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gan ic 文章 最新資訊

“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？

  • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。 　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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手機及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

  • 　　充電和電池管理對智能手機來說，仍是關(guān)鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設(shè)計都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求?！　∈袌鰧τ诟斐潆姇r間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
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國家戰(zhàn)略助IC產(chǎn)業(yè)“彎道超車” 5G能否成產(chǎn)業(yè)機遇期？

  • 　　隨著紫光集團(tuán)有限公司一次出資協(xié)議公開，到目前為止，中國半導(dǎo)體行業(yè)(也被稱為IC產(chǎn)業(yè))最大一筆投資落地。 　　日前，紫光集團(tuán)對外公布，計劃通過其下屬控股子公司紫光控股，與長江存儲現(xiàn)有股東共同出資設(shè)立長江控股以實現(xiàn)對長江存儲的控制，其中，紫光控股出資197億元，占長江控股注冊資本的51.04%，擔(dān)任長江存儲的控股股東。 　　“這是我國IC產(chǎn)業(yè)目前落地的最大規(guī)模項目。”一位立足湖北的券商研究員對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道記者表示，近幾年來，中國加大對IC產(chǎn)業(yè)的政策扶持，特別是在資金方面的投
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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IC卡型H8/310系列單片機H8/310SeriesMicrocomputer

  • IC卡型H8/310系列單片機H8/310SeriesMicrocomputer
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用

  • 　　MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用　　用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統(tǒng)性能和運營成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司
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無畏氮化鎵角逐中功率市場　碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)

  • 　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場。 　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 　　臺達(dá)電技術(shù)長暨總
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KLA-Tencor 快速有效解決客戶良率問題與中國半導(dǎo)體行業(yè)一同成長

  • 　　看好中國半導(dǎo)體行業(yè)未來持續(xù)的蓬勃發(fā)展，工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過半導(dǎo)體檢測與量測技術(shù)，以最快的速度及最有效的方式 ，幫助客戶解決在生產(chǎn)時面對的良率問題。KLA-Tencor立志于幫助中國客戶一起提升良率，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，并與中國半導(dǎo)體行業(yè)一同成長?！　LA-Tencor中國區(qū)總裁張智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，現(xiàn)于全球17國擁有6000多位員工。2016財年，KLA-Tencor營收表現(xiàn)來到30億美元。從硅片檢
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國內(nèi)IC業(yè)熱鬧非凡 需以更大雄心瞄準(zhǔn)更廣市場

  • 國內(nèi)IC業(yè)近年來熱鬧非凡，隔三差五某個收購、某個新項目開工的消息此起彼伏，大基金和社會資本的注入、老牌企業(yè)的橫縱聯(lián)合、新興企業(yè)的雨后春筍，讓人難免生出“春風(fēng)得意馬蹄急”的感覺。
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TMR：2019年電源管理IC市場規(guī)模將達(dá)460億美元

  • 　　市場研調(diào)機構(gòu)Transparency Market Research(TMR)最新研究報告指出，科技進(jìn)步正在塑造全球電源管理IC市場動態(tài)，可配置性和可程式性方面的創(chuàng)新則在推動全球電源管理IC市場成長。汽車產(chǎn)業(yè)和消費性電子產(chǎn)業(yè)對先進(jìn)系統(tǒng)的需求尤其明顯。TMR預(yù)估，2013~2019年，全球電源管理IC市場年復(fù)合成長率(CAGR)將達(dá)6.1%。 　　根據(jù)openPR報導(dǎo)，TMR最新研究報告詳細(xì)分析全球電源管理IC市場的創(chuàng)新趨勢和其他主要趨勢，并深入分析這些趨勢對各區(qū)域市場成長的影響，并以應(yīng)用、產(chǎn)品類型和
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厚翼科技(HOY Technologies)為業(yè)界唯一專注于內(nèi)存測試解決方案的供貨商

  • 　　隨著設(shè)計采用奈米微縮制程的演變，與 IC 設(shè)計復(fù)雜度與設(shè)計規(guī)模日趨復(fù)雜，嵌入式內(nèi)存在各項產(chǎn)品的需求比重愈來愈高，內(nèi)存缺陷成為影響芯片良率的變因之一，因此內(nèi)存測試解決方案的重要性也與日俱增，尤其是車用電子及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的相關(guān)產(chǎn)品，更需要內(nèi)建自我測試技術(shù)(MBIST, Memory Built-In Self-Test);而車用電子產(chǎn)品對于其可靠性與安全性已被 ISO26262 規(guī)范，其內(nèi)存自我檢測(MBIST, Memo
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中國IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入成長階段 培育龍頭企業(yè)正逢其時

  • 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要實現(xiàn)跨越式發(fā)展，就要迅速成就一批行業(yè)的龍頭企業(yè)，這不是一件容易的事，需要有一個漫長的培育過程，中國IC產(chǎn)業(yè)已走出萌芽狀態(tài)，進(jìn)入成長階段。在這個跳躍性的成長中，對研發(fā)投入的標(biāo)準(zhǔn)會越來越高，對技術(shù)創(chuàng)新的要求也會越來越高。
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IC與驅(qū)動電路四對分立器件互補管及RM8Z磁芯電路圖

  • IC與驅(qū)動電路四對分立器件互補管及RM8Z磁芯電路圖圖IC與驅(qū)動電路四對分立器件互補管及RM8Z磁芯電路圖驅(qū)動電路及RM8Z變壓器繞組實際參數(shù)見圖。
  • 關(guān)鍵字： IC  驅(qū)動電路  分立器件  互補管  磁芯電路  
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