存儲(chǔ)器文章最新資訊

丑聞讓英飛凌COO下臺(tái) 內(nèi)存業(yè)務(wù)上市將擱淺

　　世界半導(dǎo)體巨頭英飛凌高管受賄的“腐敗門”丑聞?dòng)辛俗钚逻M(jìn)展。17日，英飛凌監(jiān)事會(huì)接受了首席營(yíng)運(yùn)官AndreasvonZitzewitz的辭職申請(qǐng)。Zitzewitz的下臺(tái)不僅留下了一個(gè)極為關(guān)鍵的位置空缺，而且一舉打亂了英飛凌謀劃已久的內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)上市計(jì)劃。　　在這又一起發(fā)生在德國(guó)知名大公司身上的賄賂丑聞中，Zitzewitz涉嫌從一家公關(guān)公司處撈取了25.9萬(wàn)歐元的不正當(dāng)回扣。德國(guó)檢察官上周五突襲搜查了英飛凌的總部以及部分高管的家，僅僅一天后Zitzewitz宣布辭職。　　英
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PXI在重離子加速器－冷卻存儲(chǔ)環(huán)控制系統(tǒng)的應(yīng)用

HIRFL-CSR工程蘭州近代物理所HIRFL-CSR（重離子加速器－冷卻存儲(chǔ)環(huán)）工程是國(guó)家九五重點(diǎn)國(guó)家重大科學(xué)工程。HIRFL-CSR是一個(gè)集加速、累積、冷卻、儲(chǔ)存、內(nèi)靶實(shí)驗(yàn)及高分辨測(cè)量于一體的多功能實(shí)驗(yàn)裝置。蘭州近代物理所HIRFL-CSR包括：主環(huán)（CSRm）、實(shí)驗(yàn)環(huán)(CSRe)、束運(yùn)線、放射性束(RIB)分離器、實(shí)驗(yàn)探測(cè)裝置。主環(huán)周長(zhǎng)161米，最高加速能量為900MeV/u(12C6+)和400MeV/u(238U72+)，試驗(yàn)環(huán)周長(zhǎng)129米，最大接收能量為600MeV/u (12C6+)和40
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6月份全球DRAM出貨量增長(zhǎng)了4% 達(dá)5.54億件

　　來自市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)，6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內(nèi)存)增長(zhǎng)了4%，達(dá)到了5.54億件，其中DDR內(nèi)存的比例從5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例為30%。　　DRAMeXchange預(yù)測(cè)，隨著DDR內(nèi)存出貨量的削減，其供應(yīng)緊缺狀況貫穿整個(gè)第三季度，而DDR2內(nèi)存市場(chǎng)，就出貨量而言，Powerchip半導(dǎo)體公司和ProMOS 科技公司在我國(guó)臺(tái)灣廠商中處于領(lǐng)先地位。該研究機(jī)構(gòu)還預(yù)測(cè)
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全球磁盤存儲(chǔ)市場(chǎng)增勢(shì)強(qiáng)勁得益于存儲(chǔ)虛擬

　　據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC的調(diào)查顯示，未來四年內(nèi)，磁盤存儲(chǔ)市場(chǎng)仍將保持穩(wěn)定的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。這種增長(zhǎng)主要得益于信息存儲(chǔ)必須符合全球標(biāo)準(zhǔn)、低價(jià)易用的存儲(chǔ)產(chǎn)品的推廣以及存儲(chǔ)虛擬等新技術(shù)的涌現(xiàn)。　　據(jù)IDC機(jī)構(gòu)存儲(chǔ)專家Dave Reinsel分析，2001-2002年存儲(chǔ)業(yè)走過低迷時(shí)期后，2004年存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來了第二個(gè)持續(xù)增長(zhǎng)期。與2003年相比，2004年全球的存儲(chǔ)產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)了4.4%。2005年，全球存儲(chǔ)產(chǎn)品銷售將達(dá)到234億美元，而到2009年會(huì)增長(zhǎng)
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富士通和愛普生宣布開發(fā)非易失存儲(chǔ)器技術(shù)

　　富士通公司和精工愛普生公司近日宣布，雙方已簽署協(xié)議將聯(lián)合開發(fā)下一代鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM)非易失存儲(chǔ)器技術(shù)。　　根據(jù)協(xié)議，雙方計(jì)劃研制一種高集成度的下一代FRAM，其組件面積將只有目前市場(chǎng)上銷售的常規(guī)FRAM的1/6，研發(fā)計(jì)劃預(yù)計(jì)將于2006年上半年完成。同時(shí)，富士通和愛普生還計(jì)劃開發(fā)一種存儲(chǔ)器核心處理技術(shù)，其特點(diǎn)是對(duì)于可執(zhí)行的讀寫周期的限制達(dá)到了最小。　　近年來，便攜式信
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中芯國(guó)際計(jì)劃從第三季度起削減SDRAM產(chǎn)能

　　在5月份時(shí)曾有報(bào)道指，中芯國(guó)際計(jì)劃提高其SDRAM產(chǎn)品的報(bào)價(jià)。然而如今，業(yè)內(nèi)的消息人士開始聲稱這家位于中國(guó)的晶圓廠計(jì)劃從第三季度開始，大幅削減其SDRAM的產(chǎn)能——幅度高達(dá)70%～80%。業(yè)界觀察員指出，這個(gè)舉動(dòng)將有助于該公司為其新的Fab 5工廠購(gòu)置設(shè)備。　　據(jù)報(bào)道，中芯國(guó)際向美國(guó)進(jìn)出口銀行的貸款申請(qǐng)之所以遭到拒絕，是因?yàn)橐幻麃碜詯圻_(dá)荷州——美光公司的大本營(yíng)--的參議員努力游說和阻撓的結(jié)果。中芯國(guó)際原本計(jì)劃用這筆貸款來購(gòu)買全球最大芯片制造設(shè)備制造商Applied M
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三星電子斥6億美元升級(jí)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線

　　韓國(guó)三星電子昨天表示，公司董事會(huì)已通過投資6,367億韓元(約6.17億美元)升級(jí)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線的計(jì)劃。　　港臺(tái)媒體報(bào)道，三星電子在一篇簡(jiǎn)短的信息公告中指出，該投資是為了響應(yīng)快速閃存市場(chǎng)擴(kuò)大以及生產(chǎn)增加的變化。
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全新ARM Jazelle RCT技術(shù)降低Java內(nèi)存占用空間高達(dá)三倍

ARM公司在加利富尼亞州舊金山市召開的JavaOne大會(huì)上發(fā)布了其全新的Jazelle® RCT 技術(shù)，該技術(shù)能在移動(dòng)電話和消費(fèi)電子產(chǎn)品等眾多應(yīng)用終端上顯著地降低Java應(yīng)用程序?qū)?nèi)存的占用空間，同時(shí)提高性能并降低功耗。ARM® Jazelle RCT (運(yùn)行時(shí)間編譯器目標(biāo)，Runtime Compiler Target)架構(gòu)擴(kuò)展集擴(kuò)展了Jazelle技術(shù)范圍，使其涵蓋了運(yùn)行時(shí)間和提前時(shí)間編譯器技術(shù)的最優(yōu)化，如即時(shí)編譯（Just In Time Compiler, JIT)和動(dòng)態(tài)適應(yīng)編譯
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DRAM齊備庫(kù)存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚

　　國(guó)際DRAM廠供應(yīng)貨源不足因應(yīng)旺季需求 OEM廠轉(zhuǎn)向臺(tái)廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)。由于OEM計(jì)算機(jī)大廠擔(dān)心進(jìn)入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后，目前庫(kù)存貨源可能不敷使用，近期紛紛開始增加對(duì)DRAM廠下單，惟國(guó)際DRAM廠已陸續(xù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品，因此供貨情況未能滿足國(guó)際OEM計(jì)算機(jī)廠需求，為此，OEM計(jì)算機(jī)廠也轉(zhuǎn)向臺(tái)灣DRAM廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)，且以過去主力供應(yīng)現(xiàn)貨市場(chǎng)的DRAM廠為主，據(jù)傳訂單數(shù)量相當(dāng)驚人。　　TRI觀點(diǎn)：以產(chǎn)業(yè)鏈各廠商的動(dòng)態(tài)來觀察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下：　　
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內(nèi)存價(jià)格半年跌40% 臺(tái)內(nèi)存商目光轉(zhuǎn)投閃存

　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存廠商透露，由于自今年初以來，內(nèi)存的價(jià)格經(jīng)歷了重大下挫，所以這些內(nèi)存廠商已經(jīng)開始將目光投在閃存市場(chǎng)上，其中茂德科技(ProMOS Technologies)已經(jīng)設(shè)立了一家NAND閃存存儲(chǔ)卡封裝合資廠，而華邦(Winbond)則收購(gòu)了一家NOR閃存設(shè)計(jì)企業(yè)。據(jù)茂德總裁陳民良透露，他們已經(jīng)投資245萬(wàn)美元于上海開辦了一家合資企業(yè)，看中的就是大陸手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)卡的巨大需求。茂德在此合資企業(yè)中的股份是49%，
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臺(tái)灣DRAM廠商第二季財(cái)報(bào)多數(shù)將會(huì)出現(xiàn)赤字

DRAM廠商第2季財(cái)報(bào)恐多出現(xiàn)赤字，早盤股價(jià)紛紛拉回修正，盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過1%以上，茂硅一度跌停。據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，DRAM 價(jià)格第 2 季處于低檔，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會(huì)計(jì)盈轉(zhuǎn)虧，稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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三星現(xiàn)代偏重閃存生產(chǎn)內(nèi)存迎來缺貨漲價(jià)期

DRAM制造業(yè)巨頭調(diào)換產(chǎn)能搶攻NAND型閃存市場(chǎng)的效應(yīng)正在快速擴(kuò)散，那就是內(nèi)存芯片正面臨缺貨危機(jī)。三星、Hynix以及我國(guó)臺(tái)灣的力晶紛紛實(shí)施或宣布了將產(chǎn)能轉(zhuǎn)調(diào)入閃存生產(chǎn)的消息后，內(nèi)存模塊制造商即將進(jìn)入長(zhǎng)達(dá)數(shù)個(gè)月的供貨“枯水期”。內(nèi)存模塊制造業(yè)人士稱，原本DRAM芯片供貨量?jī)H受三星轉(zhuǎn)換產(chǎn)能影響，還沒有明顯感受到貨源不足壓力，但從7月起，Hynix也將轉(zhuǎn)換產(chǎn)能生產(chǎn)閃存，在2大DRAM芯片制造商雙雙轉(zhuǎn)換
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英特爾攻勢(shì)兇猛　AMD快閃內(nèi)存營(yíng)收連輸2季

超微（AMD）自從4月發(fā)出打算將旗下快閃內(nèi)存（Flash）部門公開上市，以Spansion之名向美國(guó)證管會(huì)提出IPO申請(qǐng)后，華爾街分析師認(rèn)為，近來美國(guó)半導(dǎo)體類股市場(chǎng)不佳，Spansion恐怕無法募得足夠資金，在市場(chǎng)不看好聲中，傳出超微有可能遞延IPO消息。　　據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，超微執(zhí)行官Hector Ruiz在2005年初就直言對(duì)Flash事業(yè)營(yíng)運(yùn)很不滿意，不僅銷售額衰退，連續(xù)2季營(yíng)運(yùn)虧損，2004年第四季（Q4）與2005年Q1分別虧
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三星CEO稱 DRAM價(jià)格持續(xù)下降后將趨于穩(wěn)定

三星公司的CEO兼總裁黃昌圭(HwangChang-gyu)指出，計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格在下滑40%之后，有望趨于穩(wěn)定。　　今年第二季度，全球芯片制造商超負(fù)荷生產(chǎn)，導(dǎo)致了DRAM的價(jià)格下降，這對(duì)三星第二財(cái)季的利潤(rùn)也產(chǎn)生了影響。黃昌圭稱：“到現(xiàn)在為止，DRAM的價(jià)格下降了40%。今后，價(jià)格會(huì)趨于穩(wěn)定?！?　　三星表示，DRAM制造商開始由生產(chǎn)低價(jià)的DRAM向閃存芯片過渡，閃存芯片主要用于數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)手機(jī)和音樂播放器等產(chǎn)品中。同時(shí)，由于業(yè)內(nèi)向下一代芯
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硬盤手機(jī)逐漸成主流元件市場(chǎng)也將又蘊(yùn)商機(jī)

　　硬盤手機(jī)將成主流之時(shí)，隨著手機(jī)用戶在手機(jī)上存儲(chǔ)的信息日益增多，業(yè)者認(rèn)為硬盤將成為“必需品”。硬盤手機(jī)一旦進(jìn)入“黃金時(shí)代”之時(shí)，元件市場(chǎng)也將隨之又蘊(yùn)商機(jī)。　　據(jù)悉，數(shù)年來，硬盤廠商一直在為iPod的成功而歡欣鼓舞。iPod以及其它MP3播放機(jī)已經(jīng)使得微型硬盤的銷售達(dá)到了一個(gè)新的高峰。之后手機(jī)廠商積極將微型硬盤用于新款手機(jī)產(chǎn)品中，業(yè)內(nèi)不斷聽到新的好消息：三星、諾基亞新出品的手機(jī)將集成有硬盤。與以前只能在閃存中存儲(chǔ)數(shù)首歌曲的手機(jī)不同，這些手機(jī)的
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]