存儲器文章最新資訊

Maxtor新一代OneTouchtm外置式硬盤在中國上市

　　Maxtor公司日前宣布其新一代的外置式硬盤Maxtor OneTouchTM在中國正式推出。延續(xù)上一系列產(chǎn)品（具有OneTouch特性的Personal Storage 5000）的杰出表現(xiàn)，Maxtor新一代OneTouch外置式硬盤在全球市場上一經(jīng)推出即不斷獲得好評。此次Maxtor在國內(nèi)市場推出此系列產(chǎn)品，標志著中國市場的客戶可以體驗到Maxtor這一屢獲好評的產(chǎn)品。　　Maxtor OneTouch外置式硬盤是Maxtor推出的大容量外置式存儲硬盤系列。它圍繞一個創(chuàng)新的、極其實用的特性而
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第十一屆北京ARM高級培訓班(8月13日—8月16日 )

主辦：微芯力科技有限公司協(xié)辦：電子產(chǎn)品世界網(wǎng)站報名電話：010-58882981 Email：gaofeng@edw.com.cn 　　微芯力和英國ARM公司于今日在上海簽署了合作協(xié)議，微芯力加入了ARM Connected Community，并正式成為ARM公司在中國大陸的授權(quán)培訓中心（ATC）。　　ARM 在中國持續(xù)發(fā)展，北京微芯力科技加入ARM授權(quán)培訓中心項目后將開設ARM認證培訓課程，以提高工程師基于ARM微處理器內(nèi)核的設計能力。　　ARM中國總裁譚軍表示：“每周多達100多
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賽普拉斯業(yè)界最高帶寬雙端口RAM的FLEx72(tm)產(chǎn)品家族又添新丁

日前，賽普拉斯半導體公司 (Cypress Semiconductor Corp.)宣布推出兩款新型器件，從而進一步壯大了其業(yè)界領先的高帶寬雙端口RAM的FLEx72產(chǎn)品陣營。Cypress現(xiàn)已推出 4 Mbit (CYD04S72V) 與 9 Mbit (CYD09S72V)兩種產(chǎn)品的樣片，使x72位寬多端口存儲器產(chǎn)品系列更趨完備，該系列包括目前已投產(chǎn)的18 Mbit FLEx72 器件。FLEx系列的密度從 64 Kbit 到 18 Mbit 系統(tǒng)不等，速度可達 167 MHz。除了新部件外，Cypr
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Cypress推出USB海量存儲器參考設計套件 (RDK) 樣本

　　賽普拉斯半導體公司于今天宣布推出USB海量存儲器參考設計套件 (RDK) 樣本。憑借此款新型硬件/軟件解決方案，即使是那些對USB或海量存儲器類驅(qū)動器知之甚少的設計工程師們也能夠輕而易舉地開發(fā)出配有USB存儲器的產(chǎn)品。　　這款新型套件專為與賽普拉斯的 EZ-Host™系列USB嵌入式主機控制器配合使用而設計，支持包括USB硬盤驅(qū)動器、NAND閃存驅(qū)動器、符合海量存儲器標準的MP3播放器和數(shù)碼相機在內(nèi)的多種USB海量存儲器類外設。其主要應用對象包括機頂盒、便攜式媒體播放器、MP3播放器、
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瑞薩科技發(fā)布具有片上閃存存儲器的M32192產(chǎn)品組微控制器

瑞薩科技公司宣布，開發(fā)出M32192產(chǎn)品組，作為M32R/ECU系列32 位RISC (精簡指令集計算機)微控制器產(chǎn)品線的補充，用于車輛內(nèi)應用。M32192產(chǎn)品組具有快速的160 MHz運行速度和大容量、高可靠性的片上閃存存儲器及SRAM，用于汽車駕駛安全支持系統(tǒng)和類似的應用中。在2004年12月，將從日本開始樣品發(fā)貨。作為瑞薩科技目前的M32176產(chǎn)品組和M32182產(chǎn)品組的后續(xù)產(chǎn)品，新產(chǎn)品組提供下面的特性。1.在業(yè)界最高的160 MHz運行速度下，其性能是先前型號的兩倍。這些新型微控制器使用具有單精度
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硬盤驅(qū)動器推動消費電子存儲的發(fā)展

　　隨著消費電子設備數(shù)字化程度的日益提高，家庭影院發(fā)燒友、電子游戲玩家、攝影迷、音樂愛好者在娛樂活動中更加活躍。憑借DVR(數(shù)字視頻錄像機)、高容量便攜音樂播放器、游戲機等設備，人們能夠空前自由地控制觀看節(jié)目的方式、收集和傳輸音樂、參與互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機游戲。支撐這些蓬勃發(fā)展應用的基本要求是存儲更多數(shù)字化內(nèi)容，讓用戶更快捷、輕松地獲得更多內(nèi)容。為達到這一目標，人們開始將硬盤驅(qū)動器存儲技術(shù)應用于消費電子設備，它能經(jīng)濟地存儲海量數(shù)據(jù)、更高傳輸速率、迅速訪問任何特定的一段數(shù)據(jù)，為消費電子用戶提供與計算機用戶同樣的好處。
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ST在未來的非易失性存儲器開發(fā)中取得進步

半導體供應商意法半導體日前宣布該公司在開發(fā)新型的最終可能會取代閃存的電子存儲器中取得重大進步，這種新的技術(shù)叫做換相存儲器（PCM），其潛在性能優(yōu)于閃存，優(yōu)點包括更快的讀寫速度、更高的耐用性，以及向單個存儲地址寫入的能力。最重要的是，這項技術(shù)的內(nèi)在靈活性高于目前正在應用中的其它任何非易失性存儲器技術(shù)。 6月15-19日，在美國檀香山舉行的半導體行業(yè)最重要的年度論壇“2004年VLSI技術(shù)暨電路研討會”上，ST發(fā)表了兩篇技術(shù)論文，文中詳細論述了其在開發(fā)商用PCM技術(shù)中所取得的進展。在其中一篇技術(shù)論文中，ST首
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高性能數(shù)字存儲示波器的防混淆問題

圖1一個5.5GHz信號分別由20GS/s和10GS/s捕捉的波形。下邊由放大波形顯示信號的細節(jié)，右邊是測量的頻率參數(shù)。圖2圖中三條曲線表示取樣率隨20GS/s數(shù)字化器在三個不同時間/格設置的變化。第一條的存儲器是250K樣本，第二條是1M樣本，第三條是100M樣本。2002年力科、泰克、安捷倫三個公司分別推出使實時示波器的帶寬擴展到6GHz的三種數(shù)字示波器。三種儀器都具有高達20GS/s的取樣率，工程師在他們的電路除錯手段中獲得了前所未有的最高性能實時示波器。然而，跟所有新工具一樣，重要的是要掌握使
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MAXTOR與LINKSYS建立戰(zhàn)略性聯(lián)盟促進家庭網(wǎng)絡存儲

全球硬盤和消費存儲產(chǎn)品的廠商Maxtor公司與思科系統(tǒng)公司旗下的家庭和小型商務網(wǎng)絡解決方案領導者Linksys分公司日前宣布，兩家公司將在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)方面進行合作，并共同營銷可簡化家庭中個人與娛樂內(nèi)容存儲、管理、共享和流媒體解決方案。作為個人存儲和家庭網(wǎng)絡領域的領導者，Maxtor和Linksys的共同目標就是建立一個功能多樣、內(nèi)容豐富的網(wǎng)絡，使用戶能夠輕松訪問共享數(shù)據(jù)。 Maxtor 和 Linksys 還將開始促銷彼此的產(chǎn)品 – Maxtor的OneTouch(TM) 外置式硬盤和Linksys(R
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Agilent提供深存儲器的示波器

Agilent公司今天發(fā)布適用于 Infiniium 54830系列數(shù)字存儲和混合信號示波器的新存儲器選件，從而使該系列成為具有業(yè)內(nèi)最深存儲器深度的示波器。這一新選件把Agilent專利MegaZoom技術(shù)與達128Mpts的存儲器深度融于一體，實現(xiàn)對復雜信號的快捕獲和立即響應，儀器的使用也極為方便。該選件并提供過去難以企及的先進測量性能，以幫助計算機、通信和國防領域的研發(fā)工程師加速新產(chǎn)品的開發(fā)。　 Agilent設計驗證部副總裁兼總經(jīng)理Ron Nersesian說：“這些具有業(yè)內(nèi)最深存儲器的示波器進一
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在嵌入式系統(tǒng)中實現(xiàn)從RAM快速引導技術(shù)

摘要: 本文以ARM7TDMI為例，對嵌入式系統(tǒng)從ROM和RAM引導的特點及技術(shù)實現(xiàn)進行了比較，對異常和中斷概念給出了詳細的辨析，介紹了如何實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)從RAM快速引導技術(shù)。關(guān)鍵詞: 引導；異常向量；中斷；堆棧；鏡像前言嵌入式系統(tǒng)是以各種嵌入式微處理器為內(nèi)核，運行RTOS的面向應用的計算機控制系統(tǒng)，也是SOC技術(shù)的一個重要分支。ARM 是一個IP(知識產(chǎn)權(quán))公司，以arm體系結(jié)構(gòu)為基礎的各種RISC 微處理器針對不同應用領域提供了不同的指令集(ARM、THUMB、DSP
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Agilent提供深存儲器的示波器

Agilent公司今天發(fā)布了適用于 Infiniium 54830系列數(shù)字存儲和混合信號示波器的新存儲器選件，從而使該系列成為具有業(yè)內(nèi)最深存儲器深度的示波器。這一新選件把Agilent專利MegaZoom技術(shù)與達128Mpts的存儲器深度融于一體，實現(xiàn)對復雜信號的快捕獲和立即響應，儀器的使用也極為方便。該選件并提供過去難以企及的先進測量性能，以幫助計算機、通信和國防領域的研發(fā)工程師加速新產(chǎn)品的開發(fā)。　 Agilent設計驗證部副總裁兼總經(jīng)理Ron Nersesian說：“這些具有業(yè)內(nèi)最深存儲器的示波器進
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幾種新型非易失性存儲器

摘要：本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿Υ鎯ζ鞯脑?、研究進展及存在的問題等。關(guān)鍵詞：非易失性存儲器；FeRAM；MRAM；OUM 引言更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時問、更低成本和更高可靠性是存儲器設計和制造者追求的永恒目標。根據(jù)這一目標，人們研究各種存儲技術(shù)，以滿足應用的需求。本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。圖1 MTJ元件結(jié)構(gòu)示意圖鐵電存儲器(FeRAM) 鐵電存儲器是一種在斷電時不會
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德州儀器采用集成轉(zhuǎn)換開關(guān)與LDO簡化DDR內(nèi)存電源設計

日前，德州儀器 (TI)推出將 DC/DC 開關(guān)模式控制器與線性壓降調(diào)節(jié)器 (LDO) 進行完美結(jié)合的新型集成電路 (IC)，如今，雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 以及 DDR II內(nèi)存系統(tǒng)的設計人員可采用該產(chǎn)品集成到他們的設計中以提高電源效率。在諸如筆記本與臺式電腦、顯卡以及游戲機等應用中，該款高度集成的器件可大幅減少支持所有 DDR 系統(tǒng)（如 Micron 的 DDR 以及 DDR II）電源管理所需的外部組件數(shù)。如欲了解更多詳情，敬請訪問：www.ti.com/sc04089。Micron公司計算與消費類電
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瑞薩科技宣布開發(fā)出superSRAM

通過開發(fā)新型存儲單元，并將SRAM單元與DRAM電容器技術(shù)相結(jié)合，瑞薩科技公司開發(fā)出了業(yè)界第一個實際上沒有軟錯誤*1的SRAM，稱作“superSRAM”。這種新型SRAM將投入商業(yè)性生產(chǎn)，并用于移動應用中的16M位小功率SRAM。在6月17日（當?shù)貢r間）于美國夏威夷舉行的2004 VLSI技術(shù)研討會*2上，將介紹這種產(chǎn)品的詳細情況。下面總結(jié)了這種技術(shù)和產(chǎn)品的主要性能。 (1)很高的軟錯誤容錯性與瑞薩科技先前的0.13 μm工藝16M位小功率SRAM（沒有ECC電路*3）相比，軟錯誤率大約減小了4個數(shù)位，
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]