存儲器文章最新資訊

賽普拉斯公司被中興通訊公司認可為頂尖的SRAM供應商

Cypress憑借其超群的總所有權成本、產品質量、技術支持和交貨能力而得到了中國領先WAN公司的表彰 2005年5月13日北京訊今天，賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布被中國最大的WAN設備制造商之一、年收入達40億美元的中興通訊（ZTE）公司評定為SRAM和專用存儲器的首選供應商。這一排名是根據(jù)各SRAM銷售商在去年的總體業(yè)績確定的。據(jù)ZTE稱，影響該排名的因素有很多，包括總所有權成本、產品質量、對ZTE要求
關鍵字：賽普拉斯存儲器

三星下半年DRAM供需均衡面板需求降溫

據(jù)外電報道，三星電子周三預期下半年個人計算機用DRAM的供給和需求將達到平衡，并認為2006年LCD面板的需求成長將持續(xù)降溫。　　三星在一份呈交南韓證交所的報告中表示，芯片制造商將制程升級至90奈米后，良率問題影響供給成長，加上部份產能挪用生產非DRAM產品，是下半年供需平衡的主因。　　但有些分析師更樂觀預期下半年DRAM的需求會微幅超過供應，并帶動價格上揚，與其相較，SAMSUNG的看法還較為保守。自今年初以來，DRAM芯片在供給增加及需求疲弱的壓力下，現(xiàn)貨價格已重挫逾40%。多位分析師都預期第2季
關鍵字：三星存儲器

三星電子公司預計今明年DRAM銷售將衰退

5月11日消息，全球第二大半導體制造商三星電子預計2006年計算機內存芯片全球銷售將步入連續(xù)第二年衰退。　　三星電子在香港準備給投資人的文件中表示，動態(tài)隨機存取內存DRAM銷售今年將衰退4%，明年估計萎縮12% 。　　據(jù)港臺媒體報道，DRAM供過于求導致Infineon等制造商出現(xiàn)虧損。　　三星電子表示，供過于求的情況將持續(xù)至第三季，第四季才可能出現(xiàn)供需相符的情況。　　三星電子
關鍵字：三星存儲器

CL 2.5水平低延遲DDR-2內存芯片即將量產

DDR-2內存如我們預期地目前已開始調整售價并可在下半年取代DDR內存在市場的主流位置，不過DDR-2內存眾所周知目前主要的問題也在于其高延遲性（CL 4/5）設計而大大影響了產品性能。如在同級的DDR與DDR-2內存對比當中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來始終還是會得益于其高工作頻率設定可達成更高的內存帶寬而將取代最高不過667MHz的DDR，無論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現(xiàn)始終是不能有太大的突破，而這個情況
關鍵字： CL 存儲器

現(xiàn)代與意法半導體在中國建內存芯片廠

4月29日消息，韓國現(xiàn)代半導體（Hynix Semiconductor）和意法半導體公司本周四在中國江蘇省無錫市舉行了高級內存芯片加工廠建設的破土動工儀式。韓國時報報道，這個內存芯片加工廠是根據(jù)現(xiàn)代半導體和意法半導體去年11月份達成的合資企業(yè)協(xié)議建設的。這個合資企業(yè)將在今年年底投入商業(yè)性生產。無錫市在聲明中稱，這個工廠首先使用8英寸晶圓進行生產，然后在2006年晚些時候過渡到12英寸晶圓。這個工廠
關鍵字：現(xiàn)代存儲器

Synopsys推出新版DFT編譯器和TetraMAX ATPG工具

Synopsys公司為其Galaxy測試解決方案推出DFT編譯器和自動測試模式生成工具TetraMAX。其中DFT的快速掃描綜合技術和標準測試DRC引擎可加速掃描插入與測試設計規(guī)則檢查，從而使設計人員在短時間內完成測試性設計。而改進的TetraMAX ATPG算法將有助于數(shù)百萬門設計中優(yōu)化壓縮的模式生成。www.synopsys.com
關鍵字： Synopsys 存儲器

瑞薩加入CellularRAM開發(fā)陣營瞄準下一代手機市場

Renesas公司近期宣布加入由Cypress、Infineon及Micron三家公司聯(lián)合倡導的CellularRAM標準聯(lián)合開發(fā)組。CellularRAM產品被設計用來進行2.5G和3G手機設計，是一種嵌入式替換方案，引腳和功能都與用于當前手機設計中的異步低功耗SRAM兼容。www.renesas.com
關鍵字： Renesas 存儲器

飛利浦發(fā)布DVD+R/+RW與硬盤驅動器結合的半導體參考設計

飛利浦電子公司發(fā)布了全球第一款DVD+R/+RW和硬盤驅動器結合的半導體參考設計。該參考設計基于 PNX7100 MPEG-2解碼器，具有完整的硬件圖單、材料單、業(yè)界標準的軟件堆棧、全面的Nexperia Home開發(fā)工具包以及相關文件。為亞洲的消費電子OEM廠商提供了低材料成本及快速的上市時間。www.semiconductors.philips.com
關鍵字：飛利浦存儲器

基于TMS320C54x的便攜存儲設備設計

摘要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動存儲終端，終端中使用NAND Flash作為存儲器件。討論了TMS320C54x對NAND Flash的編程以及接口設計。關鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動存儲終端包括手機、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機等手持設備及各種信息家電。在這類產品中既要結合存儲功能，又需要具備一定的信號處理能力，因此基于DSP芯片的設計方案成為這些產品的主流方案。同時，為了降低產品成本，采用具有較高容量/價格比的NAND Fla
關鍵字： DSP Flash NAND 存儲器

為實現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構

按慣例，設計人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時，設計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進通信系統(tǒng)的存儲器，這就將工作重點轉向了帶寬，而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為：給定時間內可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬：帶寬=I/O速度
關鍵字： SRAM 存儲器

高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡的SDRAM控制器設計

摘要：本文對高速、高精度大容量數(shù)據(jù)采集板卡所采用的SDRAM控制器技術進行了討論，詳細介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設計、命令組合以及設計仿真時序，并將該技術應用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡，最后給出了板卡測試結果。關鍵詞：SDRAM；FPGA；AD9432 引言高速數(shù)據(jù)采集具有系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率高的特點，要求系統(tǒng)在短時間內能夠傳輸并存儲采集結果。因此，采集數(shù)據(jù)的快速存儲能力和容量是制約加快系統(tǒng)速度和容許采集時間的主要因素之一。通常用于數(shù)據(jù)采
關鍵字： AD9432 FPGA SDRAM 存儲器

半導體分析師認為DRAM價格下跌將減緩

根據(jù)彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團旗下半導體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調高，理由是認為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。據(jù)了解，花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調高至“買進”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調高至“持有”，韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出，價格可能在下個月或其后一個約觸底，而全球
關鍵字： DRAM 存儲器

測量并抑制存儲器件中的軟誤差

軟誤差是半導體器件中無法有意再生的“干擾”(即數(shù)據(jù)丟失)。它是由那些不受設計師控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統(tǒng)能夠容忍一定程度的軟誤差。例如，如果為音頻、視頻或靜止成像系統(tǒng)設計一個預壓縮捕獲緩沖器或后置解壓縮重放緩沖器，則一個偶然出現(xiàn)的缺陷位可能不會被察覺，而且對用戶而言也許并不重要。然而，當存儲元件在關鍵任務應用中負責控制系統(tǒng)的功能時，軟誤差的不良影響就會嚴重得多，不僅會損壞數(shù)據(jù)，而且還有可能導致功能缺失和關鍵系統(tǒng)故障。本文將討論產生這些軟誤差的根源、不同的測量技術以及抵御
關鍵字：賽普拉斯存儲器

混合信號測試新結構——同步及存儲磁心

引言當前電子設計的趨勢是復合功能化以及更廣泛地使用模擬、數(shù)字混合技術。在設計、建模和測試諸如3G手機及機頂盒等混合了視頻、音頻及數(shù)據(jù)信號的系統(tǒng)時，需要緊密集成與基頻采樣頻率、失真和觸發(fā)特性相匹配的數(shù)字及模擬數(shù)據(jù)采集和發(fā)生硬件。模擬及數(shù)字儀器不再是具有完全相異的定時引擎和不匹配模擬性能的獨立系統(tǒng)。另外，隨著這些具有類似時鐘的設備在全球范圍內廣泛地制造，產品必須在極寬的溫度范圍內具有穩(wěn)定性和性能一致性，以便進行可靠的、高性能的功能測試。NI設計的同步及存儲磁心(SMC)作為一種針對高速模塊化儀器的通用結構回應
關鍵字： NI 存儲器

rSRAM消除“軟錯誤”對電子系統(tǒng)的威脅

意法半導體(ST)公布的一項新技術rSRAM，完全可以消除近年來不斷困擾電子設備制造商的 “軟錯誤”難題。由于該技術對標準SRAM存儲單元的改進方法是在單元結構內以垂直方式增裝附加電容器，因此，芯片面積以及制造成本都不會受到較大的影響。www.st.com
關鍵字： ST 存儲器

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構成構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]