SK海力士計劃明年第二季量產10 納米DRAM

　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。

　　來自產業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。

　　半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發(fā)才算完成。據(jù)報導，SK 海力士為將量產時程往前推，打算直接做客戶測試，暗示 1x DRAM 已經(jīng)開發(fā)成功。

　　一般認為，SK 海力士技術落后三星約 1 年半時間，但從 SK 海力士計劃在明年第二季量產 10 納米 DRAM 推算，兩者差距已經(jīng)拉近至 1 年 3 個月左右。