存儲器 文章 最新資訊
內(nèi)存DRAM芯片價格達谷底即將回調(diào)
- 路透社:亞洲內(nèi)存制造商:DRAM芯片價格已到谷底,7月開始回調(diào) 亞洲芯片制造商上周末召開了會議,研究結果表明內(nèi)存DRAM芯片價格已經(jīng)達到了波谷,未來將有所上浮。 據(jù)路透社報道,在上周四的全球市場上,DRAM內(nèi)存平均售價再次下滑了五個百分點,而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。電腦內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導體甚至表示,內(nèi)存產(chǎn)品的售價迅速下調(diào),有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上,自從今年開始,某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價足足下滑了70%。 “如今的價格已經(jīng)幾乎達到了最低點,我們都在等待重新的
- 關鍵字: DRAM 存儲器
內(nèi)存價格暴跌損害利潤 三星Q2盈利前景堪憂
- 據(jù)國外媒體報道,本周五,內(nèi)存制造商三星電子公司一名高管稱,因半導體產(chǎn)品可能出現(xiàn)劇烈虧損,公司4-6月的財務狀況不可能比第一季度有所改善。 三星負責投資者關系的高級副總裁Chu Woo-sik稱:“與第一季度相比,第二季度難于獲得改善?!?nbsp; 當前急劇下跌的DRAM芯片價格將嚴重損害內(nèi)存制造企業(yè)2季度的盈利水平,這種局面已經(jīng)使許多內(nèi)存制造商感到擔憂。DRAM芯片廣泛用于個人電腦,某些關鍵芯片的價格已比年初時下跌了70%。 半導體部門占三星季度銷售額的三分之一左右,0
- 關鍵字: Q2 內(nèi)存價格 三星 消費電子 存儲器 消費電子
RAMTRON發(fā)布高速串行接口的PROCESSOR COMPANION系列
- Ramtron International Corporation宣布推出FM33x產(chǎn)品系列,這是帶高速串行接口(SPI) 的全新FRAM-Enhanced™ Processor Companions系列。FM33x系列在小型封裝中整合了非易失性RAM的所有特性,還包含全面廣泛的高度集成支持及外圍功能,適用于任何以處理器為基礎的設計。 Ramtron推出的33x Processor Companion系列包括兩個產(chǎn)品:FM3
- 關鍵字: RAMTRON 串行接口 單片機 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
希捷:未來三年中國硬盤營收增長幅度將超過PC
- 據(jù)國外媒體報道,全球最大的計算機硬盤生產(chǎn)商希捷科技日前表示,該公司計劃借助其在中國地區(qū)的生產(chǎn)能力,未來三年內(nèi)在中國市場實現(xiàn)營收增長幅度超過PC和筆記本市場增長幅度的目標。 希捷當天援引研究數(shù)據(jù)稱,截至2010年,中國PC市場年平均增長幅度將介于10%和15%之間,而筆記本市場年平均增長幅度預計達到30%。希捷科技中國區(qū)總經(jīng)理楊建初在接受路透社采訪時表示,硬盤市場應以PC和筆記本市場相同的幅度進行增長。 在截至今年3月底的第三財季,希捷銷售收入達到28億美元,其中亞太地區(qū)占43%,同
- 關鍵字: 希捷 消費電子 硬盤 存儲器 消費電子
硬盤業(yè)務每況愈下 日立考慮采取更多改革措施
- 據(jù)國外媒體報道,日立公司日前表示,為了扭轉虧損的硬盤業(yè)務,該公司可能采取更多額外措施,但目前看來,日立硬盤業(yè)務今年很有可能繼續(xù)虧損。 日立總裁古川一夫在談及該公司中期業(yè)務計劃時對業(yè)內(nèi)分析人士及新聞媒體表示,由于第一季度虧損180億日元,再加上第二季度形勢嚴峻,今年硬盤業(yè)務可能將虧損330億日元,因此我們有必要尋找額外的改革措施并認真進行考慮,以便達到盈利的目的。 盡管如此,古川一夫當天并未透露日立目前正在考慮具體哪些額外措施,但根據(jù)中期計劃,日立計劃將分支機構數(shù)量從目前的885家削
- 關鍵字: 日立 消費電子 硬盤 存儲器 消費電子
Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02
- Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02,具有空前的混合信號和非易失存儲功能集成度。 DS28DG02功能和容量具有很高的集成度,通常可節(jié)省20%的PCB空間和30%的成本。由于采用更少的元件,使得終端設備的制造廠商可以減少材料清單數(shù),從而降低了生產(chǎn)成本,并提高了設備的可靠性。通過簡化硬件的復雜度,并采用單個器件實現(xiàn)軟件通信,使產(chǎn)品設計人員的設計周期得到了縮短。該新型存儲器件具有空前大的陣列容量,能夠用于多種應用,包括通信、醫(yī)療、消費品和工業(yè)終端設備。 與傳
- 關鍵字: Dallas DS28DG02 存儲器件 單片機 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
富士通推出配備FeRAM的通用微控制器投放
- 富士通在2007年5月16日開幕的“第10屆嵌入系統(tǒng)開發(fā)技術展(ESEC)”上,參考展出了配備強電介質(zhì)內(nèi)置內(nèi)存(FeRAM,鐵電內(nèi)存)的通用8bit微控制器。評測用芯片“MB95RV100”近日即可供應,計劃2008年前后量產(chǎn)供貨。CPU內(nèi)核采用“F2MC-8FX”,工作頻率為10MHz。首先面向密鑰數(shù)據(jù)的保存用途投放市場。 配備FeRAM的微控制器最初只應用于數(shù)據(jù)保存區(qū)域(原有微控制的RAM部分)。程序保存區(qū)域預定以掩膜ROM的形式提供。產(chǎn)品系列計劃對于數(shù)據(jù)保存用途推出FeRAM分
- 關鍵字: 富士 投放 微控制器 存儲器
內(nèi)存價格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日,DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈,業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,從5月18日開始,包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當中,eTT壓低內(nèi)存升幅最大,達到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋,而來自內(nèi)存模組廠的消息稱,由于DRAM廠商
- 關鍵字: 內(nèi)存 消費電子 存儲器 消費電子
內(nèi)存價格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日,DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈,業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,從5月18日開始,包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當中,eTT壓低內(nèi)存升幅最大,達到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋,而來自內(nèi)存模組廠的消息稱,由于DRA
- 關鍵字: 內(nèi)存 存儲器
PC大廠刻意壓低內(nèi)存 上下游博弈仍在繼續(xù)
- 內(nèi)存顆粒在最近一兩天終于價格開始反彈,DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元,而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內(nèi)存業(yè)者表示,DRAM制造廠不再殺低出貨,再加上部份模組廠開始趁低收貨,是帶動近日DRAM現(xiàn)貨價跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟,因此DRAM價格是否就此落底,仍待進一步觀察。 創(chuàng)見上海代表處的總經(jīng)理顏明吉表示,此前內(nèi)存之所以狂跌,戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
- 關鍵字: PC 內(nèi)存 消費電子 存儲器 消費電子
DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價瀕臨變動成本
- 近來對于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況,原因在于DRAM售價重挫,幾乎已到了寧可關廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計劃,部分DRAM廠已正式啟動產(chǎn)能調(diào)配計劃,希望通過這樣動作來減少虧損,也因為DRAM廠已開始減產(chǎn),DRAM廠認為第三季度應該可以見到減產(chǎn)后對于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。 過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌,雖說目前價格略微回穩(wěn),不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴重虧損壓力,DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術時所需的變動成本,
- 關鍵字: DRAM 成本 消費電子 存儲器 消費電子
內(nèi)存狂跌引發(fā)質(zhì)量嚴重下滑 不良率數(shù)倍提升
- “憑良心來講,現(xiàn)在內(nèi)存的品質(zhì)整體來說真的很差?!蹦称放苾?nèi)存的一位高管向PConline產(chǎn)業(yè)資訊這樣透露。 根據(jù)相關人士透露,內(nèi)存晶元的測試,是晶元廠要另外要付費給專門的測試廠商。按照業(yè)界的概況,DDR2的顆粒一般好一點的原廠要測試800秒,普通的廠商是測試400秒。一般來說,原廠的品牌顆粒不太敢完全不測試,多少會測一下。但是現(xiàn)在測試時間變成了200秒或者100秒,甚至有些廠商只測50秒。 一般來說,如果經(jīng)過800秒完全測試,內(nèi)存顆粒的不良率可以低于500PPM(注1),非常的低。當測試時間從800秒
- 關鍵字: 不良率 內(nèi)存 消費電子 質(zhì)量 存儲器 消費電子
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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