存儲器文章最新資訊

NEC電子推出可用于內(nèi)置硬盤的機頂盒的芯片

NEC電子近日開發(fā)出了用于內(nèi)置硬盤(HDD)的機頂盒（STB）的系統(tǒng)芯片—“EMMA2SE（μPD61140）”，并將于即日起開始發(fā)售樣品。此外，NEC電子還將于今年6月起，推出在EMMA2SE的基礎(chǔ)上內(nèi)置了防非法使用功能的“EMMA2SE/P（μPD61142）”的樣品。這兩款新產(chǎn)品均為將接收、存儲、播放數(shù)字廣播所必需的功能集成到了1顆芯片上的圖像處理用系統(tǒng)芯片。新產(chǎn)品的主要特征包括：CPU的處理性能提高到了284MIPS，約為NEC電子以往產(chǎn)品的1.4倍；可外接容量達1G的外部存儲器；內(nèi)置USB功
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意法新款8引腳微控制器增加了存儲容量

8位微控制器的世界領(lǐng)導廠商意法半導體進一步完善了公司專門為簡單的低成本應(yīng)用設(shè)計的ST7UltraLite系列8引腳微控制器產(chǎn)品陣容，新的ST7FLITEU0系列產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的豐富外設(shè)基礎(chǔ)上擴大了存儲容量和有用的系統(tǒng)功能。采用8引腳的SO、DIP和0.9mm厚的DFN封裝，工作溫度高達125℃，新系列產(chǎn)品是HVAC(暖風、通風和空調(diào))、家電、照明控制和電動工具市場的最佳選擇。由于內(nèi)置的2KB閃存程序存儲器的容量是以前產(chǎn)品的二倍，同時還內(nèi)置一個128字節(jié)的數(shù)據(jù)EEPROM，新產(chǎn)品雖然
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三大DRAM廠商瘋狂擴產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰

　　據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。　　據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。　　美光科技由于預(yù)測07年受手機市場帶動，CIS（C
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NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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海力士半導體預(yù)期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉(zhuǎn)

　　5月16日，據(jù)香港媒體報道，海力士半導體高層主管今日表示，公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期，但是有望在7月或者8月開始得到好轉(zhuǎn)。　　海力士策略規(guī)劃資深副總裁O.C. Kwon對媒體表示，目前，移動存儲設(shè)備的價格尚沒有止跌，但是希望下半年通過供需的改善，需求應(yīng)該會快速成長。　　2006年，由于電腦存儲芯片需求超過預(yù)期，導致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中，最后導致供過于求。除了供需失衡影響外，微軟的Vista系統(tǒng)的相關(guān)新需求也令這些廠商們失望。
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存儲兩重天模擬獲利高

隨著各大半導體巨頭陸續(xù)公布2006年(日歷年)第四季度和全年財報，過去一年中半導體產(chǎn)業(yè)的一些脈絡(luò)也逐漸清晰起來。半導體市場規(guī)模在2006年創(chuàng)出新高之后，2007年有望繼續(xù)保持接近兩位數(shù)的增長，半導體產(chǎn)業(yè)的周期性明顯減弱。得益于存儲器市場的快速增長，海力士、奇夢達、Elpida、三星等公司的收入都有所增長，然而，DRAM市場與NAND、NOR閃存市場的冰火兩重天導致并非所有的存儲器廠家都笑逐顏開。雖然2006年半導體封裝測試業(yè)的收入大幅增長，但是芯片廠商尤其是模擬芯片廠商的利潤率還是在半導體行業(yè)中居于領(lǐng)先地
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IBM發(fā)布LT04磁帶系列產(chǎn)品高層解密07年策略

5月16日,IBM發(fā)布了基于LTO4(Linear Tape Open)標準的磁帶系列產(chǎn)品，新品集成了來自System Storage TS1120磁帶驅(qū)動器的磁帶加密工具。通過使用與TS1120相同的技術(shù)，LTO4磁帶系統(tǒng)可以在幾乎不影響驅(qū)動器性能的情況下對數(shù)據(jù)進行壓縮和加密，并能夠在運行中執(zhí)行加密數(shù)據(jù)檢查。就在半個月前，戴爾推出其全新存儲產(chǎn)品PowerVault LTO-4-120，Sun、惠普等廠商有計劃在未來幾天或幾周推出類似的產(chǎn)品。
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奇夢達DDR3內(nèi)存組件和模組經(jīng)過英特爾認證

　　奇夢達近日宣布，作為首批DRAM供應(yīng)商之一，已開始向重要的主板廠商和超頻內(nèi)存模組制造商提供全新的DDR3組件和模組。此外，奇夢達新一代DDR3 DRAM產(chǎn)品已通過英特爾平臺的認證。　　奇夢達目前可提供512 MB DDR3 SDRAM組件和具備512MB和1GB存儲密度的 DDR3非緩沖DIMM。當前提供的這些器件支持800MHz、1066MHz 和 1333MHz的工作速度，甚至可超頻到1600MHz及以上，使它們成為迄今為止行業(yè)速度最快的器件。超頻是提高高端應(yīng)用PC系統(tǒng)性能的常用技術(shù)，例如3
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意法半導體擁有最寬的串行EEPROM和專用存儲器

意法半導體是串行EEPROM（電可擦除可編程存儲器）即通過電可以重寫的非易失性存儲器芯片的世界第一大供應(yīng)商。這些存儲器的特點是粒度精細，因為支持字節(jié)更新或頁面更新，更新速度5毫秒到10毫秒，所以靈活性極高，EEPROM的耐擦寫性能遠遠高于100萬次，超過了絕大多數(shù)應(yīng)用的擦寫要求。然而，這一驚人的靈活性卻被存儲單元較大而導致存儲密度低的缺陷抵消了。因此，EEPROM 存儲器最適合存儲經(jīng)常更改參數(shù)的應(yīng)用。在下面的市場上，各種最終設(shè)備都使用內(nèi)置串口（如SPI和I2C）的EEPROM存儲器存儲參數(shù):
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華為大招存儲工程師將控股賽門鐵克合資公司

華為日前啟動了存儲及網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)品線的大規(guī)模招聘，涉及軟、硬件、測試、系統(tǒng)、質(zhì)量管理以及營銷等十余個崗位。目前，這些職位在華為官方網(wǎng)站均可查閱，招聘最晚截止時間持續(xù)到10月左右。目前華為的存儲與網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)品線員工規(guī)模有1000多人，此次大規(guī)模招聘的職位工作地點大部分位于深圳，北京、成都也有分布，其中不少職位還是專場招聘。此前有傳聞稱，華為將與全球安全領(lǐng)域巨頭賽門鐵克公司成立一家合資公司，重點開拓存儲與網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)品市場。華為人士側(cè)面證實了上述消息，并且透露與賽門鐵克原計劃5月的合作發(fā)布會將延期舉行。新公
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Gartner調(diào)查：上周DRAM內(nèi)存價格下跌5.7%

根據(jù)市場研究機構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù)，上周多種DRAM內(nèi)存的現(xiàn)貨價格繼續(xù)下跌，達到了新低，符合年度季節(jié)銷售的因素。上周各種密度個工藝技術(shù)的DRAM內(nèi)存現(xiàn)貨價格較先前的一周平均下跌5.7%，主流的512兆內(nèi)存的價格沒有做太多抵抗就下滑到了每個2美元以下。 512兆的DDR2內(nèi)存已經(jīng)在今年年初的價格基礎(chǔ)上下跌了三分之二，從每個6美元下跌到上周的每個1.95美元。Gartner建議在五月前半月合同談判的目標價位是每個1.8美元。
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億能推出支持EPP功能的超頻內(nèi)存模組

奇夢達品牌億能宣布推出全新的超頻內(nèi)存模組系列，該產(chǎn)品經(jīng)過專門的設(shè)計，可滿足苛刻用戶對超高速低遲延的內(nèi)存需求。全新的XTUNE™ 超頻系列由DDR2 1066MHz 超頻內(nèi)存模組構(gòu)成，可提供出眾的系統(tǒng)性能，同時不降低系統(tǒng)運行的速度、穩(wěn)定性和可靠性。憑借XTUNE系列，億能成為全球首家可提供無需較高工作電壓的高性能內(nèi)存模組的內(nèi)存廠商。1066MHz 雙列直插式內(nèi)存模組（DIMM）的工作電壓為標準1.8伏DDR2電壓。這可提升產(chǎn)品的可靠性和使用壽
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惠瑞捷半導體第100套存儲器測試系統(tǒng)發(fā)貨

全球領(lǐng)先的半導體測試公司惠瑞捷半導體科技近日宣布了其外包制造策略中的一項重大里程碑：由惠瑞捷合作伙伴――領(lǐng)先的電子制造服務(wù)供應(yīng)商(EMS)偉創(chuàng)力公司制造的第100臺VerigyV5000系列存儲器測試系統(tǒng)已經(jīng)發(fā)貨。 2006年3月，惠瑞捷選擇了偉創(chuàng)力作為其制造合作伙伴。2006年7月，由偉創(chuàng)力制造的第一臺V5000在客戶的工作地點進行了安裝，調(diào)試合格并被客戶認可。此后，由偉創(chuàng)力制造的另外99臺V5000系列存儲器測試系統(tǒng)發(fā)貨給了惠瑞捷的客戶，并且他們已經(jīng)完全掌握了這些新的系統(tǒng)。 &nb
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磁帶儲存市場惠普發(fā)貨量領(lǐng)先 IBM收入第一

據(jù)國外媒體報道，IDC公布最新調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2006年在全球磁帶儲存市場，惠普磁帶發(fā)貨量在全球的市場份額達到 34%位居第一;戴爾的市場份額為23%排名第二;IBM位居第三，它的市場份額為 15%;Quantum 公司仍然是磁帶市場關(guān)鍵的提供商，它的磁帶發(fā)貨量份額為14%排第四位。按銷售收入計算，IBM 磁帶銷售收入的市場份額為33%達到5.38億美元超過惠普排第一位，惠普收入為4.92億美元，份額為31%排名第二;戴爾的收入份額為14%排在第三位，Quantum
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中國集成電路市場存儲器廠商表現(xiàn)出色

與2005年相比，2006年中國集成電路市場前10大廠商基本沒有出現(xiàn)新面孔，僅有Infinoen被其分拆出的Qimonda取代，然而，市場排名卻發(fā)生了較大變化?？傮w來看，存儲器廠商所占的市場份額繼續(xù)擴大，而且排名有所上升，Hynix就是2006年中國集成電路市場的最大贏家，排名升至第三，打破了多年不變的中國IC市場前三甲格局，其46.1%的增長得益于DRAM市場的拉動。Intel依然保持第一，雖然其全球銷售有所下降，但是由于中國PC和筆記本出貨量依然較大，因此Intel在中國市場上依然保持增長，但16.2
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]