新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 不再是3nm!曝iPhone 18首發(fā)臺(tái)積電2nm工藝制程

不再是3nm!曝iPhone 18首發(fā)臺(tái)積電2nm工藝制程

作者: 時(shí)間:2025-03-21 來(lái)源:快科技 收藏

3月21日消息,投資公司GF Securities在報(bào)告中稱(chēng),系列搭載的將會(huì)采用第三代工藝N3P制造,對(duì)此,分析師Jeff Pu予以反駁,稱(chēng)基于制程打造,蘋(píng)果使用的消息可以被忽略了。

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/202503/468428.htm

據(jù)悉,已經(jīng)開(kāi)始了工藝的試產(chǎn)工作,該項(xiàng)目在新竹寶山工廠(chǎng)進(jìn)行,初期良率是60%,預(yù)計(jì)在2025年下半年開(kāi)始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。

之前摩根士丹利發(fā)布報(bào)告稱(chēng),2025年臺(tái)積電月產(chǎn)能將從今年的1萬(wàn)片試產(chǎn)規(guī)模,增加至5萬(wàn)片左右的量產(chǎn)規(guī)模。由于產(chǎn)能爬坡以及良率提升都需要時(shí)間,2025年蘋(píng)果iPhone 17系列的A19系列處理器可能不會(huì)采用2nm制程,只是會(huì)升級(jí)到家族的N3P制程。

根據(jù)臺(tái)積電披露的資料,2nm制程在相同電壓下可以將功耗降低24%-35%,或?qū)⑿阅芴岣?5%,晶體管密度比上一代3nm工藝高1.15倍,這些指標(biāo)的提升主要得益于臺(tái)積電的新型全環(huán)繞柵極(GAA)納米片晶體管,以及N2 NanoFlex設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化和其他一些增強(qiáng)功能來(lái)實(shí)現(xiàn)。

價(jià)格方面,消息稱(chēng)臺(tái)積電2nm晶圓的價(jià)格超過(guò)了3萬(wàn)美元,目前3nm晶圓的價(jià)格大概在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元,兩者價(jià)格差距明顯。半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),由于先進(jìn)制程報(bào)價(jià)居高不下,廠(chǎng)商勢(shì)必會(huì)將成本壓力轉(zhuǎn)嫁給下游客戶(hù)或終端消費(fèi)者。



評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉