Inversion Semiconductor旨在實現(xiàn)更明亮、更快速的光刻技術

Inversion Semiconductor Inc.（加利福尼亞州舊金山）是一家 2024 年的初創(chuàng)公司，計劃利用粒子加速為下一代光刻技術開發(fā)更亮、更可調的光源。

該公司表示，與現(xiàn)有系統(tǒng)相比，它將能夠以高達 15 倍的速度制造芯片，并且具有更精細的功能。

Inversion 加入 Lace Lithography 是一家初創(chuàng)公司，希望取代或至少被視為成熟的光刻市場領導者 ASML Holding NV 的替代品。當然，這兩家初創(chuàng)公司都看到了使用 13.5nm 波長的極紫外光進行光刻膠閃光曝光的進一步開發(fā)的挑戰(zhàn)。

Inversion 的光刻方法基于使用一種稱為激光尾流場加速 （LWFA） 的現(xiàn)象來創(chuàng)建緊湊的高功率光源。Inversion 預計 LWFA 可以將用于產生高能光的傳統(tǒng)粒子加速器縮小 1,000 倍到桌面大小——即從幾公里縮小到一米左右。這是 Inversion 的支持者 Y Combinator 創(chuàng)業(yè)加速器和風險投資公司的說法。

LWFA 利用強激光脈沖和等離子體之間的相互作用，在非常短的距離內將電子加速到極高的能量。這個過程類似于沖浪者在船后面乘風波：電子在等離子體波中“沖浪”并在行進過程中獲得能量。

調低波長

Inversion 估計它可以使用 LWFA 在短距離內將電子加速到多個 GeV 的能量。然后，這些高能電子通過自由電子激光器，該激光器使用磁性結構使電子發(fā)射精確波長的相干光

Inversion 計劃像傳統(tǒng)的 EUVL 一樣使用其先進的光源來投影圖案，但光源可調諧至 13.5nm 或更低的波長，下一代目標為 6.7nm。此外，該公司聲稱，它可以在相同的數值孔徑下將晶體管密度增加一倍，同時實現(xiàn)比當前機器高出三倍的吞吐量。光源也可能足夠亮，可以照亮多個晶圓臺，因此一個光源和四臺或八臺光刻機將進一步提高制造效率。

該公司由擔任首席執(zhí)行官的 Rohan Karthik 和首席技術官 Daniel Vega 創(chuàng)立。這兩個項目在得到 Y Combinator 創(chuàng)業(yè)孵化器的支持之前被 Entrepreneur First 計劃選中。Karthik 在英國利茲和倫敦帝國理工學院接受教育，而 Vega 在加利福尼亞州爾灣開始接受教育，但在倫敦大學學院度過了一年，并在歐洲粒子加速研究園區(qū) CERN 進行了研究。

這兩位企業(yè)家在舊金山 Y Combinator 大樓的地下室建立了一個激光實驗室，并計劃與勞倫斯伯克利國家實驗室一起測試加速器原型。