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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認識嗎？

　　Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點，給大家一個全新認識。　　一、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

　　資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。　　此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領(lǐng)
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手機標稱16G內(nèi)存，為何實際卻少于16G

　　摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢? 　　我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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中國下個購并標的：NAND Flash控制芯片

　　中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司，期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?，F(xiàn)階段，邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。　　資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
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TrendForce：經(jīng)濟前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限

　　全球經(jīng)濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增

　　NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應(yīng)用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢，取代原本使用的NOR型快閃記
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中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
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中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
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科技行業(yè)為Flash準備“葬禮”

過去多年時間里，來自Adobe的熱門軟件Flash讓網(wǎng)絡(luò)變得更豐富，然而，F(xiàn)lash的安全性一直飽受詬病，而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明，F(xiàn)lash應(yīng)當走向消亡。
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基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計

　　筆者在設(shè)計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。　　　　圖1存儲部分原理框圖　　在設(shè)計中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運
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研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季將擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預(yù)估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計

　　1 VxWorks系統(tǒng)的啟動流程　　嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動包括兩個階段，一是BootRom引導(dǎo)，二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標板上運行的操作系統(tǒng)。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng)，這樣操作系統(tǒng)才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。　　VxWorks內(nèi)核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機采
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！

　　2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。　　BusinessKorea報導(dǎo)，IHS 13日報告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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儲存市場新廠突圍　傳統(tǒng)大廠嚴陣以待

　　儲存裝置市場正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費者預(yù)期未來將擴大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢。　　據(jù)TechRadar報導(dǎo)，全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。　　據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應(yīng)的高
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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]