宏力半導體成功開發(fā)0.13微米嵌入式EEPROM模塊

　　中國上海，2012年7月30日-上海宏力半導體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導體”)，專注于差異化技術的半導體制造領先企業(yè)，宣布成功開發(fā)出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊(具有單字節(jié)擦寫能力)。

　　宏力半導體先進的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲技術，第一次在0.13微米1.5伏低漏電、低功耗邏輯工藝平臺上實現了閃存模塊和EEPROM模塊的完美結合?；谠撓冗M技術開發(fā)出的0.13微米嵌入式EEPROM模塊，數據保持時間達到100年，擦寫次數大幅提高到50萬次。此次顯著的技術創(chuàng)新與提升，標志著宏力半導體在嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術研發(fā)領域邁入了新的里程碑，進一步鞏固了宏力半導體在嵌入式非揮發(fā)性存儲器市場的領導地位。

　　“0.13微米嵌入式EEPROM模塊因其耐久的數據保持時間和優(yōu)異的擦寫能力，一經推出，就受到了客戶的青睞。”企業(yè)發(fā)展暨戰(zhàn)略單位副總經理傅城博士表示，“搭載該模塊的產品能夠為客戶提供高可靠性、低成本的解決方案，在銀行卡、金融IC卡、移動支付、RFID、電子護照等安全類芯片和MCU中具有廣闊的前景。”