3d tof 文章最新資訊

3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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ST多區(qū)ToF：厲害的VL53L5，以及更厲害的L7、L8

VL53L5、VL53L7、VL53L8都是基于ST的FlightSense技術(shù)的多區(qū)飛行時(shí)間（ToF）傳感器。所有ST多區(qū)飛行時(shí)間傳感器有以下共同特點(diǎn)：? 都使用直方圖，并且擁有4X4或8X8個(gè)區(qū)域。? 具備自主模式，無(wú)需與芯片進(jìn)行交互。一旦設(shè)置了開(kāi)始及中斷時(shí)間，它會(huì)在觸發(fā)事件出現(xiàn)時(shí)自動(dòng)中斷。? 通過(guò)I2C接口，傳輸速率可達(dá)1兆赫。對(duì)于那些產(chǎn)生數(shù)據(jù)量巨大的應(yīng)用就非常方便。? 具備運(yùn)動(dòng)指示器，能夠提醒您是否有動(dòng)作發(fā)生。? 具有相同的軟件驅(qū)動(dòng)程序，在STM3
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局

從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高集成度
關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲(chǔ)

為什么仍然沒(méi)有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個(gè)良好的開(kāi)端，但接下來(lái)的步驟要困難得多。
關(guān)鍵字： 3D-IC HBM 封裝

飛行時(shí)間傳感器：技術(shù)原理與多元應(yīng)用

如果你對(duì)飛行時(shí)間不了解，別擔(dān)心，你來(lái)對(duì)地方了。飛行時(shí)間一詞幾乎就是字面意思，只不過(guò)飛行的對(duì)象是波長(zhǎng)為940納米，肉眼完全不可見(jiàn)的“光子”。我們發(fā)出一束激光；光子撞擊某個(gè)物體并反彈回來(lái)。當(dāng)光子反彈回來(lái)時(shí)，我們停止計(jì)時(shí)，獲得光飛行時(shí)長(zhǎng)，借此確定物體與我們之間的距離（以毫米為單位）。這項(xiàng)技術(shù)被稱(chēng)為光飛行時(shí)間距離測(cè)量（flight sense），該技術(shù)功耗相對(duì)較低，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于相機(jī)。飛行時(shí)間的概念很簡(jiǎn)單，您只需要使用一個(gè)小模塊便可輕松將這個(gè)“簡(jiǎn)單”的技術(shù)應(yīng)用在您的方案中。而這個(gè)模塊本身并不簡(jiǎn)單，不僅僅是一片封裝在塑料
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
關(guān)鍵字： 3D NAND

TDK發(fā)布適用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車(chē)安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車(chē)應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤(pán)位置檢測(cè)、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
關(guān)鍵字： TDK ASIL C 3D HAL傳感器

使用一種高度集成的 ToF 位置傳感器進(jìn)行精確的距離測(cè)量

引言在許多應(yīng)用中，無(wú)法通過(guò)實(shí)際接觸來(lái)測(cè)量與目標(biāo)之間的距離。典型示例包括測(cè)量物流中心的傳送帶上是否存在物體，確保與運(yùn)動(dòng)中的機(jī)械臂保持安全距離，確定倉(cāng)庫(kù) 中人員或機(jī)器人相對(duì)于資產(chǎn)的位置。飛行時(shí)間 (ToF) 位置傳感器有助于利用光線到達(dá)物體及返回所需的時(shí)間來(lái) 測(cè)量距離。OPT3101 是高速、高分辨率 AFE 的一個(gè) 典型示例，適用于完全集成且基于 ToF 的連續(xù)波位置傳感器。該傳感器可在 15m 不模糊的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 16 位距離輸出。有關(guān) OPT3101 的更多信息，請(qǐng)參
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ST超低功耗飛行時(shí)間 (ToF) 傳感器：解鎖智能生活新場(chǎng)景

未來(lái)，ToF在接近檢測(cè)傳感器、人體存在檢測(cè)和激光自動(dòng)對(duì)焦等領(lǐng)域的應(yīng)用中不可估量。作為主要的ToF技術(shù)和方案提供商，意法半導(dǎo)體針對(duì)這些應(yīng)用需求不斷對(duì)產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)行更新迭代。為了讓飛行時(shí)間 (ToF) 傳感器達(dá)到最低功耗，ST開(kāi)發(fā)了一套驅(qū)動(dòng)程序，能夠有效地將FlightSense?傳感器配置為節(jié)能版接近檢測(cè)器。此外，一旦檢測(cè)到物體，驅(qū)動(dòng)程序會(huì)立即將傳感器切換回標(biāo)準(zhǔn)測(cè)距模式，充分發(fā)揮飛行時(shí)間 (ToF) 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。傳感器經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)，其設(shè)置和測(cè)距流程完全內(nèi)嵌于固件中，能夠顯著降低功耗。ST具有超低功耗 (ULP
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測(cè)量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測(cè)的
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3D ToF相機(jī)于物流倉(cāng)儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉(cāng)儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無(wú)人搬運(yùn)車(chē)移動(dòng)順暢，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問(wèn)題，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無(wú)人搬運(yùn)車(chē)AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
關(guān)鍵字： 3D IC chiplet Cadence

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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