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英特爾已經(jīng)完成第二套High NA EUV光刻機(jī)組裝

發(fā)布人:芯智訊 時(shí)間:2024-12-14 來源:工程師 發(fā)布文章

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10月10日消息,ASML 新任首席執(zhí)行官 Christophe Fouquet 近日在SPIE大會(huì)上介紹了ASML的High NA EUV光刻機(jī),并表示英特爾的第二套 High NA EUV光刻機(jī)已經(jīng)組裝完成。

Christophe Fouquet表示,High NA EUV光刻機(jī)將不太可能像當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)那樣出現(xiàn)延遲交貨的情況,其原因是ASML找到了組裝掃描儀子組件的新方法,就是直接在客戶工廠進(jìn)行安裝,無需經(jīng)歷拆卸及再組裝的過程,這將大大節(jié)省ASML與客戶之間的時(shí)間和成本,有助于加快High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)貨和交貨。

英特爾院士兼曝光技術(shù)總監(jiān)Mark Phillips在Christophe Fouquet之后的演講中也表示,英特爾已經(jīng)在波特蘭工廠完成了兩套的High NA EUV光刻系統(tǒng)的安裝。

此外,Mark Phillips 還公布了一些的數(shù)據(jù),說明了 High NA EUV光刻機(jī)相對于標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)所帶來的改進(jìn),通過High NA EUV光刻機(jī)應(yīng)用出來的改善結(jié)果可能要比之前想象中還要多。

Mark Phillips 強(qiáng)調(diào),由于已經(jīng)有了經(jīng)驗(yàn),第二套 High NA EUV光刻系統(tǒng)的安裝速度比第一個(gè)還要更快。 據(jù)稱,High NA EUV光刻機(jī)所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開始運(yùn)行。 用于 High NA EUV光刻機(jī)的光罩檢測工作已經(jīng)按計(jì)劃開始進(jìn)行。 因此,英特爾無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。

另外,Mark Phillips還被問到了關(guān)于CAR(化學(xué)放大抗蝕劑)與金屬氧化物抗蝕劑的問題。 他的說法是 CAR 目前還夠用,但可能在未來某個(gè)時(shí)候需要金屬氧化物光阻劑。英特爾目標(biāo)是要Intel 14A制程技術(shù)能在2026~2027年量產(chǎn),屆時(shí)將制程技術(shù)進(jìn)一步進(jìn)行提升。

編輯:芯智訊-林子


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