存儲(chǔ)器文章最新資訊

瑞薩松下開(kāi)發(fā)45nm傳統(tǒng)CMOS片上SRAM技術(shù)

　　瑞薩科技公司與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布共同開(kāi)發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）穩(wěn)定工作的技術(shù)，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）器件和微處理器（MPU）當(dāng)中。采用這種技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片的測(cè)試已經(jīng)得到證實(shí)，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)的用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)，一個(gè)
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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功

日前，Intel宣布，他們采用最新的65納米工藝制造SRAM（靜態(tài)存儲(chǔ)器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝制造出了70Mbit的大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器。　　靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）主要用作高速的存儲(chǔ)設(shè)備，例如處理器內(nèi)部的高速緩存等存儲(chǔ)設(shè)備?！　?5年11月，Intel首次宣布65nm制造工藝的時(shí)候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，現(xiàn)在能夠生產(chǎn)出70Mbit的SRAM將有助于將來(lái)處理器的制造。
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NOR標(biāo)準(zhǔn)化能否延續(xù)手機(jī)存儲(chǔ)器老大地位

市場(chǎng)調(diào)研表明，NOR閃存仍是手機(jī)存儲(chǔ)器的老大，它目前可以滿足95%以上手機(jī)存儲(chǔ)容量需求。但NOR閃存一直沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)化，給手機(jī)制造商帶來(lái)研發(fā)時(shí)間長(zhǎng)、沒(méi)有第二供貨源等難題。近日，Intel和ST共同宣布，兩家公司針對(duì)手機(jī)存儲(chǔ)子系統(tǒng)，制定了NOR閃存規(guī)范，并將針對(duì)手機(jī)市場(chǎng)各自獨(dú)立設(shè)計(jì)、制造軟硬件兼容的NOR閃存產(chǎn)品，這一舉措能否去除NOR的軟肋，使它延續(xù)在手機(jī)制造商處的熱度？手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)器依賴性增加今天，市場(chǎng)上的手機(jī)已經(jīng)成為流
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嵌入式存儲(chǔ)器面面觀

模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC（片上系統(tǒng)）。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲(chǔ)器，在SoC中所占的比重（面積）將逐漸增大。到2010 年，約90%的硅片面積都將被具有不同功能的存儲(chǔ)器所占據(jù)。另一方面，微處理器的速度以每年60%遞增，但主存的速度每年僅增長(zhǎng)10%左右。二者之間的性能差異越來(lái)越大。計(jì)算機(jī)
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KLA-Tencor 發(fā)布最新存儲(chǔ)和邏輯器件明場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)

　　KLA-Tencor 推出 28xx 明場(chǎng)檢測(cè)平臺(tái)的最新成員 2810 和 2815。通過(guò)特殊的光學(xué)配置，它們能有效地應(yīng)對(duì)亞 55 納米存儲(chǔ)器件和亞 45 納米邏輯器件生產(chǎn)中所面臨的獨(dú)特缺陷檢測(cè)挑戰(zhàn)。無(wú)論是適合存儲(chǔ)器件缺陷檢測(cè)的 2810 系統(tǒng)，還是適合邏輯器件檢測(cè)的 2815 系統(tǒng)，都依靠 KLA-Tencor 業(yè)界領(lǐng)先的全光譜光源技術(shù)以捕獲最廣泛的缺陷類型，包括嚴(yán)重影響成品率的沉浸光刻缺陷。與以往的 2800 系統(tǒng)相比，在同等靈敏度條件下，新系統(tǒng)可在多種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)兩倍以上的生產(chǎn)能力。　　“在
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富士通兩款2Mbit FRAM內(nèi)存芯片上市

富士通微電子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM內(nèi)存芯片已開(kāi)始供貨上市，該產(chǎn)品號(hào)稱為目前全球可量產(chǎn)的最大容量FRAM組件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片內(nèi)建非揮發(fā)性內(nèi)存，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入周期等特點(diǎn)，適用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機(jī)、測(cè)量?jī)x器及其它需使用非揮發(fā)性內(nèi)存來(lái)儲(chǔ)存各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件與保存安全信息的各項(xiàng)高階應(yīng)用。 &nb
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現(xiàn)貨市場(chǎng)熱銷將帶動(dòng)內(nèi)存合同價(jià)格上揚(yáng)

受近日現(xiàn)貨市場(chǎng)DRAM內(nèi)存價(jià)格出現(xiàn)反彈影響，業(yè)界人士指出將成為內(nèi)存合同價(jià)格出現(xiàn)大范圍反彈的信號(hào)。 DRAMeXchange表示，eTTDDR2內(nèi)存的價(jià)格在一個(gè)星期之內(nèi)上升了27.5%，在6月20日達(dá)到2.04美金。而DDR2內(nèi)存在同一時(shí)期也保持了20%的增幅，DDR2內(nèi)存現(xiàn)在價(jià)格已達(dá)到2.21美金（667MHz）和2.19美金（533MHz）。 eTT內(nèi)存主要供
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RAMTRON宣布推出基于8051微控制器VRS51L3174

Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174這款基于8051微控制器，帶有8KB非易失性FRAM內(nèi)存，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的44腳QFP封裝，可以簡(jiǎn)便的實(shí)現(xiàn)器件升級(jí)。Ramtron已將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理系統(tǒng)，而該系統(tǒng)只有FRAM-Enhanced™ (增強(qiáng)型) MCU才能提供。 VRS51L3174將8KB FRAM內(nèi)存與全
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DSP中的存儲(chǔ)器共享與快速訪問(wèn)技術(shù)設(shè)計(jì)

介紹了在多個(gè)DSP之間或者DSP與其他CPU之間存儲(chǔ)器共享技術(shù)的基本設(shè)計(jì)方法，重點(diǎn)介紹了如何在設(shè)計(jì)上提高存儲(chǔ)器的訪問(wèn)速度和克服訪問(wèn)競(jìng)爭(zhēng)的方法。
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DRAM價(jià)格回暖芯片廠商股價(jià)大幅上漲

今天，矽瑪特（SigmaTel）與珠海炬力集成電路設(shè)計(jì)有限公司就雙方正在進(jìn)行的專利糾紛達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議條款，雙方將撤銷所有針對(duì)對(duì)方的未決訴訟。同時(shí)，作為和解協(xié)議的一部分，雙方亦達(dá)成了為期三年的專利交叉授權(quán)協(xié)議。和解協(xié)議的財(cái)務(wù)條款不會(huì)對(duì)外公開(kāi)。此外，雙方還就彼此所擁有的全部專利，達(dá)成了交互授權(quán)協(xié)議。矽瑪特首席執(zhí)行官 Phil&nbs
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行業(yè)組織再推硬盤加密新標(biāo)準(zhǔn) 三年內(nèi)普及

　　海外媒體消息，可靠計(jì)算組織于6月19日公布了一項(xiàng)旨在加強(qiáng)存儲(chǔ)設(shè)備安全性的新標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)將大大提高現(xiàn)有存儲(chǔ)設(shè)備的安全性，預(yù)計(jì)會(huì)在以后的三年內(nèi)大規(guī)模推廣。　　該標(biāo)準(zhǔn)采用一種特殊的方法在存儲(chǔ)設(shè)備上建立一個(gè)分區(qū)，生成和保存密匙，防止未授權(quán)用戶訪問(wèn)設(shè)備上的數(shù)據(jù)。它同時(shí)還具有所謂的全盤加密功能，以防磁盤丟失。而且它還具備快速擦除能力，方便用戶重新定義。該技術(shù)還可以同其他加密技術(shù)合用，進(jìn)一步提高系統(tǒng)的安全性。　　目前生產(chǎn)帶全盤加密技術(shù)的硬盤的廠商有希捷和日立公司，它們針對(duì)的市場(chǎng)都是商用筆記本，實(shí)現(xiàn)得方式十分
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DRAM價(jià)格回暖芯片廠商股價(jià)大幅上漲

　　北京時(shí)間6月21日硅谷動(dòng)力從國(guó)外媒體處獲悉：當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格大幅上漲，包括韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價(jià)均呈現(xiàn)不同程度的上漲。　　根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，本周三512MB DDR2內(nèi)存的現(xiàn)貨價(jià)格上漲17%，這同時(shí)也是疲軟的內(nèi)存市場(chǎng)近期出現(xiàn)的罕見(jiàn)的價(jià)格反彈現(xiàn)象。由于產(chǎn)量增加再加上市場(chǎng)需求低于預(yù)期，今年DRAM芯片價(jià)格大幅下滑，各大內(nèi)存芯片廠商也因此受到不同程度影響。　　業(yè)內(nèi)分析人士指出，本周三內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格反彈可能也只是暫時(shí)現(xiàn)象，但同時(shí)也堅(jiān)
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富士通宣布批量提供2Mbit的鐵電存儲(chǔ)器IC

　　富士通微電子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微電子2兆位（Mbit）的FRAM存儲(chǔ)芯片，這是世界上批量生產(chǎn)的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲(chǔ)器具有高速數(shù)據(jù)寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機(jī)、測(cè)量?jī)x表及其它使用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件并安全保存信息的高端設(shè)備的理想選擇。　　FRAM的高速數(shù)據(jù)寫入和大量可用寫周期使得其可以作在辦公設(shè)備中存儲(chǔ)計(jì)數(shù)或參數(shù)、記錄各種事項(xiàng)之用。FRAM有100億個(gè)讀/寫周期，
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Freescale擴(kuò)展MRAM的產(chǎn)品系列

　　嵌入式半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的Freescale半導(dǎo)體成功推出3伏4Mbit擴(kuò)展溫度范圍（-40至+105C）非易失性RAM （nvRAM）產(chǎn)品，從而擴(kuò)展了公司獲獎(jiǎng)的磁電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）系列產(chǎn)品。該設(shè)備可用于惡劣的應(yīng)用環(huán)境，如工業(yè)、軍事、航空和汽車設(shè)計(jì)等。　　Freescale還通過(guò)推出一種1Mbit器件擴(kuò)展了它的商用MRAM 產(chǎn)品系列。該器件可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供一種密度選擇，并專注于主流嵌入式產(chǎn)品市場(chǎng)上的“sweet spot”。此外，F(xiàn)reescale還計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)
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Teradata采用LSI Engenio 6998存儲(chǔ)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)磁盤備份系統(tǒng)

　　LSI 公司日前宣布NCR旗下的Teradata公司已選用LSI為其下一代備份、存檔和恢復(fù)(BAR)解決方案提供企業(yè)關(guān)鍵數(shù)據(jù)保護(hù)。LSI Engenio 6998存儲(chǔ)系統(tǒng)產(chǎn)品將被用于Teradata新發(fā)布的9204磁盤備份(Backup-to-Disk,B2D)系統(tǒng)，提供給其數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)客戶。　　LSI和Teradata 已有15年的合作關(guān)系，此次新合作將充分發(fā)揮兩家公司在工程、銷售和市場(chǎng)之間的協(xié)力合作，為Teradata數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)客戶提供一款緊密集成的磁盤備份解決方案。　　Teradata研發(fā)部門
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]