總投資超5100萬，又一座高等級功率半導(dǎo)體廠房竣工！

微龍游消息，4月9日，芯盟高等級功率半導(dǎo)體廠房項目已順利通過竣工驗(yàn)收。

據(jù)悉，該項目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路，總投資5100余萬元，建筑面積約25000多平方米。項目由龍游經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)下屬國資公司代建，主體建筑由廠房、綜合樓、門衛(wèi)、材料庫及室外附屬配套組成，建筑層數(shù)共計5層。

該項目的竣工標(biāo)志著龍游縣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域邁出了堅實(shí)的一步，也為國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。據(jù)悉，芯盟項目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，并積極拓展碳化硅功率器件領(lǐng)域。項目建成后，預(yù)計年產(chǎn)300萬只高等級功率半導(dǎo)體模塊。這將顯著提升我國在高等級功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)能力，進(jìn)一步推動國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。該項目建成后將全面提升園區(qū)的整體工藝技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力，進(jìn)一步助力國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。下一步，開發(fā)區(qū)將持續(xù)優(yōu)化園區(qū)環(huán)境，優(yōu)化周邊配套設(shè)施，推動企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，為開發(fā)區(qū)發(fā)展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個研發(fā)出垂直溝道三維存儲器并商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構(gòu)集成HITOC?鍵合技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)線寬0.9μm，讓芯片之間連接點(diǎn)數(shù)超過100萬個，3D鍵合密度全球領(lǐng)先。

近期，芯盟科技接連申請了兩項技術(shù)專利。

3月19日，芯盟科技向國家知識產(chǎn)權(quán)局申請了一項名為“動態(tài)隨機(jī)存儲器及其讀操作方法、電子設(shè)備”的專利，公開號為CN119626287A。該專利通過優(yōu)化DRAM設(shè)計，引入多個存儲單元組及靈敏放大器組等，顯著提高了DRAM的感應(yīng)裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項名為“半導(dǎo)體器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號為CN113629011B。這項專利涉及創(chuàng)新的材料選擇和生產(chǎn)工藝，有望提升半導(dǎo)體器件的耐用性和能效，廣泛應(yīng)用于智能設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。