觸控面板制程之化學二次強化的應用與制程問題討論

 

　　(2) 化學蝕刻制程溫度的管控：蝕刻制程為放熱反應，若溫度控制無法在適當的制程溫度范圍內將影響蝕刻速率的快慢。如圖13兩組實驗數據討論所示，數據1玻璃蝕刻為放熱反應：起始溫度 28.1 ℃升至35.4 ℃à 提高7.3 ℃，數據2玻璃蝕刻為放熱反應：起始溫度 34.8 ℃升至36.9 ℃à 提高2.1 ℃，不同起始溫度經過長時間取樣測量發(fā)現蝕刻溫度逐漸增加，又蝕刻溫度影響著蝕刻速率的變化，故選擇一個溫度點可接近放熱反應的最終溫度，可以穩(wěn)定蝕刻速率和制程速率，這是化學二次強化制程調控上的重點?！　?/p>本文引用地址：http://www.2s4d.com/article/135797.htm

 

　　(3) 玻璃砂過濾處理問題：

　　HF與SiO2反應會生成H4SiO4，而H4SiO4會沉淀下降形成所謂的玻璃砂，在蝕刻制程中若蝕刻時間越久，蝕刻玻璃的量就會越多，而玻璃砂就產生越多，玻璃砂若沉積在蝕刻槽體沒有排除將影響玻璃蝕刻速率與表面質量，因此玻璃段面就容易出現凸點或是蝕刻不均的現象，影響蝕刻后的機械強度和模塊的組裝質量，所以化學二強制程中玻璃砂的過濾效果是否良好將決定產品出貨時的良率狀況。

　　(4) 蝕刻槽體較佳流場設計與過濾系統整合：

　　若槽體流場設計不佳會導致玻璃砂無法有效的由玻璃表面帶走，也會影響產品的質量，較佳的流場設計也會讓酸液在最短時間內有效的混合均勻，讓槽體各部位的蝕刻能力達到一致性，讓產品蝕刻均勻度效果更佳;玻璃砂堆積嚴重者會堵塞機臺管路，影響供酸循環(huán)系統效果，嚴重者影響蝕刻效率，使產品4pb改善效果降低，一般會設置過濾器(filter)來改善玻璃砂的問題。故設計良好的過濾系統和流場較佳的蝕刻槽體，是化學二強設備設計的重點。

　　六. 結論

　　基于觸控產業(yè)陸續(xù)蓬勃發(fā)展，觸控產品本身的規(guī)格要求也日漸嚴苛，所有觸控面板出貨前都要批次性測試4pb test或是ball on ring test，且依據觸控產品應用性其規(guī)格也各別定義，大部分的觸控業(yè)者在玻璃切割制程都采用鉆石刀輪切割外加精雕制程，雷射切割也有部分業(yè)者使用但成本過高，量產能力不佳，而且經過實驗線數據得知近30%的雷射切割產品機械抗壓性不足，需要進行二次強化(意即30%的4pb out spec)，因此玻璃二強制程設備是目前各LCD與觸控面板業(yè)界急需擴充的重要投資之一，本文已經針對影響玻璃強化的重要制程參數，如：HF濃度控制、蝕刻溫度控制、玻璃砂過濾、蝕刻槽體流場設計與過濾系統整合概念等，進行詳細探討與解說。弘塑科技公司(GPTC)在半導體濕式設備已經有超過10年以上的豐富經驗，以半導體的設備開發(fā)規(guī)格與理念，加上對于化學清洗與蝕刻制程深入研究，運用在玻璃蝕刻和玻璃強化領域，可創(chuàng)造出更具有附加價值的技術，目前弘塑科技的薄化設備和強化設備已獲得臺灣各TFT-LCD與觸控一線大廠(如：AUO、GTOC、Cando、CPTF等)的認同與肯定，設備的安全性、穩(wěn)定性、精準性向來是弘塑科技產品設備基本的訴求，未來如2.5D或是3D的玻璃強化也將是弘塑科技在技術上發(fā)展的指標之一。