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gan+sic 文章 最新資訊

GaN如何在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率

  • 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O(shè)備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過程中的相關(guān)能源損耗成為電源設(shè)計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務(wù)器等“耗電大戶”領(lǐng)域的設(shè)計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數(shù)據(jù)
  • 關(guān)鍵字： TI  GaN  PFC  

意法半導(dǎo)體是怎樣煉成巨頭的？擅長聯(lián)合，布局多重應(yīng)用，投資未來

  • 歐洲是世界半導(dǎo)體的重要一極，ST（意法半導(dǎo)體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱為歐洲半導(dǎo)體的三駕馬車，也是全球知名的半導(dǎo)體巨頭。ST的特點是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門1、自帶一定的應(yīng)用市場，ST要靠自己找市場、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問題。據(jù)市場研究機構(gòu)Garnter數(shù)據(jù)，ST 2022年營收158.4億美元，年增長率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導(dǎo)體公司。大浪淘沙、洗牌無數(shù)的半導(dǎo)體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導(dǎo)體巨頭的？又是如何布局未來的？表1 202
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  MCU  SiC  

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試

  • 氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關(guān)速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業(yè)開拓新的應(yīng)用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標(biāo)志性意義，傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
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汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導(dǎo)體的價值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導(dǎo)體，車規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應(yīng)用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統(tǒng)
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動汽車芯片供貨協(xié)議

  • 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅(qū)動。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過
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羅姆買新廠 搶SiC產(chǎn)能

  • 全球車用SiC功率組件市場，目前主要由IDM大廠獨霸，根據(jù)統(tǒng)計，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導(dǎo)體的營收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標(biāo)，該公司積極擴充SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并宣布買下日本一家太陽能系統(tǒng)廠的舊工廠，未來將引進SiC功率半導(dǎo)體8吋晶圓產(chǎn)線到工廠內(nèi)，預(yù)計在2024年底啟動，將使羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報導(dǎo)，羅姆將從日本的石油公
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

  • 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標(biāo)準(zhǔn)的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的，里面包含了許
  • 關(guān)鍵字： SiC Traction模塊  安森美  202311  

用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南

  • SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
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國內(nèi)8英寸SiC傳來新進展

  • 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應(yīng)用及儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長，并推動新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)；天科合達計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)，同時該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議。近期，科友半導(dǎo)體傳來了新消息。6月22日，科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度
  • 關(guān)鍵字： 8英寸  SiC  科友半導(dǎo)體  

使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實

  • 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注，但同時也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如，一些設(shè)計人員認(rèn)為SiC MOSFET 應(yīng)該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競爭力，反向恢復(fù)電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
  • 關(guān)鍵字： 202306  SiC  

羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

  • SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”，并基于合作伙伴關(guān)系進行了密切的技術(shù)合作，開展了適用于電動汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  緯湃  SiC  

為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

  • 在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

  • 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
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中國小型 SiC 廠商，難過 2023

  • 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關(guān)損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場特斯拉的大風(fēng)，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動車動力系統(tǒng)減少使用 S
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