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如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅(qū)
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長期供應協(xié)議

?·?????? 緯湃科技正在鎖定價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產(chǎn)能投資，獲得這一關(guān)鍵的半導體技術(shù)，以實現(xiàn)電氣化的強勁增長·?????? 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達成合作?2023年
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度

中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
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投身車電領(lǐng)域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領(lǐng)導品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
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采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

“引言”近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多
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目標 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車 SiC 芯片市場，安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠

IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現(xiàn)有工廠，目標在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場中，占據(jù) 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠，其中韓國工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會擴建哪家工廠，安森美半導體計劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷售
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2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

2023 年 SiC 襯底市場將持續(xù)強勁增長。
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意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用，采用隔離降壓拓撲結(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
關(guān)鍵字：意法半導體隔離式降壓轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？

隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅(qū)動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行，同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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SiC MOSFET的設計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關(guān)損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當?shù)钠胶狻?yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結(jié)合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
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德國博世收購美國TSI，全球半導體領(lǐng)域再添并購案

據(jù)國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產(chǎn)，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節(jié)，且這項收購還需要得到監(jiān)管部門的批準。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學等行業(yè)的應用。而博世在半導體領(lǐng)域的生產(chǎn)時間已超過60年，在全球范圍內(nèi)投資了數(shù)十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認為，此次收購
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功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動

在高壓開關(guān)電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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適用于運輸領(lǐng)域的SiC：設計入門

簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導體開關(guān)器件的半導體物理學原理，以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對目標應用的影響。理想開關(guān)在關(guān)斷時的電阻無窮大，導通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導通狀態(tài)電流
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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]