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意法半導(dǎo)體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？

現(xiàn)代-起亞集團(tuán)的 E-GMP 純電平臺(tái)以 800V 高電壓架構(gòu)、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺(tái)在后馬達(dá) Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導(dǎo)體，成本與轉(zhuǎn)換效率比傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體更高，更能提升續(xù)航。如今瑞士半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認(rèn) E-GMP 平臺(tái)的起亞 EV6 等車(chē)款將采用，預(yù)計(jì)在動(dòng)力、續(xù)航都能再升級(jí)。E-GMP 平臺(tái)，原先已在后馬達(dá)逆變器采用 Si
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅功率模塊起亞 EV6 意法半導(dǎo)體 ACEPACK DRIVE

世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。數(shù)十年來(lái)，硅來(lái)料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢(shì)。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器
關(guān)鍵字： NCP51820 安森美半導(dǎo)體電源供應(yīng)器 GaN MOS Driver

宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估

汽車(chē)行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車(chē)載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來(lái)提供解決方案。在追求性能的同時(shí)，對(duì)于車(chē)載產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，可靠性也是一個(gè)重要的話題。在車(chē)載OBC/DCDC應(yīng)用中，高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來(lái)越多。對(duì)于汽車(chē)級(jí)高壓半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō)，門(mén)極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及，但事實(shí)是無(wú)論
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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能

【2022年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動(dòng)和電池供電設(shè)備供電的主流標(biāo)準(zhǔn)。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標(biāo)準(zhǔn)中，擴(kuò)展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動(dòng)適配器和充電器市場(chǎng)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。為了加速這一趨勢(shì)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
關(guān)鍵字：英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器

通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過(guò)，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。在過(guò)去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來(lái)越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴(kuò)建，推出最新MOSFET產(chǎn)品

近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jī)，其三季度業(yè)績(jī)直線上揚(yáng)，總營(yíng)收21.93億美元，同比增長(zhǎng)25.86%；毛利10.58億美元，同比增長(zhǎng)46.82%。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營(yíng)收為11.16億美元，同比增長(zhǎng)25.1%；高級(jí)解決方案組營(yíng)收7.34億美元，同比增長(zhǎng)19.7%；智能感知組營(yíng)收為3.42億美元，同比增長(zhǎng)44.7%，三大業(yè)務(wù)全線保持增長(zhǎng)。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統(tǒng)的I
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基于安森美半導(dǎo)體NCP1342驅(qū)動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案

此電源設(shè)計(jì)最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導(dǎo)熱好！通標(biāo)變壓器設(shè)計(jì)，21V效率最高達(dá)到93%,驅(qū)動(dòng)與MOS均采用美國(guó)安森美半導(dǎo)體技術(shù)！?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1.51.5*51.5*31 超小體積功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
關(guān)鍵字：安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD

EEVIA媒體論壇之英飛凌：賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數(shù)字化發(fā)展

在最近召開(kāi)的EEVIA第十屆年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)上，來(lái)自英飛凌安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部的汽車(chē)級(jí)WiFi/BT及安全產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)管理經(jīng)理?xiàng)畲蠓€(wěn)以“英飛凌賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數(shù)字化發(fā)展“為題，詳細(xì)介紹了英飛凌在汽車(chē)電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來(lái)趨勢(shì)。?新能源車(chē)是全球汽車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng)最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域，特別是在中國(guó)這個(gè)全球產(chǎn)銷(xiāo)第一的市場(chǎng)，2022年國(guó)有品牌汽車(chē)占據(jù)近一半的中國(guó)汽車(chē)市場(chǎng)份額，最大的驅(qū)動(dòng)力是來(lái)自于新能源車(chē)和電動(dòng)車(chē)?？梢灶A(yù)想，隨著政府和車(chē)廠的支持，電動(dòng)車(chē)未來(lái)幾年會(huì)迎
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC 電動(dòng)汽車(chē) 無(wú)人駕駛

SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”

當(dāng)前，全球主要國(guó)家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過(guò)程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)?dòng)大量基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，因此軌道交通的“碳達(dá)峰”雖然和工業(yè)的“碳達(dá)峰”路徑有差異，但總體實(shí)現(xiàn)時(shí)間將較為接近。在中國(guó)，這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)是2030年之前。當(dāng)然，“碳達(dá)峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區(qū)分，比如在工業(yè)領(lǐng)域，一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過(guò)節(jié)能+綠電的方式實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”，另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現(xiàn)能耗降低。對(duì)于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬(wàn)物電氣化”

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車(chē)輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類(lèi)解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車(chē)輛電氣化的使命上，這些車(chē)輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個(gè)SiC器件芯片投片成功

10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱(chēng)，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類(lèi)器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車(chē)主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)測(cè)，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
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格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片

據(jù)外媒《NBC》報(bào)道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車(chē)、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱(chēng)，電動(dòng)汽車(chē)的普及、電網(wǎng)升級(jí)改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
關(guān)鍵字：格芯獲 GaN

GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級(jí)GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長(zhǎng)的使用壽
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