存儲(chǔ)器文章最新資訊

基于單片機(jī)的自動(dòng)巡線輪式機(jī)器人控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種自動(dòng)巡線輪式行走機(jī)器人控制系統(tǒng)，采用AT89S52型單片機(jī)作為主控CPU，外加一個(gè)復(fù)雜可鳊程邏輯器件(CPID)協(xié)助CPU處理數(shù)據(jù)，擴(kuò)展了程序參數(shù)存儲(chǔ)器，能夠進(jìn)行檢測引導(dǎo)線和直流電機(jī)、舵機(jī)的PWM控制。關(guān)鍵詞：控制系統(tǒng)；復(fù)雜可編程邏輯器件；存儲(chǔ)器；光電檢測；脈沖寬度調(diào)制 1 引言輪式移動(dòng)機(jī)器人是機(jī)器人研究領(lǐng)域的一項(xiàng)重要內(nèi)容．它集機(jī)械、電子、檢測技術(shù)與智能控制于一體。在各種移動(dòng)機(jī)構(gòu)中，輪式移動(dòng)機(jī)構(gòu)最為常見。輪式移動(dòng)機(jī)構(gòu)之所以得到廣泛的應(yīng)用
關(guān)鍵字：控制系統(tǒng) 復(fù)雜可編程邏輯器件存儲(chǔ)器光電檢測脈沖寬度調(diào)制 MCU和嵌入式微處理器

基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會(huì)丟失，因此成為設(shè)計(jì)人員的首選。　　2 M25P80的介紹　　Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲(chǔ)量大，速度快;而串行Fl
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FPGA Flash 存儲(chǔ)器 MCU和嵌入式微處理器

帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘所具備的優(yōu)勢

　　1 概述　　隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Dallas Semi-conductor公司提供了無需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數(shù)據(jù)保持10年之久，與EEPROM和其他非易失存儲(chǔ)器不同的是：它不需要考慮系統(tǒng)復(fù)雜性、過度開銷以及可靠性等問題。從1992年出現(xiàn)第一塊FRAM至今，鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)技術(shù)已趨于成熟。　　2 非易失存儲(chǔ)器　　目前，非易失存儲(chǔ)技術(shù)主要有3種：電池備份的SRA
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) DS32X35 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 FRAM 存儲(chǔ)器

RAMTRON的F-RAM存儲(chǔ)器榮獲《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》EDN CHINA創(chuàng)新獎(jiǎng)

　　非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布榮獲業(yè)界知名的《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志EDN China頒發(fā)2007年度創(chuàng)新獎(jiǎng)之優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。Ramtron的FM22L16產(chǎn)品是半導(dǎo)體行業(yè)首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存儲(chǔ)器，獲評(píng)委會(huì)及數(shù)以千計(jì)《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》的讀者選為數(shù)據(jù)IC與可編程邏輯類別的優(yōu)秀產(chǎn)品。　　Ramtron亞太區(qū)域總監(jiān)徐夢(mèng)嵐稱：“我們非常高興獲得業(yè)界知名的《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志頒發(fā)的獎(jiǎng)
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 RAMTRON 存儲(chǔ)器電子設(shè)計(jì)技術(shù) 消費(fèi)電子

內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器MCM69C232及其應(yīng)用

　　內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器CAM(Coment-Addressable Memo-ry)以內(nèi)容進(jìn)行尋址的存儲(chǔ)器，是一種特殊的存儲(chǔ)陣列RAM。它的主要工作機(jī)制就是將一個(gè)輸入數(shù)據(jù)項(xiàng)與存儲(chǔ)在CAM中的所有數(shù)據(jù)項(xiàng)自動(dòng)同時(shí)進(jìn)行比較，判別該輸入數(shù)據(jù)項(xiàng)與CAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)項(xiàng)是否相匹配，并輸出該數(shù)據(jù)項(xiàng)對(duì)應(yīng)的匹配信息。美Motorola公司的CAM芯片MCM69C232在市場上是性價(jià)比較高的產(chǎn)品，因而被廣泛地應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、模式識(shí)別等領(lǐng)域，其用于數(shù)據(jù)檢索的優(yōu)勢是軟件無法比擬的，可以極大地提高系統(tǒng)性能。　　1 MCM69C23
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移動(dòng)存儲(chǔ)器全面解析

似乎每天都有新的海量存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)問世。CompactFlash(CF)曾一度獨(dú)步天下，但是今天，新設(shè)備制造商不得不在CF、安全數(shù)據(jù)(SD)、SDIO、多媒體存儲(chǔ)卡(MMC)、RS-MMC、MMC Plus、MemoryStick、XD-Picture(XD)和CE-ATA等等這些海量存儲(chǔ)器之間做出選擇。有時(shí)，一種新標(biāo)準(zhǔn)具有明顯優(yōu)勢；而另外一些時(shí)候，新標(biāo)準(zhǔn)和已有標(biāo)準(zhǔn)又像是在重蹈Betamax與VHS格式間的對(duì)決，在先期很難看到誰將取得勝利。 CF標(biāo)準(zhǔn)是所有小型海量存儲(chǔ)器的鼻祖，10多年前
關(guān)鍵字：移動(dòng) 存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)

HDS召開合作伙伴峰會(huì) 劍指中小企業(yè)存儲(chǔ)市場

　　日前，日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司(HDS)召開2007中國合作伙伴峰會(huì)。日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司亞太區(qū)以及本地高層向來自全國各地的渠道合作伙伴發(fā)出了“提升合作，共鑄輝煌”的倡議，與合作伙伴深度交流，交換意見和看法，以期進(jìn)一步增強(qiáng)公司銷售渠道的力量，提高市場份額。　　在本次大會(huì)中，日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司還向合作伙伴推出了針對(duì)中小企業(yè)的Simple Modular Storage(普及型存儲(chǔ)解決方案)，借此推動(dòng)中國中小用戶以及大中型用戶分散式、部門式存儲(chǔ)應(yīng)用的普及。日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司對(duì)聯(lián)想、神州數(shù)碼和長虹佳華等取得出色業(yè)績的合
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子日立數(shù)據(jù)系統(tǒng) HDS 存儲(chǔ)器

2007中國存儲(chǔ)市場實(shí)力矩陣國內(nèi)廠商集體缺席

　　易觀國際基于對(duì)中國存儲(chǔ)市場的長期跟蹤研究，對(duì)存儲(chǔ)廠商的市場表現(xiàn)及業(yè)務(wù)創(chuàng)新能力進(jìn)行綜合評(píng)估，發(fā)布中國存儲(chǔ)市場廠商實(shí)力矩陣，該模型反映了整體存儲(chǔ)市場中各廠商所處的市場地位及業(yè)務(wù)發(fā)展的未來方向，并為行業(yè)用戶的存儲(chǔ)產(chǎn)品選型提供參考及建議。　　易觀國際研究發(fā)布的《中國存儲(chǔ)市場實(shí)力矩陣專題報(bào)告2007》研究顯示，IBM、惠普、EMC、SUN處于實(shí)力距陣的領(lǐng)先者象限,戴爾、日立處于務(wù)實(shí)者象限，Netapp處于創(chuàng)新者象限。　　易觀建議　　針對(duì)行業(yè)用戶：　　易觀國際認(rèn)為，處于領(lǐng)先者象限的EMC和惠普產(chǎn)品
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。該系統(tǒng)改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲(chǔ)方式，延長了存儲(chǔ)器的使用壽命，提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲(chǔ)器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，同時(shí)在使用中可
關(guān)鍵字： FAT NAND Flash 存儲(chǔ)器通信嵌入式系統(tǒng) 嵌入式無線通信

處理器存儲(chǔ)器子系統(tǒng)中的SoC功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)

　　在新的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)中，尤其是對(duì)便攜式設(shè)備而言，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)功耗的優(yōu)化正變得與性能和面積優(yōu)化同樣重要。有些EDA工具具有門控時(shí)鐘、降壓、降頻和減少漏電電流等功能，有些芯片制造商能夠提供低功耗庫和工藝，所有這些工藝都非常費(fèi)時(shí);在最好情況下能夠提供兩倍的性能提升，因?yàn)檫@些提升是在設(shè)計(jì)周期的后端進(jìn)行的。　　功耗優(yōu)化的最佳時(shí)間是在設(shè)計(jì)周期的一開始進(jìn)行，即在確定體系結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)級(jí)進(jìn)行優(yōu)化。確定系統(tǒng)級(jí)體系結(jié)構(gòu)對(duì)功耗影響非常大，如局部存儲(chǔ)器和高速緩存的數(shù)量和容量。在設(shè)計(jì)周期的一開始進(jìn)行優(yōu)化可以減少功耗十倍
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Gartner：十大戰(zhàn)略性技術(shù)問鼎2008

　　展望2008，人們開始期待著具有戰(zhàn)略性意義的十大信息技術(shù)，其中最重要的技術(shù)當(dāng)數(shù)以下四種：綠色I(xiàn)T、統(tǒng)一通信、虛擬化和mashup。　　任何一位稱職的IT高層管理人員都必須認(rèn)真審視這些信息。　　業(yè)界分析人士透徹分析了2008年具有戰(zhàn)略性的十大信息技術(shù)，這些技術(shù)日益激勵(lì)著IT高管考量不實(shí)行各種技術(shù)所帶來的危險(xiǎn)性。如果其競爭對(duì)手掌握了其中的一項(xiàng)技術(shù)，而你卻未握有此項(xiàng)技術(shù)，那在發(fā)展戰(zhàn)略上你就將處于劣勢。　　綠色I(xiàn)T 　　鑒于種種原因，綠色I(xiàn)T技術(shù)的作用更顯突出。這些原因包括對(duì)環(huán)境破壞的了解日益增
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 IT 存儲(chǔ)器交換機(jī) 消費(fèi)電子

印刷硅挑戰(zhàn)有機(jī)材料將引領(lǐng)半導(dǎo)體器件革新

　　市場研究公司NanoMarketsLC研究員預(yù)測硅納米晶體(SiliconNanocrystals)和硅印刷方式將對(duì)傳統(tǒng)的電子電路和有機(jī)電子產(chǎn)生巨大的影響。該公司的報(bào)道預(yù)測到2015年前述技術(shù)的市場價(jià)值將達(dá)到25億美元。　　研究人員指出，這些新技術(shù)將帶來存儲(chǔ)器，邏輯電路，光電及光電子產(chǎn)品的革新。同時(shí)，硅納米晶體和印刷硅將挑戰(zhàn)有機(jī)材料的地位?？缮炜s的柔性電子設(shè)備產(chǎn)品如傳感器和顯示器產(chǎn)品生產(chǎn)成為可能，采用硅印刷方式將給傳統(tǒng)材料制造規(guī)模半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)提供新的方式，而且不再遵守超過45納米的結(jié)點(diǎn)的摩爾定律
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子硅半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電阻電位器

嵌入式應(yīng)用中存儲(chǔ)器類型的選擇技巧

　　存儲(chǔ)器的類型將決定整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的操作和性能，因此存儲(chǔ)器的選擇一個(gè)非常重要的決策。無論系統(tǒng)是采用電池供電還是由市電供電，應(yīng)用需求將決定存儲(chǔ)器的類型(易失性或非易失性)以及使用目的(存儲(chǔ)代碼、數(shù)據(jù)或者兩者兼有)。另外，在選擇過程中,存儲(chǔ)器的尺寸和成本也是需要考慮的重要因素。對(duì)于較小的系統(tǒng)，微控制器自帶的存儲(chǔ)器就有可能滿足系統(tǒng)要求，而較大的系統(tǒng)可能要求增加外部存儲(chǔ)器。為嵌入式系統(tǒng)選擇存儲(chǔ)器類型時(shí)，需要考慮一些設(shè)計(jì)數(shù)，包括微控制器的選擇、電壓范圍、電池壽命、讀寫速度、存儲(chǔ)器尺寸、存儲(chǔ)器的特性、擦除/寫入的耐
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 存儲(chǔ)器 EPROM 存儲(chǔ)器

fimicro將Ramtron存儲(chǔ)器用于其新型PC/104和智能I/O模塊設(shè)計(jì)中

　　Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應(yīng)商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 pc/104 兼容單板計(jì)算機(jī) (SBC) 和智能 I/O 擴(kuò)展模塊中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-ram 存儲(chǔ)器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設(shè)計(jì)中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代 active104 系統(tǒng)中的 Flash
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) fimicro Ramtron 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
關(guān)鍵字： NAND NOR flash 集成電路存儲(chǔ)器

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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]