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Flash數據為何不翼而飛

  • 　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化。　　    　　1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫　　例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調用了寫入或擦除函數或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或寫入函數，這自然會導致數據丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
  • 關鍵字： Flash  芯片  

NAND Flash供不應求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
  • 關鍵字： NAND Flash  英特爾  

Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹

  • 　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，Flash則約9兆韓元，遠不如原
  • 關鍵字： Flash  存儲器  

中國存儲三大勢力成形 各自進擊

  • 　　早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產能，就差合肥團隊還未有相關消息，現在相關招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 　　中國發(fā)展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 　　合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
  • 關鍵字： 長江存儲  Flash   

基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

  • 摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件，是市場上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
  • 關鍵字： C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導  SRIO  網絡  

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

  • 嵌入式系統(tǒng)的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設計思想。
  • 關鍵字： Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • 隨著嵌入式系統(tǒng)產品的發(fā)展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
  • 關鍵字： Flash  NAND  02A  1FT    

如何將“壞塊”進行有效利用

  • 　　被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。 　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
  • 關鍵字： Nand Flash  寄存器  

提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

  • 摘要在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備E
  • 關鍵字： MSP430G  單片機  Flash    

關于單片機中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。
  • 關鍵字： 單片機  flash  eeprom  

NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
  • 關鍵字： Flash  NAND  扇區(qū)管理  

JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應用

  • JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數表的結構、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設計中的具體應用。
  • 關鍵字： JEDEC  Flash  JESD    

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計,摘要 為實現數字信號處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對外部ROM的引導方式，以及一種無需數據轉換即可通過數據加載將用戶程序寫入Flash的方法。以TMS320C6455為例，同時結合LED燈閃爍實例驗證
  • 關鍵字： DSP  加栽模式  二次加載  Flash  

三星、東芝競擴產，NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調機構IHS iSuppli最
  • 關鍵字： 三星  東芝  NAND  Flash   

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

  • 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我
  • 關鍵字： NOR flash  Nand flash  FlaSh  
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flash介紹

閃存（Flash ROM）： 是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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