EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器 文章 最新資訊
FPGA助力高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)
- 高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在滿足關(guān)鍵時(shí)序余量的同時(shí)要力爭(zhēng)獲得更高性能,而存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)則是一項(xiàng)艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來把數(shù)據(jù)和時(shí)鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器傳送到接收器。接收器接口內(nèi)部利用時(shí)鐘來鎖存數(shù)據(jù),此舉可消除接口控制問題(例如在存儲(chǔ)器和FPGA間的信號(hào)傳遞時(shí)間),但也為設(shè)計(jì)師帶來了必須解決的新挑戰(zhàn)。 關(guān)鍵問題之一就是如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口。隨著數(shù)據(jù)有效窗越來越小,該問題也益發(fā)重要;同時(shí),更具挑戰(zhàn)性的問題是,如何讓接收到的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)中
- 關(guān)鍵字: FPGA 存儲(chǔ)器 接口 模擬IC
FPGA助力高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)
- 高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在滿足關(guān)鍵時(shí)序余量的同時(shí)要力爭(zhēng)獲得更高性能,而存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)則是一項(xiàng)艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來把數(shù)據(jù)和時(shí)鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器傳送到接收器。接收器接口內(nèi)部利用時(shí)鐘來鎖存數(shù)據(jù),此舉可消除接口控制問題(例如在存儲(chǔ)器和FPGA間的信號(hào)傳遞時(shí)間),但也為設(shè)計(jì)師帶來了必須解決的新挑戰(zhàn)。 關(guān)鍵問題之一就是如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口。隨著數(shù)據(jù)有效窗越來越小,該問題也益發(fā)重要;同時(shí),更具挑戰(zhàn)性的問題是,如何讓接收到的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)中心
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FPGA 存儲(chǔ)器 接口 存儲(chǔ)器
RAMTRON推出2兆位 (Mb) 并行存儲(chǔ)器產(chǎn)品
- 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存儲(chǔ)器產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb并行非易失性RAM,具有訪問速度快、NoDelay 無寫等待、無限次讀/寫和低功耗等特點(diǎn)。FM21L16與異步靜態(tài)RAM (SRAM) 管腳兼容,其目標(biāo)應(yīng)用是以SRAM為基礎(chǔ)的工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、汽車
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) RAMTRON 并行存儲(chǔ)器 FM21L16 存儲(chǔ)器
索尼與奇夢(mèng)達(dá)組建合資公司 開發(fā)DRAM儲(chǔ)存芯片
- 地時(shí)間本周二,日本索尼和德國(guó)芯片制造商奇夢(mèng)達(dá)宣布,它們計(jì)劃建立一個(gè)芯片設(shè)計(jì)合資機(jī)構(gòu),開發(fā)消費(fèi)電子和游戲機(jī)使用的DRAM儲(chǔ)存芯片。 兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱,新的合資機(jī)構(gòu)稱為 Qreatic Design,計(jì)劃在今年年前在東京成立,在由雙方30名專家組成的芯片設(shè)計(jì)合資公司中,兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的DRAM芯片。 奇夢(mèng)達(dá)是全球最大的DRAM儲(chǔ)存芯片制造商之一,盡管索尼內(nèi)部擁有它自己的芯片設(shè)計(jì)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 索尼 奇夢(mèng)達(dá) DRAM 存儲(chǔ)器
日立將售硬盤部門股份 股票暴漲達(dá)4年來頂峰
- 9月29日消息,據(jù)外電報(bào)道,日立正在考慮把將其硬盤部門的股份出售給戰(zhàn)略投資者以幫助它扭轉(zhuǎn)虧損的硬盤業(yè)務(wù)。 日立要出售其硬盤業(yè)務(wù)部門股份的消息傳出之后,日立股票上漲了7%,達(dá)到了一個(gè)月的最高點(diǎn)。這是四年以來日立股票單日最大的漲幅。 日立自從2002年以20億美元收購(gòu)IBM硬盤業(yè)務(wù)部門以來,由于硬盤價(jià)格下降,日立的硬盤業(yè)務(wù)一直沒有盈利。 Ichiyoshi投資管理公司首席基金經(jīng)理Mitsushige Akino表示,這是日立的一個(gè)巨大變化。現(xiàn)在正是時(shí)機(jī)。隨著硬盤向非PC領(lǐng)域擴(kuò)張,日
- 關(guān)鍵字: 日立 硬盤部門 存儲(chǔ)器
中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存市場(chǎng)計(jì)劃遇到阻力
- 據(jù)一名外國(guó)分析師透露,中國(guó)晶圓代工廠中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.,以下簡(jiǎn)稱中芯國(guó)際)進(jìn)軍閃存市場(chǎng)的計(jì)劃明顯遇到了阻力。 早在2005年的時(shí)候,以色列的賽芬半導(dǎo)體有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯國(guó)際簽訂了一份晶圓代工協(xié)議。在賽芬的幫助下,中芯國(guó)際公司去年決定進(jìn)軍存儲(chǔ)卡市場(chǎng)。中芯國(guó)際擴(kuò)充了專利授權(quán)范圍,獲得了使用氮氧化合物閃存技術(shù)的權(quán)利,目的是開發(fā)和生產(chǎn)存儲(chǔ)卡。
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 閃存 存儲(chǔ)器
韓現(xiàn)半導(dǎo)為避免芯片價(jià)格下滑 禁走現(xiàn)貨渠道
- 全球第二大儲(chǔ)存芯片制造商韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體表示,為了避免芯片價(jià)格迅速下滑,公司將停止向現(xiàn)貨市場(chǎng)提供計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存芯片。 現(xiàn)代半導(dǎo)體發(fā)言人向媒體表示,為了提高靈活性并加強(qiáng)我們?cè)谄谪浭袌?chǎng)的地位,我們將停止通過現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售我們的DRAM儲(chǔ)存芯片。發(fā)言人表示,停止向現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售產(chǎn)品的決定從已經(jīng)從九月份生效,但發(fā)言人沒有提供具體日期。 發(fā)言人同時(shí)拒絕透露將在什么時(shí)候重新向現(xiàn)貨市場(chǎng)提供產(chǎn)品?,F(xiàn)代半導(dǎo)體表示,通常在公司銷售的全部芯片中,現(xiàn)貨市場(chǎng)的比例大約占15%,其余的在期貨市場(chǎng)銷售。 分析師對(duì)現(xiàn)代
- 關(guān)鍵字: 現(xiàn)代半導(dǎo)體 儲(chǔ)存芯片 存儲(chǔ)器
RAMTRON推出2KB鐵電微控制器 VRS51L3072
- 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產(chǎn)品中,以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理系統(tǒng),而這是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性變量的理想
- 關(guān)鍵字: 工業(yè)控制 RAMTRON 存儲(chǔ)器 微控制器 工控機(jī)
RAMTRON推出2KB鐵電存儲(chǔ)器微控制器
- 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產(chǎn)品中,以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理系統(tǒng),而這是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性變量的理想
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) F-RAM 電存儲(chǔ)器 微控制器 存儲(chǔ)器
利用直接時(shí)鐘控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器接口數(shù)據(jù)采集
- 提要 本應(yīng)用指南介紹了在 VirtexTM-4 器件中實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器接口的直接時(shí)鐘控制數(shù)據(jù)采集技術(shù)。直接時(shí)鐘控制方案利用了 Virtex-4 系列所獨(dú)有的某些架構(gòu)特性(例如,每個(gè) I/O 模塊 (IOB) 中均具備一個(gè) 64-tap 的絕對(duì)延遲線)。 簡(jiǎn)介 大多數(shù)存儲(chǔ)器接口都是源同步接口,從外部存儲(chǔ)器器件傳出的數(shù)據(jù)和時(shí)鐘/ 選通脈沖是邊沿對(duì)齊的。在 Virtex-4 器件采集這一數(shù)據(jù),需要延遲時(shí)鐘/ 選通脈沖或數(shù)據(jù)。利用直接時(shí)鐘控制技術(shù),數(shù)據(jù)經(jīng)延遲,并與內(nèi)部 FPGA 時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)中心對(duì)齊。在這
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 時(shí)鐘控制技術(shù) 存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器
DRAM價(jià)格跌至新低 分析師稱還可能進(jìn)一步下滑
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競(jìng)爭(zhēng)使得內(nèi)存價(jià)格猛跌,行業(yè)分析師預(yù)測(cè),DRAM價(jià)格還將進(jìn)一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價(jià)格已比兩周前下跌了12.5%,周二時(shí)跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運(yùn)營(yíng)一家對(duì)內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對(duì)用戶產(chǎn)生三個(gè)重大影響:第一,DRAM價(jià)格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM DDR DDR2 存儲(chǔ)器
美開發(fā)新型納米內(nèi)存器件 數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)10萬年
- 你是否想像過這種情景:在一個(gè)很小的內(nèi)存器件中存儲(chǔ)數(shù)百部高分辨率電影,并且不用等待數(shù)據(jù)緩沖就可以下載并播放它們;或者在無需將操作系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到有源內(nèi)存的情況下,你的筆記本電腦在短短幾秒鐘內(nèi)就可以啟動(dòng)? 美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)研究人員已開發(fā)出的一種新型納米器件,也許能將這些想象變成現(xiàn)實(shí)。這種納米器件能存儲(chǔ)10萬年的電腦數(shù)據(jù),檢索數(shù)據(jù)的速度比現(xiàn)有的,像閃存和微型硬盤之類的便攜式存儲(chǔ)設(shè)備快1000倍,而且比目前的內(nèi)存技術(shù)更省電、存儲(chǔ)空間更小。 該校材料科學(xué)與工程系副教授阿格瓦爾及同事采用自組裝工藝,用納米金屬
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 納米器件 微型硬盤 電流感應(yīng) 存儲(chǔ)器
TMS320F2812外部接口分析與存儲(chǔ)器擴(kuò)展
- TMS320F2812是德州儀器(TI)公司專門為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新一代DSP處理器,它的性能大大優(yōu)于當(dāng)前廣泛使用的TMS320LF240x系列。該芯片為32位定點(diǎn)DSP,最高主頻150 MHz,最小指令周期6.67 ns,外部采用低頻時(shí)鐘,通過片內(nèi)鎖相環(huán)倍頻;相對(duì)于TMS320LF2407只能尋址192 KB地址空間,該芯片的外部接口最多可尋址4 MB的空間;有3個(gè)獨(dú)立的片選信號(hào),并且讀/寫時(shí)序可編程,兼容不同速率的外設(shè)擴(kuò)展;通過配置外部接口寄存器,在訪問外部設(shè)備
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) TMS320F2812 DSP 存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器
飛思卡爾為存儲(chǔ)市場(chǎng)推出PowerQUICC系列
- 消費(fèi)及中小型企業(yè)(SMB)市場(chǎng)的存儲(chǔ)和打印設(shè)備生產(chǎn)商現(xiàn)在可以應(yīng)用飛思卡爾推出的具有卓越性能、高度集成和業(yè)內(nèi)領(lǐng)先安全性的PowerQUICC II Pro產(chǎn)品線的最新成員。 飛思卡爾存儲(chǔ)系列以較高的性價(jià)比集出色的性能、集成、安全和功率管理功能于一身。該處理器集成了大量對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)成功具有重要意義的技術(shù),包括SATA、PCI Express、 USB 2.0、千兆以太網(wǎng)、XOR加速和高性能安全功能。 飛思卡爾副總裁兼聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)事業(yè)部總經(jīng)理Chekib Akrout表示,“每一次連接都非常重要,
- 關(guān)鍵字: 工業(yè)控制 飛思卡爾 PowerQUICC 存儲(chǔ)器
RAMTRON擴(kuò)展其非易失性狀態(tài)保存器系列功能
- 非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布擴(kuò)展其非易失性狀態(tài)保存器系列,推出4位狀態(tài)保存器,以4位 F-RAM技術(shù)為基礎(chǔ),無需耗電即可保存邏輯狀態(tài),并在上電時(shí)自動(dòng)恢復(fù)輸出。任何狀態(tài)改變均會(huì)自動(dòng)記錄在非易失性的鐵電鎖存內(nèi),這是因?yàn)镕-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)具備獨(dú)特的高速寫入能力和低功耗特性,以及極高的耐用性。 FM111x 4位狀態(tài)保存器目前有三款產(chǎn)品:即工作電壓為5V的FM1110;以及工作電壓為3V的FM1
- 關(guān)鍵字: RAMTRON 非易失性狀態(tài)保存器 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
