3d-ic 文章最新資訊

美光移動裝置3D NAND解決方案　瞄準中高階手機市場

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。　　美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機總數(shù)的50%。　　而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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3D NAND風暴來襲，中國存儲器廠商如何接招?

中國正在下大力度推進存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。
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老杳:相比IC中國自主OS何以如此阿斗？

產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要扶植巨頭，因為他們不僅擁有人才管理、企業(yè)運營經(jīng)驗，也擁有全球領(lǐng)先的管理制度和激勵制度，自主OS要崛起沒有捷徑可走。
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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面對大陸攻勢　三星海力士強化3D NAND投資

　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，大陸半導體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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能與IC整合的超小尺寸光探測器

　　德國卡爾斯魯厄理工學院 (KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測光學資料路徑的創(chuàng)新光探測器，占位面積不到100平方微米… 　　玻璃纖維(glass fibers)有可能成為資訊時代的傳輸高速公路──德國卡爾斯魯厄理工學院 (Karlsruhe Institute of Technology，KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測光學資料路徑的創(chuàng)新光探測器(photo detector)，是玻璃纖維接收端的核心零組件;此成果為該類元件的尺寸設(shè)立了新標準，研究人員聲稱其占位面積不到100平
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Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動器IC，可將BOM元件數(shù)減少40%

　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導者Power Integrations公司今日推出適合于單級非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計中只需采用一個簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外，設(shè)計中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標準電感。LYTSwitch-7的
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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Digitimes：2016年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值受政策支持將成長15%

　　受惠于大陸經(jīng)濟持續(xù)成長，加上以中低階智能手機為主的行動裝置出貨量亦在此期間大幅成長，大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從2010年210.3億美元逐年成長至2015年579.7億美元，2010~2015年復合成長率達19.1%。DIGITIME Research預估，雖然智能手機出貨量成長趨緩，加上全球經(jīng)濟前景不確定性仍高，但在大陸IC內(nèi)需市場仍能穩(wěn)定成長，加上半導體產(chǎn)業(yè)政策支持推動下，2016年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達666.4億美元，年成長15%。　　十二五規(guī)劃期間，拜全球智能手機，尤其是中低階智能手機出貨大幅成長
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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3D保護玻璃市場產(chǎn)值將于18年超越2D保護玻璃

　　觸摸屏的保護玻璃，又稱之為保護蓋，用來保護顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機的不同設(shè)計需求，保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板的頂部，再根據(jù)保護玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機廠商越來越在外形和時尚設(shè)計方面競爭，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要，這也鼓勵著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護玻璃。　　2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預計將增至4,900萬片，占手機用保護玻璃市場總量的3.1%。IHS預測2017年其出貨量將飛漲103.9%達1億片的規(guī)模，
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全球IC產(chǎn)業(yè)“整并瘋”引燃的勞資糾紛不斷

　　同一家IC業(yè)者的前后兩場收購案引發(fā)不少勞資糾紛，在德國、美國與中國都有尚未平息的爭議… 　　Microchip的管理高層已經(jīng)平息了大多數(shù)因為收購Atmel以及Micrel而產(chǎn)生的異議，不過在三塊大陸上仍有零星的不滿聲音。　　有一個駐在德國德勒斯登(Dresden)的前Atmel設(shè)計團隊要求Microchip支付遣散費，聲稱該公司是做出錯誤的裁員決定;另外在美國有一小群前Atmel員工也要求拿到他們認為是前東家承諾支付的遣散費;還有在中國上海，有前Micrel員工抗議裁員。　　M
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3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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WSTS：2016年全球半導體市場將萎縮2.4%

　　根據(jù)WSTS的資料指出，2016年全球半導體市場將下滑2.4%。　　根據(jù)歐洲半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(ESIA)引用世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)的資料指出，2016年全球半導體市場將下滑2.4%達到3,270億美元，而在隨后的幾年可望看到整體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)趨于適度成長。　　WSTS一改先前對于2016年的成長預測，同時也延緩對于成長前景的預期。根據(jù)該市調(diào)公司的最新估計，全球半導體市場可望在2017年和2018年之間看到成長，成長力道主要來自亞太地區(qū)，以及光電、感測器與類比IC市場的成長。　　 &
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]