挺臺積電16納米FinFET
- 全球IC矽智財供應商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場效晶體管),全力協(xié)助臺積電加入導入這項新制程量產(chǎn)行列。 新思科技是「臺積電大同盟」成員之一,昨天也宣布獲臺積電頒發(fā)開放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」,以表彰對臺積電先進制程的貢獻。 臺積電16納米FinFET制程,是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術,臺積電將以大同盟的陣營,聯(lián)合IP、自動化工具、設備及芯片設計業(yè)的力量應戰(zhàn)。臺積電16納米預定明年第4季試產(chǎn),2015年第1季量產(chǎn)。
- 關鍵字: Synopsys FinFET
3nm finfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3nm finfet的理解,并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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