存儲器文章最新資訊

2005存儲技術(shù)趨勢高峰論壇于北京召開

2005存儲技術(shù)趨勢高峰論壇于北京召開串行技術(shù)將大行其道　　5月27日，來自存儲業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者——LSI邏輯、希捷和惠普的專家們在北京東方君悅酒店為本地的業(yè)內(nèi)人士奉獻(xiàn)了一次精彩的對話，內(nèi)容涉及當(dāng)前業(yè)內(nèi)最為先進(jìn)的SAS、SATA、FC及PCI-Express等一系列技術(shù)；同時，密切合作的三方也聯(lián)合為與會者進(jìn)行了產(chǎn)品演示。　　作為全球系列論壇的第一站，本次論壇由串行I/O技術(shù)和市場的領(lǐng)導(dǎo)者LSI邏輯公司主辦，并由其戰(zhàn)略合作伙伴希捷和惠普共同參與。本次論壇將重點討論向串行技術(shù)的轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換的原因以及新的
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杰爾系統(tǒng)針對家庭與企業(yè)市場推出全球最快的多媒體存儲芯片

此款創(chuàng)新型芯片以高出20倍的速度，遙遙領(lǐng)先所有廠商的芯片　　杰爾系統(tǒng)今日宣布針對家庭與企業(yè)市場，推出全球最快的多媒體與儲存網(wǎng)絡(luò)系列芯片。此套具有開創(chuàng)性的媒體服務(wù)器芯片，能夠加快多媒體文件在家庭與企業(yè)環(huán)境中的傳輸速度，較其它競爭對手所推出的芯片高出約20倍。　　此款芯片能以1Gbit/s的速度傳送流媒體內(nèi)容，并且可管理家庭或企業(yè)網(wǎng)絡(luò)中數(shù)據(jù)、音樂、圖片及影片等數(shù)字內(nèi)容的讀取與儲存。由于專為各種數(shù)字媒體服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)連結(jié)儲存方案所設(shè)計，此款芯片將揭開數(shù)字家庭的新時代面貌，并滿足中小型企業(yè)快速升級的市場需求
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瑞薩發(fā)布大容量、高速、同步8Mb FIFO存儲器

　　瑞薩科技發(fā)布用于W-CDMA及類似基站、OA設(shè)備和數(shù)字家用電器的大容量、高速、同步8Mb FIFO存儲器　　兩種型號的產(chǎn)品可提供3種模式設(shè)置和小型封裝，可靈活地支持各種應(yīng)用，使創(chuàng)造先進(jìn)的高性能、低功耗設(shè)備成為可能。　　2005年5月23日瑞薩科技今天發(fā)布了兩個型號的大容量8Mbit FIFO（先進(jìn)先出）存儲器——100引腳的R8A66120FFP和48引腳的R8A66120FFA——其100MHz的快速操作能力可應(yīng)用于W-CDMA*1和類似的基站、諸如彩色復(fù)印機(jī)的OA設(shè)備和數(shù)字家用電器等。R8
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Agere發(fā)布一系列突破性硬盤驅(qū)動器套片

杰爾系統(tǒng)(Agere)采用新型硬盤驅(qū)動器(HDD)集成電路技術(shù)推出的TrueStore系列存儲芯片，目標(biāo)針對移動電話和其它消費(fèi)類設(shè)備。具備視頻流、數(shù)碼照片、MP3、電子游戲以及其它多媒體與娛樂形式所需的大容量存儲功能。該全新讀取信道系列芯片是業(yè)界首款在每個存儲細(xì)分市場都提供定制性能的產(chǎn)品，具有優(yōu)秀的信號完整性、速率以及節(jié)能性能。www.agere.com
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DDRII需求過于樂觀　導(dǎo)致DDR供應(yīng)出現(xiàn)缺口

5月26日消息，近幾個月以來，全球DRAM大廠為配合英特爾（Intel）及國際計算機(jī)大廠全力推動DDRII成為下一世代的計算機(jī)主流架構(gòu)，紛紛加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至DDRII，因而造成DDR產(chǎn)出量迅速下滑。也由于計算機(jī)大廠對于DDRII做出“過于樂觀”的錯誤判斷，反而需回頭向中國臺灣DRAM廠采買更多的DDR顆粒以因應(yīng)市場需求。　　DRAM廠指出，過去幾個月以來，戴爾（Dell）、惠普（HP）等個人計算機(jī)（PC）大廠，對于推升DDRII成為市場主流的態(tài)度越來越積
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Semico:意法半導(dǎo)體正考慮賣掉內(nèi)存部門

市場研究公司Semico一份報告引述外電報道指出，歐洲半導(dǎo)體大廠STMicroelectronics NV(意法半導(dǎo)體)正考慮賣掉內(nèi)存部門。　　據(jù)港臺媒體報道，Semico表示，意法半導(dǎo)體2004年內(nèi)存部門營收 18.87億美元，但虧損3.13億；而且機(jī)頂盒flash的市占率也被Intel侵蝕；整體NOR閃存市場開始式微。因此公司若要出脫內(nèi)存業(yè)務(wù)似乎相當(dāng)合理。提供此消息的Semico非揮發(fā)內(nèi)存部門經(jīng)理Jim&n
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產(chǎn)業(yè)多變：三星DRAM業(yè)景氣報告前后不同調(diào)

日前，全球最大閃存廠南韓三星電子（Samsung）在香港舉行全球巡回說明會中表示，2005年、2006年全球DRAM市場規(guī)模均將因供給過剩而出現(xiàn)衰退，且2005年到第四季（Q4）才會出現(xiàn)供需平衡，而一直到2007年，DRAM產(chǎn)業(yè)才會有機(jī)會再見到成長；不過一份來自三星內(nèi)部的最新報告卻顯示，2005年下半整體DRAM產(chǎn)業(yè)將不至于太差，到了Q3便會供不應(yīng)求，而之所以會看法前后不一，主要還是在于DRAM產(chǎn)業(yè)詭譎多變，隨時須調(diào)整產(chǎn)能及計畫才足以應(yīng)付。　
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三星研發(fā)出多媒體領(lǐng)域速度最快存儲器

5月20日消息，三星電子昨天宣布開發(fā)出了首款應(yīng)用90納米技術(shù)的512Mb XDR DRAM樣品，這是目前多媒體應(yīng)用領(lǐng)域速度最快的存儲器。　　三星該款512Mb XDR DRAM能夠以每秒高達(dá)9.6GB的速度傳輸數(shù)據(jù)，其傳輸速度是DDR400存儲器的12倍，同時也是目前最快的RDRAM (PC 800)存儲器的6倍。它應(yīng)用了先進(jìn)的90納米技術(shù)，能夠在1.8伏的工作電壓下，達(dá)到最高每秒4.8Gb的運(yùn)
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三星全球DRAM內(nèi)存市場將在2007年復(fù)蘇

5月18日消息，三星電子周二表示，全球DRAM內(nèi)存市場供過于求的狀況預(yù)計將持續(xù)到今年第三季度，并且在今年第四季度達(dá)到供需的平衡。由于需求的增長，全球內(nèi)存芯片市場預(yù)計將在2007年復(fù)蘇。　　據(jù)電子時報報道，三星電子副總裁Robert Yi稱，2005年全球PC行業(yè)的增長率將減緩。但是，今年移動設(shè)備、游戲機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求將比2004年增長100%，從而抵消了PC對DRAM內(nèi)存需求的下降。由于芯片廠商要向90納米設(shè)計工藝過渡，全球D
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意法半導(dǎo)體擬全球裁員內(nèi)存產(chǎn)能將移中國

繼年初退出非策略性芯片市場后，意法半導(dǎo)體又傳來裁員消息。該公司中國區(qū)公關(guān)經(jīng)理丘紅表示，意法計劃在2006年年中以前裁員3000人，所涉區(qū)域僅限亞太以外地區(qū)。　　在意法提供的電子材料中，該公司稱，由于公司處于重組階段，美元相對歐元疲弱不振，而全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又持續(xù)低迷，意法在出口方面大受限制，從而導(dǎo)致2005年第一季度凈收入比去年第四季下降10.5%，凈虧損3100萬美元。這是該公司連續(xù)5季盈利后的首次虧損。因此，該公司試圖通過裁員轉(zhuǎn)廠提升全球市場競爭力。　　這似乎是
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意法半導(dǎo)體被證實是2004年串行非易失性存儲器市場的第一大制造商

工業(yè)分析家Web-Feet研究有限公司證實，意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）是全球第一大非易失性存儲器（NVM）芯片供應(yīng)商。Web-Fee于2005年3月公布了2004年NVM市場占有率的調(diào)查報告*，該報告顯示ST的市場占有率提高了4.4%，在串行EEPROM制造商排名中居首位；另外在該公司今年第一次公布的串行閃存市場排名中也居榜首。2004年串行EEPROM市場增長近15%，超過了并行EEPROM的增長速度，ST的收入增長幅度驚人，達(dá)到32.5%，銷售額達(dá)到2.24億美元，以32%的市場占有率位居榜
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意法半導(dǎo)體研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動器物理層知識產(chǎn)權(quán)芯片

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今天宣布該公司采用90nm制造工藝的（多接口PHY）物理層接口IP（知識產(chǎn)權(quán)）單元研制成功，這是世界上第一個支持串行ATA（SATA）磁盤驅(qū)動器以及Serial Attached SCSI (SAS)、Fibre Channel和PCI Express串口標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用的宏單元，ST的工程師準(zhǔn)備在系統(tǒng)級芯片(SoC)內(nèi)集成這個單元以及其它功能，使驅(qū)動器制造商可以制造銷售一個能夠在多個驅(qū)動器內(nèi)工作的IC，從而降低產(chǎn)品成本。ST目前正在實施和驗證90nm接口的設(shè)計，為今年下半年系
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韓國海力士半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在中國建立的存儲器芯片制造廠奠基

繼2004年11月16日意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）與海力士半導(dǎo)體（Bloomberg: 000660 KS）宣布簽訂合資建廠協(xié)議后，這兩家世界大型半導(dǎo)體公司在中國江蘇省無錫市舉行了存儲器芯片前端制造廠的奠基典禮，來自中韓兩國的國家及省市地區(qū)的高級官員參加了典禮儀式。新的芯片制造廠將制造DRAM存儲器和NAND閃存芯片，這個合資企業(yè)是ST與海力士的成功合作關(guān)系的合理延伸，它將使合資雙方率先進(jìn)入快速增長的中國市場，還將使ST能夠更好地滿足特別是通信和消費(fèi)電子市場領(lǐng)域重要客戶的需求，為他們提供完整的存
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ST研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動器物理層知識產(chǎn)權(quán)芯片

意法半導(dǎo)體（ST）研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動器物理層知識產(chǎn)權(quán)芯片　　測試結(jié)果顯示新的MIPHY宏單元性能優(yōu)異，新產(chǎn)品將集成到SATA、SAS、Fibre Channel和 PCI Express應(yīng)用的系統(tǒng)級芯片設(shè)計中　　中國， 2005年4月25日 – 意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今天宣布該公司采用90nm制造工藝的（多接口PHY）物理層接口IP（知識產(chǎn)權(quán)）單元研制成功，這是世界上第一個支持串行ATA（SATA）磁盤驅(qū)動器以及Serial Attached SCSI
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2004年串行非易失性存儲器市場的第一大制造商

意法半導(dǎo)體（ST）被證實是 2004年串行非易失性存儲器市場的第一大制造商 Web-Feet最新的非易失性存儲器市場報告顯示， ST是串行EEPROM和串行閃存市場的第一大供應(yīng)商中國，2005年4月28日 – 工業(yè)分析家Web-Feet研究有限公司證實，意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）是全球第一大非易失性存儲器（NVM）芯片供應(yīng)商。Web-Fee于2005年3月公布了2004年NVM市場占有率的調(diào)查報告*，該報告顯示ST的市場占有率提高了4.4%，在串行EEPROM制造商排名中居
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]