2nm soc 文章 最新資訊
Arteris欒淏:可配置高性能互連架構(gòu)加速基于RISC-V的AI/ML與ADAS SoC
- 7月18日,第五屆RISC-V中國峰會(huì)在上海進(jìn)入分論壇環(huán)節(jié)。作為未來電子產(chǎn)業(yè)最龐大的應(yīng)用范疇之一,人工智能是不可回避的話題。人工智能的飛速發(fā)展,正以年均超過100%的算力需求增長驅(qū)動(dòng)底層架構(gòu)的革新,“開放、靈活、可定制”的RISC-V已成為構(gòu)建自主AI算力基石的戰(zhàn)略支點(diǎn)。人工智能分論壇邀請各方企業(yè)探討RISC-V架構(gòu)如何利用其開源、開放、可擴(kuò)展的特性,實(shí)現(xiàn)AI計(jì)算架構(gòu)的革新,以及RISC-V架構(gòu)在AI軟硬件的最新進(jìn)展和應(yīng)用落地情況。 Arteris首席架構(gòu)師欒淏詳細(xì)介紹了該公司在可配置高性能互連
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晶心科技:基于RISC-V處理器的大型AI/ML SoC架構(gòu)創(chuàng)新
- 7月18日,第五屆RISC-V中國峰會(huì)在上海進(jìn)入分論壇環(huán)節(jié)。作為未來電子產(chǎn)業(yè)最龐大的應(yīng)用范疇之一,人工智能是不可回避的話題。人工智能的飛速發(fā)展,正以年均超過100%的算力需求增長驅(qū)動(dòng)底層架構(gòu)的革新,“開放、靈活、可定制”的RISC-V已成為構(gòu)建自主AI算力基石的戰(zhàn)略支點(diǎn)。人工智能分論壇邀請各方企業(yè)探討RISC-V架構(gòu)如何利用其開源、開放、可擴(kuò)展的特性,實(shí)現(xiàn)AI計(jì)算架構(gòu)的革新,以及RISC-V架構(gòu)在AI軟硬件的最新進(jìn)展和應(yīng)用落地情況。 作為RISC-V基金會(huì)創(chuàng)始會(huì)員之一,晶心科技率先采用RISC-
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英特爾積極行動(dòng):據(jù)報(bào)道,諾瓦湖在臺積電的 2 納米工藝上量產(chǎn),18A 良率提升速度加快
- 盡管面臨大規(guī)模裁員,英特爾在其下一代旗艦處理器和 18A 良率方面顯示出積極的進(jìn)展。據(jù) TechPowerUp 和 SemiAccurate 報(bào)道,英特爾的“諾瓦湖-S”客戶端 CPU 據(jù)報(bào)道已在臺灣臺積電的 2 納米工廠完成量產(chǎn)報(bào)道顯示,英特爾幾周前在臺積電的 2 納米工藝上完成了一個(gè)計(jì)算單元的量產(chǎn),表明諾瓦湖-S 將可能結(jié)合英特爾 18A 和臺積電的 N2 技術(shù)用于其計(jì)算單元。據(jù)報(bào)道,這種做法為英特爾提供了一種備用方案,以防 18A 面臨延遲或需求超過其內(nèi)部產(chǎn)能
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GenAI的驚人速度正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)
- 人類正在目睹一場如此極端的技術(shù)革命,其全部規(guī)??赡艹鑫覀兊闹橇Ψ秶I墒?AI (GenAI) 的性能每六個(gè)月翻一番 [1],超過了業(yè)界所說的超級摩爾定律的摩爾定律。一些云 AI 芯片制造商預(yù)計(jì)未來十年每年的性能將翻倍或翻三倍 [2]。在這個(gè)由三部分組成的博客系列中,我們將探討當(dāng)今的半導(dǎo)體格局和創(chuàng)新芯片制造商戰(zhàn)略,在第二部分深入探討未來的重大挑戰(zhàn),并在第三部分通過研究推動(dòng) AI 未來的新興變化和技術(shù)來結(jié)束。按照這種爆炸性的速度,專家預(yù)測通用人工智能 (AGI) 將在 2030 年左右實(shí)現(xiàn) [3][4]
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AI將高端移動(dòng)設(shè)備從 SoC 推向多晶粒
- 先進(jìn)封裝正在成為高端手機(jī)市場的關(guān)鍵差異化因素,與片上系統(tǒng)相比,它實(shí)現(xiàn)了更高的性能、更大的靈活性和更快的上市時(shí)間。單片 SoC 可能仍將是低端和中端移動(dòng)設(shè)備的首選技術(shù),因?yàn)樗鼈兊耐庑纬叽纭⒔?jīng)過驗(yàn)證的記錄和較低的成本。但多晶片組件提供了更大的靈活性,這對于 AI 推理和跟上 AI 模型和通信標(biāo)準(zhǔn)的快速變化至關(guān)重要。最終,OEM 和芯片制造商必須決定適應(yīng)設(shè)計(jì)周期變化的最佳方式,以及瞄準(zhǔn)哪些細(xì)分市場。Synopsys 移動(dòng)、汽車和消費(fèi)類 IP 產(chǎn)品管理執(zhí)行董事兼 MIPI 聯(lián)盟主席 Hezi Saar
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據(jù)報(bào)道,華為 Mate 80 將搭載麒麟 9030 芯片,性能提升 20%,傳聞將延續(xù) 7nm 工藝
- 華為下一代旗艦智能手機(jī) Mate 80 預(yù)計(jì)將在第四季度發(fā)布,所有人的目光都聚焦于它將搭載的處理器。但根據(jù) Wccftech 和中國媒體 IC 智能的消息,該設(shè)備傳聞將配備麒麟 9030 芯片,可能延續(xù)其前代產(chǎn)品麒麟 9020 所使用的 7nm 工藝。據(jù)報(bào)道,Buzz 稱麒麟 9030 芯片性能將提升 20%,但不確定其與哪款早期芯片進(jìn)行了對比。Wccftech 指出,如果它仍然采用 7 納米工藝,那么這樣的提升在沒有升級光刻技術(shù)的情況下將是一個(gè)顯著的飛躍。根據(jù)華為中央報(bào)道,
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晶圓代工復(fù)蘇勢頭強(qiáng)勁 三星接近與高通2nm合作
- 根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報(bào)道,三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個(gè)主要客戶。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)邁出了重要一步,該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題,并失去了臺積電的關(guān)鍵客戶。據(jù)報(bào)道,高通正在使用三星的 2nm 技術(shù)對多款芯片進(jìn)行量產(chǎn)測試,包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動(dòng)處理器的高級版本。這款代號為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體?;景姹绢A(yù)計(jì)將由臺積電使用其 3nm 工藝
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高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工,專供三星Galaxy系列
- 據(jù)外媒Business Post報(bào)道,三星計(jì)劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機(jī),除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外,還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片,可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是,這款高通芯片將不再由臺積電獨(dú)家使用N3P制程代工,而是部分交由三星2nm制程代工,專為三星Galaxy系列設(shè)備定制。報(bào)道顯示,高通的下一代芯片策略將有重大調(diào)整,計(jì)劃為新一代驍龍旗艦手機(jī)芯片開發(fā)兩個(gè)版本。一個(gè)版本采用臺積電3nm制程,供
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三星接近與高通達(dá)成2納米代工協(xié)議,隨著晶圓代工業(yè)務(wù)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)
- 根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報(bào)道,三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個(gè)主要客戶。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)復(fù)蘇的重要一步,該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題和關(guān)鍵客戶流失給臺積電的情況。據(jù)報(bào)道,高通正在使用三星的 2 納米技術(shù)對數(shù)款芯片進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)測試,包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動(dòng)處理器。這款芯片的代號為“Kaanapali”,將提供兩種變體。基礎(chǔ)版本預(yù)計(jì)將由臺積電使用其 3 納米工藝生產(chǎn),而高端版“Kaanapali
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三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進(jìn),2028-29前不太可能實(shí)現(xiàn)1.4nm
- 據(jù)報(bào)道,隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標(biāo)是在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn),三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱,它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當(dāng)前先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的良率,尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是,雖然沒有給出修改后的時(shí)間表,但該報(bào)告表明,三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱,該更新是在 6 月初的三星“SAFE(三星高級代工生態(tài)系統(tǒng))論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報(bào)道,在此次活動(dòng)中,三星透
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Q1手機(jī)SoC市占 聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居冠
- 智能手機(jī)處理器將要邁入新世代,研調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint指出,隨著生成式AI手機(jī)快速普及,對高效能與低功耗的需求水漲船高,至2026年全球?qū)⒂屑s三分之一智慧型手機(jī)SoC采用3納米或2納米先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)。另一方面,蘋果全新基礎(chǔ)模型框架將允許第三方開發(fā)者允許存取蘋果所內(nèi)建的LLM,在App中整合蘋果AI,外界解讀是擴(kuò)大蘋果AI生態(tài)系的重要進(jìn)展,安卓陣營包括聯(lián)發(fā)科(2454)、高通嚴(yán)陣以待。今年第一季手機(jī)SoC(系統(tǒng)單晶片)市場,聯(lián)發(fā)科以36%市占領(lǐng)先高通28%,蘋果則以17%排名第三; Counterpo
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三星推動(dòng)2納米技術(shù)突破,業(yè)界押注臺積電3納米鰭式場效應(yīng)晶體管
- 市場傳言越來越多,稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā),計(jì)劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝,可能試圖超越臺積電。然而,據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱, 商業(yè)時(shí)報(bào)報(bào)道,三星當(dāng)前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應(yīng)晶體管節(jié)點(diǎn)相當(dāng),這引發(fā)了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強(qiáng)大的 3 納米鰭式場效應(yīng)晶體管一代的擔(dān)憂。同時(shí),臺積電繼續(xù)擴(kuò)展其 3 納米工藝系列,包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應(yīng)用變體。該報(bào)告指出,這些節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將仍然是主要客戶的首選。
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2納米芯片制造激烈競爭:良率差距顯著
- 在持續(xù)進(jìn)行的半導(dǎo)體行業(yè)競爭中,臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報(bào)道,兩家公司計(jì)劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而,由于良率優(yōu)勢,臺積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單,預(yù)計(jì)將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極(GAA)架構(gòu)。新工藝預(yù)計(jì)將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能,降低 25%至 30%的功耗,并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報(bào)包括 AMD、蘋果、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科。值
- 關(guān)鍵字: 制程 2nm 三星 臺積電
英偉達(dá)Arm PC芯片亮相即巔峰?

- 一塊搭載了英偉達(dá)N1X處理器的惠普開發(fā)板(HP 83A3)在Geekbench上亮相。在Geekbench的測試中,運(yùn)行Linux(Ubuntu 24.04.1)的N1X處理器在單核測試中獲得了3096分,在多核測試中獲得了18837分,平均頻率為4GHz。數(shù)據(jù)顯示這款處理器為20線程配置,由于Arm通常沒有像英特爾那樣的超線程技術(shù),因此很可能是20個(gè)物理核心,類似于英偉達(dá)迷你超算所搭載的GB10。同時(shí),該開發(fā)板可能配備128GB系統(tǒng)內(nèi)存,其中8GB預(yù)留給GPU。其性能已經(jīng)接近甚至超過了當(dāng)前市場上的一些頂
- 關(guān)鍵字: 英偉達(dá) Arm PC 芯片 SoC 處理器 聯(lián)發(fā)科
2nm soc介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條2nm soc!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對2nm soc的理解,并與今后在此搜索2nm soc的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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