挑戰(zhàn)5nm單次曝光！ ASML攜蔡司研發(fā)新一代Hyper NA EUV設備

ASML已著手研發(fā)下一代先進光刻機設備，為未來十年的芯片產(chǎn)業(yè)做準備。該公司技術(shù)執(zhí)行副總裁Jos Benschop對外透露，ASML及獨家光學合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）一道啟動了5納米分辨率的Hyper NA光刻機開發(fā)，并補充這項技術(shù)將足以滿足2035年及之后的產(chǎn)業(yè)需求。

ASML最近才開始出貨業(yè)界最先進設備，已可達到單次曝光8納米分辨率。相較之下，較舊設備需多次曝光才能達到類似分辨率。

Benschop指出，公司正與蔡司進行設計研究，目標是實現(xiàn)數(shù)值孔徑（NA）0.7或以上的系統(tǒng)，目前尚未設定具體上市時間表。

數(shù)值孔徑（NA）是衡量光學系統(tǒng)收集與聚焦光線能力的關(guān)鍵指標，也是決定電路圖樣能否精細投影到晶圓上的關(guān)鍵因素。 當NA越大、光波長越短，印刷分辨率就越高。

目前標準EUV設備的NA為0.33，最新一代High NA EUV則提升至0.55。 而ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）邁進，需要重新設計幾個關(guān)鍵系統(tǒng)。

ASML目前已向英特爾、臺積電交付首批High NA EUV設備，不過 Benschop表示，大規(guī)模采用仍需時間，產(chǎn)業(yè)界必須先驗證新系統(tǒng)的性能，并開發(fā)配套材料與工具，才能全面啟動，「這次新設備的導入與歷年來推出的創(chuàng)新工具情況類似，通常要幾年后才會進入大量產(chǎn)出階段。 客戶需要學習如何操作，但我相信它很快會被用于高產(chǎn)能的芯片制造流程中“。